**发力 合肥蓝光加速“弯道超车”

在新蚌埠路与天水路交口西侧，一家在半导体领域赫赫有名的高科技企业坐落于此。合肥彩虹蓝光科技有限公司通过扩产改造和技术**，如今已步入**盈利状态。 一组数据显示，截至今年6月，合肥蓝光营收比去年同期增长100%，芯片生产同比增长97%，成本降幅达42%，实现收入3亿元以上、利润达600万元以上。**平台整合多方资源2016年9月19日，合肥蓝光与北京大学协同**中心签约。该**中心依托合肥彩虹蓝光产业化平台，充分发挥北京大学宽禁带半导体研究中心的研发优势和人才优势，将在新站高新区的支持下，加快推进化合物半导体**成果产业化。今年1月，合肥蓝光**实现盈利，截至6月份，营收实现大跨越。智能照明是智能生活的重要一环，合肥蓝光开始聚焦智慧生活整合资源，大力发展智慧照明工程等终端应用，步入新一轮规模扩产，抢占市场制高点。记者了解到，合肥蓝光为进一步做大做强智慧照明业务，进一步整合蓝光实业公司，打造智慧照明平台，先后与烽火集团、中国港湾建立战略合作，进军智慧城市建设。技术**打造**产品发展战略性新兴产业，培育壮大“新动能”，是合肥产业转型升级的重点内容。今年安徽省专门出台支持“三重一创”建设若

深耕特色工艺 中芯国际仍需坚持“两条腿走路”

2018年3月1日，中芯国际、绍兴市政府、盛洋集团共同出资的中芯集成电路制造（绍兴）有限公司项目正式签约。项目总投资达58.8亿元，面向MEMS和功率器件等领域的晶圆和模组代工，建设完成后将形成一个综合性的特色工艺制造基地。对于中芯国际，业界目前的关注点大多集中在28-14纳米先进工艺的开发及量产之上。然而，事实上成熟特色工艺一直在中芯国际的发展中占有重要地位，不仅在公司营收及获利上占据半壁江山，满足着客户的大量需求，中芯国际亦长期坚持“先进工艺与成熟工艺两条腿走路”的发展策略。随着当前中芯国际进入转型过渡期，加强特色工艺更具有特殊意义。先进工艺量产显露曙光台积电、三星全球晶圆代工大厂快速朝向10纳米以及7纳米工艺演进，引燃了业界对摩尔定律前进步伐的关注热情，同时对中芯国际的观察重点也锁定在了28-14纳米等先进工艺的开发之上。业界公认28纳米是长寿命节点。据IBS公司的预测，随着28纳米工艺逐步成熟，市场需求呈现快速增长的态势，从2012年开始的每年91.3万片、2014年的294.5万片，一直增长到2017年的463.3万片，预测即便到2020年市场需求仍可达428.7万片/年。经

陕西半导体先导技术中心成立 面向新一代半导体器件技术

爱发科: 关于两款针对功率器件的离子注入设备开始对外销售的通知

爱发科株式会社 (2) 佔地面积减小到塬有设备的30%，价格则是塬有设备的一半(3) 可以对应超薄硅片2. 高加速离子注入设备SOPHI-400减少驱动电流的损失以及提高开关的速度，是市场对IGBT的要求。为了达到这一要求，需要从超薄硅片的背部对Field Stop层进行加速电压为2MeV(2,000keV)左右的高加速离子注入处理。本设备让枚叶式处理超薄硅片时，进行2.4MeV加速电压，从而实现了高加速离子注入的处理。另外，本设备採用次世代的处理工艺，利用氢(H)来製作Field Stop层。这样大约能形成深度为4μm的Field Stop层，并能够达到减少驱动电流以及提高开关速度的效果。另外，氢在低温下就可以进行活性煺火，因此不需要使用昂贵的激光煺火设备，炉管式设备(煺火设备)即能处理，因此生产线的整体成本也能够大大降低。SOPHI-400的优点：(1) 磷(P)离子注入可以达到2.4MeV(2,400keV)电压下的加速(2) 利用氢(H)製作Field Stop(3) 可以对应超薄硅片*1 Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Tr

Imec开发**8英寸无色散常闭式/增强型硅基GaN功率器件

[据固态技术网站2017年6月13日报道] 比利时微电子研究中心（Imec）在200毫米/8英寸硅基上成功开发出200V和650V无色散常闭式/增强型氮化镓功率器件。它具有超低动态导通电阻（20%以下）、*先进的性能和再现性。此外，压力测试也展示了良好的器件可靠性。该技术正在准备进行原型设计、定制化小批量生产与技术转移。 与硅相比，氮化镓技术可以实现更快开关的功率器件，具有更高的击穿电压和较低的导通电阻，因而氮化镓成为先进功率电子器件的理想材料。比利时微电子研究中心的硅基氮化镓功率器件技术不采用金属，并且与硅晶圆厂的晶圆处理和污染要求相符合。氮化镓器件结构的关键部分是缓冲层，它需要适应AlGaN/GaN材料体系和硅衬底之间的晶格参数和热膨胀系数的巨大差异。比利时微电子研究中心在缓冲层设计方面取得了突破性进展（正在申请**）：允许在大直径200mm晶圆上生长650VGaN缓冲层。通过将硅衬底的厚度和掺杂相结合，200mm氮化镓衬底的产量不断增加，可以低成本生产氮化镓功率器件，逐渐具有竞争力。此外，研究人员已优化清洗和介电沉积条件，并且将继续研究场板设计（用于实现性能改进的常用技术）。因此

英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会召开

本报讯 日前，英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会正式召开。与会专家为英诺赛科（珠海）科技有限公司主导建设的****条八英寸硅基氮化镓功率器件生产线进行投产前的战略发展规划。中国电子科技集团公司原副总经理赵正平，北京电子商会原常务副会长、中国信息化推进联盟专家顾问李国庆，国家发改委国家战略新兴产业联盟秘书长陈东升等约40人参加了此次会议。与会专家充分肯定了珠海高新区抢先布局第三代半导体这一国家战略性新兴产业，并就宽禁带半导体器件开发、产业化进展以及应用开发等产业技术热点进行了深入交流，形成以下几点结论。首先，氮化镓外延晶圆及功率电子器件属国家支持的战略性新兴产业，符合国家重点扶持的政策方向，为多项先进技术的核心与基础，将广泛应用于智能通信、新能源汽车、IT与消费类电子、家电、智能电网等领域，产业前景广阔，市场空间巨大。其次，英诺赛科掌握第三代半导体材料氮化镓晶圆及功率器件制造的核心技术，抢先布局八英寸硅基氮化镓项目，占据产业链核心位置，解决我国半导体产业的技术瓶颈，带动上下游技术应用产业发展，助力智能制造。*后，相关技术团队在外延生长、器件设计、芯片制备、器件检测和其他相关方向具备多

三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量

三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士日前表示，为了提高三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市场渗透率，公司已经开始投资兴建6英寸晶圆生产线来扩产，再配合**技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品。在刚举行的PCIM亚洲2017展上，Majumdar博士称，三菱电机从2013年开始推出**代碳化硅功率模块，至2015年进入**代产品，并且率先投产4英寸晶圆生产线。由于碳化硅需求量急速增长，三菱电机投资建造6英寸晶圆生产线，配合新技术来缩少芯片尺寸，预计在2018年推出第三代碳化硅功率器件。三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士称自从在1996年推出DIPIPMTM后，累计出货量已超过5亿颗，右为三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生，左为三菱电机半导体大中国区市场总监钱宇峰先生。三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士称自从在1996年推出DIPIPMTM后，累计出货量已超过5亿颗，右为三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生，左为三菱电机半导体大中

功率及化合物半导体论坛：聚焦宽禁带功率器件

2017谁将成为功率器件市场亮点？

通信、汽车驱动市场增长，国有品牌竞争力提升 市场规模继续扩大，增速较2015年有所回升2016年，中国电子信息制造业生产总体平稳，增速有所加快，受此影响，中国功率器件市场规模持续扩大，市场规模预计达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。通信、汽车成为2016年市场增长亮点从下游应用产品的需求来看，通信和汽车领域是推动功率器件市场增长的主要驱动力。从通信主要产品产量来看，1-10月，我国生产手机17亿部，同比增长19.9%，其中智能手机12亿部，增长13.8%。生产移动通信基站设备28884万信道，同比增长21.5%。从汽车产量来看，1-10月我国汽车产量达到2201.6万辆，比上年同期增长13.8%，其**率器件应用更大的新能源汽车产量达到35.5万辆，比上年同期增长了77.9%。从消费电子角度来看，尽管家用视听行业生产增速回升，1－10月，我国生产彩色电视机13985万台，同比增长8.6%，但白家电依然增长疲软，且2016年平衡车产量较2015年有较大幅度的下降。对相关功率器件带动作用有限。从计算机应用来看，我国计算机产量继续下降。1－10月，生产微型计算机

Littelfuse 增加对 Monolith Semiconductor的投资

集微网消息，中国，北京，2017年3月9日讯 - Littelfuse, Inc.（NASDAQ:LFUS）于今天宣布其向 Monolith Semiconductor 公司增加 1500 万美元的投资。Monolith Semiconductor 公司位于德克萨斯州，是一家开发碳化硅技术的初创公司。碳化硅是一种快速兴起的半导体材料，与常规硅相比，它使功率器件能够在更高的开关频率下工作。它可以显著的提高逆变器和电机驱动器的运行效能并降低系统成本。 Littelfuse **副总裁兼半导体产品总经理和**执行官 Ian Highley 表示：“我们很高兴与 Monolith 经验丰富的碳化硅和功率半导体专家团队一道拓展我们的合作化伙伴关系。随着更高效、更强大的功率电子器件的需求不断增加，我们为这种颠覆性的技术所提供的机会而感到兴奋”。Monolith Semiconductor **执行官 Sujit Banerjee 博士说：“在我们离我们的技术的商业化越来越近的路上，Littelfuse 一直是我们伟大的合作伙伴。我们正在与 Littelfuse 密切合作，定位我们的组合产品系列来为

中国的功率器件制造产业尚处于早期阶段，前景广阔

原文标题：中国功率集成电路制造产业前景广阔 BEN LEE 应用材料公司技术市场和产品策略总监功率集成电路器件的产地正发生着重大改变。过去10年来，中国、欧洲和东南亚地区的功率器件制造业取得迅猛发展，而北美地区则逐渐走下坡路。在市场机遇方面，随着电池供电与互联消费产品及电动车的涌现，功率器件需求预计将更加强劲。如下方图片所示，中国的智能手机需求增长与功率集成电路消费趋势相符。未来，中国有望成为半导体器件包括功率器件主要的设计与制造来源。目前，中国的功率器件制造产业尚处于早期阶段。在初始阶段，中国制造的主要是简单的二极管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加复杂精细的功率器件，预计还要等到晚些时候。待产业发展至后期阶段，可能还会出现宽能隙器件。事实上，中国目前已经在碳化硅衬底业务领域扮演起了重要的角色。在中国，功率集成电路制造产业的发展离不开200mm晶圆厂的遍地开花。目前，大部分智能手机设备内容与分立元件/功率、MEMS、和模拟芯片都使用200mm设备制造，因此，预计200mm晶圆厂的产能还将持续提升。过去几年间，随着行业对200mm设备的需求急剧增加，应用材料公司的设备销售额也

华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆

华虹半导体有限公司今天宣布，公司功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中，得益于市场对超级结MOSFET(“金氧半场效晶体管”)和IGBT(“绝缘栅双极型晶体管”)的强劲需求，华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super JunctionMOSFET(“SJNFET”)以及场截止型IGBT累计出货量分别超过了200,000片和30,000片晶圆，并保持快速增长趋势。功率半导体器件在移动通讯、消费电子、开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车、智能电网等领域发挥着越来越重要的作用，是降低功耗、提高效率的关键核心器件。华虹半导体拥有十五年的功率器件稳定量产经验，是全球**、同时亦是*大的功率器件200mm晶圆代工厂。凭籍持续的研发和**，公司以**竞争力的功率半导体技术，为客户提供从低压到高压的完整解决方案，同时不断向更**、更广阔应用的高密度大功率器件方向深耕，延续其“全球功率器件***”的战略布局。目前，公司已推出第三代SJNFET工艺平台，技术参数达业界**水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。公司的场截止型IGBT技术参

Yole：2020年GaN功率器件市场规模将达到6亿美元

现在，关于GaN（氮化镓）功率半导体的报道随处可见。对使用GaN的功率器件而言，市场牵引力至关重要。从（2020年将支配市场的）电源和PFC（功率因数校正）领域，到UPS（不间断电源）和马达驱动，很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。市场调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)认为，除了这些应用，2020年以后纯电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）也将开始采用这些新材料和新器件。虽然GaN功率器件比现在的硅（Si）产品贵，但从系统层面来说，有可能获得更大的成本削减效果。今后5年将是在系统中使用GaN功率器件显现成本削减效果的关键期。Yole于2014年6月出版了详细介绍这一演变的报告。2020年GaN器件市场规模可能达到6亿美元市场规模方面，2020年GaN器件市场整体规模有可能达到约6亿美元。届时，一块6英寸晶圆可加工出大约58万个GaN。按照EV和HEV从2018年或2019年开始采用GaN的设想来看，GaN器件的数量将从2016年开始显著增加，一直到2020年都将以80％的年均增长率（CAGR）增长。从*近的报道来看，GaN行业正随

2016工业半导体领域的收购大事件

工业4.0是由德国政府《德国2020高技术战略》中所提出的十大未来项目之一。简单点说就是“互联网+制造”，美国叫“工业互联网”，我国叫“中国制造2025”，这三者本质内容是一致的，都指向一个核心，就是智能制造。 在面对如今大火的工业4.0，各大工业半导体厂商也是动作频频。根据之前的一份市场研究机构IHS的报告，2015年工业半导体销售额达419亿美元，较2014年微幅成长约1%，优于同期全球半导体市场衰退2%的表现。然而从2015年工业半导体厂商排名来看，个别厂商发生了一些变化��德州仪器(TI)以超过35亿美元的营收稳居龙头宝座，其余二至十名业者，除意法半导体(ST)营收下滑外，皆呈现成长态势。值得一提的是，恩智浦(NXP)在购并飞思卡尔(Freescale)后，工业半导体营收排名，由原本第十六名跃进至第七名。如今半导体收购愈演愈烈，今天的排行将会发生怎样的变化呢？小编就从今年工业半导体前十大企业收购动作入手，看巨头们为了发展与名次都做了哪些“买买买”的动作。收购动作(1)英飞凌今年7月份，英飞凌又以8.5亿美元的现金价格收购了美国LED大厂科锐公司(Cree)旗下的Wolfspeed

受惠电动汽车增长 2020年GaN功率器件市场规模将达6亿美元　

台媒：迎向突破的大陆半导体分立器件

半导体分立器件是半导体业的重要分支，市场规模仅次于集成电路，而半导体分立器件主要可分为功率分立器件、光电子器件、传感器等。由于下游应用市场的需求变动对半导体分立器件行业的发展具有较大的牵引及驱动作用，因此国家经济刺激政策的实施以及新能源、新技术的应用则成为半导体分立器件市场规模拓展的关键因素。 近年来大陆官方密集推出产业政策来推动半导体产业，其**率半导体战略意义和成长性，等同于集成电路，甚至高阶器件在制造、市场和**导向上，与集成电路具有很高的共通性。预计2017年大陆半导体分立器件销售额将呈现成长扩大格局，主要是随着节能环保意识以及新技术的发展，新能源汽车、太阳能发电、LED照明等领域逐渐成为功率器件重要的需求市场，特别是大陆新能源汽车市场开启一轮爆发式成长，新能源汽车的普及从而带动充电站（桩）的需求，且市场上SiC功率半导体已在新能源汽车、充电桩等电源管理器中得到广泛应用，更何况电动汽车中汽车电子占比的提升，此皆成为本产业重要需求的推动力。而面对良好的市场发展前景和巨大的进口替代市场，对于大陆厂商来说，在大陆本土厂商已于彩电、主机壳电源、光源大功率电晶体等个别产品领域的竞争实力有

印制电路板可靠性设计的5个方法

目前电子器材用于各类电子设备和系统仍然以印制电路板为主要装配方式。实践证明，即使电路原理图设计正确，印制电路板设计不当，也会对电子设备的可靠性产生不利影响。例如，如果印制板两条细平行线靠得很近，则会形成信号波形的延迟，在传输线的终端形成反射噪声。因此，在设计印制电路板的时候，应注意采用正确的方法。一、地线设计在电子设备中，接地是控制干扰的重要方法如能将接地和屏蔽正确结合起来使用，可解决大部分干扰问题。电子设备中地线结构大致有系统地、机壳地（屏蔽地）、数字地（逻辑地）和模拟地等。在地线设计中应注意以下几点：1.正确选择单点接地与多点接地在低频电路中，信号的工作频率小于1MHz，它的布线和器件间的电感影响较小，而接地电路形成的环流对干扰影响较大，因而应采用一点接地。当信号工作频率大于10MHz时，地线阻抗变得很大，此时应尽量降低地线阻抗，应采用就近多点接地。当工作频率在1～10MHz时，如果采用一点接地，其地线长度不应超过波长的1/20，否则应采用多点接地法。2.将数字电路与模拟电路分开。电路板上既有高速逻辑电路，又有线性电路，应使它们尽量分开，而两者的地线不要相混，分别与电源端地线相连。

华虹宏力技术论坛**登陆美国圆满落幕

华虹半导体Super Junction工艺平台累计出货量突破10万片

集微网讯，全球**的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK）今日宣布，其先进的Super Junction（超级结结构）MOSFET（「SJNFET」）工艺平台累计出货量**突破10万片，得益于市场对超级结MOSFET的强劲需求。该平台自2011年量产以来，通过与客户在设计优化、系统解决方案及市场渗透等方面的携手努力，出货量逐年递增。 绿色发展是中国政府「十三五」规划*具特色的发展理念之一，将成为推动经济持续增长的新动力。高效节能绿色产品的普及将促进绿色能源技术更广泛的应用。作为开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件，功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。华虹半导体拥有独特的、富有竞争力的的沟槽型SJNFET工艺平台，可以支持500V至900V不同电压等级的产品生产。其中先进的**代SJNFET技术已实现量产，器件性能达到业界**水平。具有更低导通电阻和更小芯片面积的**代优化版SJNFET工艺平台研发成功，现已面向客户开放。超级结结构打破了传统MOSFET器件导通

中国人要花6.7亿欧元收购AIXTRON，LED或不是主要目标

MOCVD对于中国LED产业来说，一直是一个挥之不去的痛。对于MOCVD两大巨头之一的AIXTRON(爱思强)，中国企业的收购想法从未停止。显然，除了因为AIXTRON是LED核心设备MOCVD的全球主要提供商之一，其更多的半导体设备的业务，对于中国LED芯片企业来说，也吻合未来第三代半导体市场的拓展需求。9月16日，在法兰克福注册的Grand Chip Investment GmbH公司正式宣布以公开要约方式收购Aixtron(NASDAQ：AIXG)的全部美国存托股票。此前，今年5月，就已经有外媒报道AIXTRON可能被收购的事件。此次收购价格为每股6欧元。比Aixtron上周五收盘时的每股4.86欧元高出近24%。相比爱思强过去3个月加权平均股价，上述报价代表着51%的溢价。收购要约截止日期是2016年10月7日24点(德国法兰克福时间)，同时，根据德国当地证券法规保留延长时限的可能。截止9月16日休市，AIXTRON的注册股为1.13亿股。截止基准日，收购要约已经接受的股份为789.03万股，占全部股份的7%。本次可接受要约收购股份至少是60%的比例。MOCVD业务竞争力下滑A

东芝后产业调整时代 中国市场发展策略前瞻

在近日举办的媒体活动上，东芝公司重点介绍了其存储、汽车、功率器件以及系统LSI四大业务部门的重点产品及市场进展。这是东芝公司去年启动产业调整计划，包括将出售Healthcare和白色家电部门以来，对中国市场开展的一次重要发布活动。从此可以看出，未来一段时间东芝公司在中国市场的发展策略。 智能汽车：**互联做组合智能汽车概念的兴起，为芯片厂商提供了新的发展方向，而这是东芝未来重点发展的市场之一。在本次媒体见面会上，东芝电子（中国）有限公司工业及汽车行业市场部副总监谭弘向记者介绍了多款与智能汽车相关的主要产品。谭弘表示，当今汽车行业三大趋势为无人驾驶、车联网和新能源车：所有人都希望汽车的行驶更智能、更**，这一技术发展的**目标是无人驾驶，而无人驾驶的基础则是**辅助驾驶（ADAS）;在车联网方面，更好的连接，不仅需要更好地和外部连接，也要更好地实现汽车内部的连接;新能源汽车是今后的发展趋势，人们需要更加好地利用能源。这三大推动力都与半导体行业密切相关。对于东芝公司来说，能够提供丰富的智能汽车产品组合，覆盖不同的汽车应用领域。比如东芝的Visconti系列芯片，目前**代产品Viscont

自主研发制造MOCVD已超世界同类产品

中微半导体设备（上海）有限公司由一批**留学生在上海市政府的推动下，于2004年回国创立。目前公司有400多名员工，其中约1/4来自海外。中微公司已经开发了三大类产品：用于纳米级芯片生产的介质刻蚀设备（D-RIE）、用于三维芯片等多种产品生产的硅通孔刻蚀设备（TSV）和用于半导体照明芯片生产的金属有机化合物气相沉积设备（MOCVD）。中微公司是以中国为基地、面向亚洲和全球的微观加工**设备公司，通过向全球**的半导体和LED芯片制造商提供具有自主知识产权和******的**设备和相关工艺技术，提供周到、及时、高效的客户服务，帮助他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。中微的等离子刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从45纳米到1X纳米工艺的芯片加工制造；硅通孔刻蚀设备已被国内所有的先进封装企业选用，国内市场占有率超过50%，并已开始进入国际市场；用于大批量LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备，各项指标都达到或超过了目前世界上*重要的同类产品，已在国内*重要的十多条客户生产线上稳定地运行。2015年中微公司业绩有较大提升，实现收入8374万美元，增长21.6%，毛利3074万美

是德科技推出新型分析仪，主攻先进器件表征和低功率器件评估

新闻要点：· 14位 或 16 位动态范围，支持检测高达 200 MHz 的低电流波形· 使研究人员能够测量从 10 A 至 100 pA 级的动态电流· 使器件工程师可以定量评估低功率器件的功耗2016 年 3 月 31 日，北京——是德科技公司（NYSE：KEYS）今日推出支持低至 100-pA 级动态电流测量的分析仪。这款分析仪具有*高 200 MHz 的带宽、1 GSa/s 的采样率和 14 或 16 位宽动态范围。Keysight CX3300 系列电流波形分析仪 是一款新仪器，特别适合在先进器件表征过程中进行高速瞬变电流测量的研究人员、以及致力于降低低功率器件功率/电流消耗的工程师使用。表征先进器件和评估低功率器件极富挑战性，这需要工程师测量高速电流（超过 1 MHz）和低电平动态电流（低于 1 μA）。然而，现有的此类测量技术因受多种因素的困扰（如噪声偏大、压降、动态范围有限、带宽等），常使低电平动态电流难以发现和无法测量。是德科技的新型 CX3300 分析仪可以同时测量宽带和低电平电流波形，从而克服了这些限制。通过提供 14 位或 16 位宽的动态测量范围，仅用这一台仪

小迪看新闻|房产新政又出台 LED看似高新实则苦X？

高工LED 在假期里总是觉得时间过得很快，今天已经正月十四，相信所有人都已经开工了吧。小迪在此祝各位开工大吉，新年龙马精神！明天元宵佳节，也一并祝福了吧。开工**周，小迪跟随领导拜访了好几家LED企业，大家对2016年虽不乏信心，但也都很坦然的接受了日子会更不好过的预期。小迪倒是觉得，这是行业从暴发户走向成熟的必经阶段，我们领导说，“剩”者为王，再合适不过。对了，悄悄问一句，你们开工拿了多少红包呀？投个票让小迪开开眼呗1、十个以上，金额加起来超千元2、5-10个，金额超5003、5个以内，金额嘛，只是意思意思4、几乎没有1、第三代半导体材料魔力何在？竟让美国为此否决中资收购Lumileds (微信 2月17日**条。)还没弄清楚**代和**代半导体材料，第三代半导体就出来了。以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。其中，碳化硅和氮化镓又被成为第三代半导体材料双雄。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器

2016年6大LED封装技术能否掀起风云

[导读]还记得吗?2015年的这个时候开始，CSP技术渐渐成为一大热门话题。那么，2016年什么技术将独领风骚呢?2015年LED产品价格不断下降， 技术**成为提升产品性能、降低成本和优化供应链的一大利器。在终端价格压力下，市场还记得吗?2015年的这个时候开始，CSP技术渐渐成为一大热门话题。那么，2016年什么技术将独领风骚呢?2015年LED产品价格不断下降， 技术**成为提升产品性能、降低成本和优化供应链的一大利器。在终端价格压力下，市场倒逼LED企业技术升级，也进一步推动了新技术的应用和普及速度。技术**始终是企业增加产品价值的重要砝码。一方面，CSP芯片级封装、倒装LED、去电源化模组技术逐渐成熟并实现规模化量产，受到行业的广泛关注，下一步重点是提高性价比;另一方面，EMC、COB及高压LED的市场持续爆发，未来的增长空间将聚焦于细分市场。1、CSP芯片级封装关注指数：★★★★★提及2015年*热门的LED技术，非CSP莫属。CSP因承载着业界对封装小型化的要求和性价比提升的期望而备受关注。目前，CSP正逐渐被应用于手机闪光灯、显示器背光等领域。值得一提的是，2015年C

六大LED封装技术谁将独占鳌头？

还记得吗？2015年的这个时候开始，CSP技术渐渐成为一大热门话题。那么，2016年什么技术将独领风骚呢？2015年LED产品价格不断下降， 技术**成为提升产品性能、降低成本和优化供应链的一大利器。在终端价格压力下，市场倒逼LED企业技术升级，也进一步推动了新技术的应用和普及速度。技术**始终是企业增加产品价值的重要砝码。一方面，CSP芯片级封装、倒装LED、去电源化模组技术逐渐成熟并实现规模化量产，受到行业的广泛关注，下一步重点是提高性价比；另一方面，EMC、COB及高压LED的市场持续爆发，未来的增长空间将聚焦于细分市场。CSP芯片级封装关注指数：★★★★★提及2015年*热门的LED技术，非CSP莫属。CSP因承载着业界对封装小型化的要求和性价比提升的期望而备受关注。目前，CSP正逐渐被应用于手机闪光灯、显示器背光等领域。值得一提的是，2015年CSP成为直下式电视背光设计重要的器件。随着电视机从2K到4K，清晰度越高，对光源光通量要求就越高，传统**率器件亮度已不能很好地满足其要求。而无封装芯片由于能减少发光面积、提高光密度，使光效更高，极大地优化系统结构，在背光领域的渗透率

是德科技推新分析仪，主攻先进器件表征和低功率器件评估

集微网消息，2016 年 3 月 31 日，北京——是德科技公司（NYSE：KEYS）今日推出支持低至 100-pA 级动态电流测量的分析仪。这款分析仪具有*高 200 MHz 的带宽、1 GSa/s 的采样率和 14 或 16 位宽动态范围。Keysight CX3300 系列电流波形分析仪 是一款新仪器，特别适合在先进器件表征过程中进行高速瞬变电流测量的研究人员、以及致力于降低低功率器件功率/电流消耗的工程师使用。表征先进器件和评估低功率器件极富挑战性，这需要工程师测量高速电流（超过 1 MHz）和低电平动态电流（低于 1 μA）。然而，现有的此类测量技术因受多种因素的困扰（如噪声偏大、压降、动态范围有限、带宽等），常使低电平动态电流难以发现和无法测量。是德科技的新型 CX3300 分析仪可以同时测量宽带和低电平电流波形，从而克服了这些限制。通过提供 14 位或 16 位宽的动态测量范围，仅用这一台仪器便能满足多台仪器的测量要求。它采用 WXGA 14.1 英寸多点触控显示屏，使用图形用户界面，再加上先进的测量和分析软件，能够轻松、高效地完成此前难以实现的低电流波形测量和分析任务。

从恩智浦分拆出来的瑞能半导体专注功率器件组合

南昌将打造成**的LED光谷 打造硅基LED完整产业体系

“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获国家技术发明一等奖，标志着江西省科技发展实现了历史性跨越。1月8日，笔者获悉，为推进江西省拥有自主知识产权的硅基LED原创技术优势加快转化为产业优势，实现由技术制高点迈向市场制高点，使之成为“十三五”时期江西省工业经济发展的新增长极，省政府特制定了《打造南昌光谷、建设江西LED产业基地实施方案》。 南昌将打造成**的LED光谷当前，我国LED产业呈高速增长态势，产业总体规模持续壮大。江西省是**五大LED主产区之一，拥有硅基LED原创技术优势和全产业链生产能力，并培育出了一批骨干企业和**产品。江西省提出，要依托硅基LED原创技术**优势及市场竞争的制高点，抓住LED产业加快成长的重要机遇，坚持硅基和蓝宝石技术“双轮驱动，硅基优先”战略，以打造南昌光谷、建设江西LED产业基地为目标，推动LED产业迅速做大做强。江西省将聚焦关键技术、重点地区和重点应用，把南昌打造成**的LED光谷，把江西建设成为****、具有国际核心竞争力的LED全产业链研发、制造和应用基地，形成和强化产业规模优势、产业体系优势、产业技术优势。到2020年，江西省LED产业主

瑞能半导体专注完整的功率器件组合

目标双位数增长 瑞能半导体在沪开业

澳洋顺昌拟15亿元投入集成电路芯片项目

澳洋顺昌(6.33 -6.50%,买入)1月28日晚间公告称，公司拟与香港芯能科技有限公司在江苏省淮安市合资发起设立“江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司”作为项目实施主体，在淮安市清河新区实施集成电路芯片项目，投资建设一条8英寸集成电路芯片生产线，投资总额为15亿元人民币，主要研发制造以硅基材料生产IGBT和SuperjunCtion等，同时研发量产碳化硅材料的宽禁带半导体器件。 公告称，公司切入IGBT相关集成电路功率器件核心领域，有利于将该领域与民营企业效率对接，凭借公司**的生产管理能力，从而提升该领域的产业竞争力与产品竞争力，抢占市场份额，推进IGBT等集成电路关键器件的国产化。公司表示，本次集成电路芯片项目是公司原有LED产业的有效延伸，是半导体行业，有相关的共性。新项目生产线与原有LED芯片生产线具有高协同性。生产设备、厂房、能源方面能够实现共通，部分生产环节能够实现有效共享。前期积累的LED工艺及生产经验对于项目建设能够形成良好协助，促进此次项目加快建成投产。该项目建成达产后，预计可以实现年销售收入20亿元，公司的半导体营收规模将在目前基础上获得迅速提升，形成公司新的利润增

嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

固态超高频碳化硅感应加热电源

■我有技术所属领域：新能源与节能单位名称：保定四方三伊电气有限公司成果简介：相比目前固态感应加热电源使用的硅MOSFET，碳化硅功率器件具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优点，且门极驱动功率小，在高温、高频和大功率场合应用有明显优势；碳化硅功率器件在电力电子产品中的应用已成为当今的研究热点，其优良的特性使固态感应加热电源的工作频率得到大幅度提升。研发频率高于1MHz的固态超高频碳化硅感应加热电源，使固态感应加热电源的工作频率范围大幅度提高，可满足半导体区熔加热、精密金属器件热处理等**领域的应用，且能耗更小，效率更高，基本实现零污染排放。成果**性：采用碳化硅MOSFET器件实现超高频碳化硅MOSFET逆变功率单元，每个单元功率为50KW，多个功率单元可并联组成大功率设备；固态碳化硅超高频设备工作频率在1MHz以上，大功率输出，可满足精密热处理行业使用要求；固态碳化硅超高频设备采用智能数字化逆变控制技术，使用先进的DSP+FPGA处理器架构，满足对超高频设备的控制要求；依托该科技成果申请实用新型**一项，**名称：一种高频逆变功率单元；申请发明**一项，**名称：一种高频逆变功率单元和

怎样利用实用的方法构建C类功率放大器

上海先进与西安龙腾新能源签署功率器件框架合作协议

上海先进与西安龙腾新能源日前签署功率器件框架合作协议。按照协议，双方发挥各自优势，在功率器件研制生产领域进行广泛深入的长期战略合作，为中国制造转化为中国创造做出贡献。上海先进负责**工作的周卫平副总裁、西安龙腾徐西昌董事长代表双方企业签署功率器件框架合作协议。 上海先进董事长陈建明、董事朱健和副总裁周卫平率团，对位于西安出口加工区的西安龙腾新能源科技发展有限公司进行了实地考察，参观了西安龙腾科研中心、装配车间、实验室，陈建明董事长与西安龙腾徐西昌董事长认真探讨了合作事宜。经过双方友好协商，在西安龙腾新能源双方签署了“功率器件框架合作协议”。西安龙腾新能源科技发展有限公司成立于 2009 年，是一家以世界先进功率半导体技术为基础，拥有自主知识产权，紧密结合国内市场的高新技术企业。公司总部坐落于西安出口加工区，由一批在半导体、电力电子、新能源等相关行业的**从业人员创立。公司研发工程技术力量雄厚，拥有一支经验丰富的专业化技术团队。公司将技术**视为企业发展的核心竞争力，建有国内**水准的研发中心及试验室。公司在功率半导体器件及电源应用领域已申请 45 项**。公司专注于超结 MOSFET

千亿产值江西LED产业基地方案落地 木林森、鸿利等相继入驻

政府主推LED产业发展又现大手笔。近日，江西省人民政府印发了《关于打造南昌光谷、建设江西LED产业基地的实施方案》，以打造南昌光谷、建设江西LED产业基地为目标，加强技术协同**，科学规划产业布局，促进产业集聚发展，推动LED产业迅速做大做强。从江西人民政府印发的方案来看，南昌光谷是建设LED产业集群的核心区，**建设LED产业完整链条及相适应的配套体系，建立产业链上中下游和配套设备、配套材料的紧密协作关系，形成整体优势。南昌光谷核心区将重点建设LED技术研发中心、检验检测和认证中心、人才培养中心、交易应用中心。四大中心的建设紧紧围绕LED全产业体系进行，硅基技术贯穿始终。芯片主要是实行硅基、蓝宝石技术同步推进，提升硅基LED外延芯片产能，加快蓝宝石衬底LED芯片制造项目建设。封装则是围绕“一大(大功率器件)一小(中小功率器件)”，实现**照明灯珠与普通照明灯珠全覆盖，突出硅基LED芯片大功率方向光的技术优势。“到2020年，LED产业中游封装实现主营业务收入力争超过200亿元。在下游应用方面，则是推动面向各领域的LED照明应用产品发展，**开发汽车大灯、探照灯、手机闪光灯、全彩显示屏

中航微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件

中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A，这是国内**8英寸GaN功率器件产品，成功实现了600 V耐压及10 A输出电流，可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中，针对当下数码电子设备、家用电器、电动汽车、太阳能发电等电源管理应用市场，提供了更紧凑、更高效的解决方案。相比于传统半导体材料，GaN作为第三代半导体材料，具有宽带隙、直接带隙、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点，在制作高温、大功率、高频和抗辐照电子器件方面具有得天独厚的优势。而硅基氮化镓具有明显的成本优势，可以通过硅晶片直径的增加，来实现低成本生产。因此，硅衬底上GaN的功率器件被认为是*具市场竞争力的发展方向。图1 基于8英寸硅基氮化镓晶片的功率电子器件中航(重庆)微电子有限公司从2013年开始硅基氮化镓功率器件的研究，在国际**的8英寸化合物半导体工艺生产线上, 成功研制出具有良好开关特性与低寄生效应的8英寸GaN MISHEMT功率器件

Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台

SiC市场***Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且**于 900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的**空间，方便实现尺寸更小、速���更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。图 基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J世强代理的C3M0065090J，是该平台的主导产品，其额定工作电压/电流分别为900V/32A;在25°C条件下，可以实现*低至65 mΩ的额定导通电阻，在更高温度(Tj=150°C)工作时，导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ，减少了系统的冷却需求。另外，该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装，

是德科技率先发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征解决方案

是德科技公司日前宣布旗下 B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪发布重要增强，成为业界**支持晶圆上和封装器件所有关键参数表征的解决方案，能够提升当代半导体功率器件开发效率。高效可靠的半导体功率器件是迅速发展的功率电子行业的基础，而高效开发器件需要深入表征栅极电荷(Qg)、器件电容(Ciss、Coss 和 Crss)与栅极电阻(Rg)等全新和传统器件特征，以及晶圆上和封装器件特征。低温或高温等实际工作条件下的器件表征同样重要。工程师需要一款满足上述所有功能需求的解决方案。增强版 B1505A 可以提供工程师需要的全部晶圆上和封装器件表征功能：自动热测试功能结合热管理设备能够覆盖 -50 ℃ 至 +250 ℃ 的工作温度范围，新的测量功能支持自动高压偏置器件电容和栅极电阻测量。并且，工程师可以借助应用低压和高压设置的新方法测量栅极电荷曲线，从而**表征 IGBT 模块等超高功率器件。全新增强 B1505A 配有灵活的可升级硬件体系结构，能够满足器件或工艺工程师几乎所有的需求。例如， B1505A 体系结构支持多达 5 个高压电源监测单元的配置，可以满足强化 (加强的)可靠性测试要求。B

LED封装：技术出新 整合加快

中国电子科技集团公司第十三研究所和永红近年来，国内LED封装行业已逐渐成为世界LED封装器件的制造中心，国内LED封装企业的产能扩充较快。2014年，我国LED封装环节发展平稳，产值达536亿元，较2013年增长了27%。在产品规格上，2835、3030、5630等0.2~1W的**率器件成为市场应用主流。另外，LED厂商除了单颗光源LED外，也陆续推出COB产品，以满足各种照明市场的需求。中国市场增长较快2014年LED下游应用市场需求旺盛，特别是LED照明井喷式发展，带动了LED封装市场迅猛发展，但是由于产品价格下降过快，导致企业普遍增产不增收，但整体规模还是有27%的较高增长。2014年开始，国内LED封装厂商大量使用国产化芯片，国内LED应用企业也乐于接受高性价比的国内器件，大大降低封装企业的成本。在供销两旺的形势下，封装企业为避免出现芯片短缺情况，纷纷与芯片企业签订供需协议以保证充足、稳定的货源，同时获得较高性价比的芯片。2014年大部分已上市的LED封装大厂获得佳绩，上榜LED封装企业呈两极分化现象。LED照明市场竞争加大导致封装企业产品毛利率有所下降。开发新工艺提高利润成

半导体芯片商华隆微电新三板挂牌上市

9月28日消息，**中小企业股份转让系统公告显示，华隆微电的挂牌申请获得批准，并于今日公开转让，股票代码为：833642。 新三板研究院资料显示，华隆微电本次挂牌上市的主办券商为金元证券股份有限公司，法律顾问为北京大成(上海)律师事务所，财务审计为瑞华会计师事务所(特殊普通合伙)，资产评估机构为万隆(上海)资产评估有限公司。华隆微电(南通华隆微电子股份有限公司)成立于2003年3月22日，主营业务是半导体芯片的封装与测试。华隆微电主要生产经营的产品有三类：**类是传统功率器件及新型节能功率器件的封装测试；**类是霍尔驱动集成电路的封装测试；第三类是 LED 驱动电路和功率器件的组合器件的封装测试。产品主要应用于计算机及外围设备、通讯设备、照明、汽车电子、电控玩具、家用电器及其它消费电子电器等多个领域。

东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

2014年6月5日，日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”（PCIM Asia2014）。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其*新的、应用在电力领域的技术和产品。在4号展厅的614展位上，东芝电子将展出其IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）**产品、Stack（压接装置）产品、SiC（混合型IEGT）产品、IPD + MCU（电机驱动方案）、MOSFETs以及Coupler（光耦）。展示产品简介：IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”（IE：Injection Enhanced）技术，用于高电压大电流级别的IGBT使其性能得到大幅提升。随后，针对100kW到MW级别的超大功率电力转换设备的应用，开发出东芝**产品IEGT。IEGT通过采取“注入增强结构”实现了低通态电压，使大功率电力电子器件取得

基于svpwm变频调速的双电机控制算法应用

LED封装业，如何增收又增利

本报记者 赵晨在下游照明应用市场的带动下，从去年开始，国内LED封装企业产能利用率不断提升，营收稳步增长，但是器件价格的持续下跌却让封装企业陷入了“增收不增利”的泥潭。如今，这一形势悄然发生逆转。市场增长难抵价格下降2013年以来，LED封装市场受到下游终端照明应用市场需求的带动而利好不断。中国光学光电子行业协会光电器件分会理事长杨克武告诉《中国电子报》记者，在此背景下，国内LED封装企业订单饱满，产品产量增加，销售额同步增长，大多数**封装企业产能利用率接近或超过历史*好水平，整体营收也出现不断向好的局面。但是，由于受到近年来器件价格持续下降的影响，大部分国内封装厂产品的毛利率一直处于下跌状态。“随着下游照明市场的开启，我国LED封装厂商迅速崛起。2013年，国内LED封装产业规模达到420亿元，较2012年增长30%以上。”中国电子科技集团公司第十三研究所副所长陈才佳在接受记者采访时表示，“一方面，在封装市场形势向好的情况下，不仅前两年的过剩产能得到了消化，从2012年五到六成的产能利用率提升到九成以上，而且鸿利光电、瑞丰光电、厦门信达、聚飞光电等主流企业相继表示将扩充产能。另一方

IGBT产业链：当心三大风险挑战

周学军：全新Lumileds应对百花齐放的LED

今年6月30日，荷兰**飞利浦(Royal Philips)公司公布了其新一轮的整合分拆计划，拟将照明集团旗下 Lumileds和汽车照明事业部门合并后，成为由飞利浦参股的全新独立运营公司。事实上，这并不是飞利浦CEOFrans van Houten自2011年上任之后宣布的**分拆计划。2011年，刚刚被任命为飞利浦CEO的Frans vanHouten就做出了他的**项改革，放弃旗下电视、音频产品业务，将其出售给了日本的 Funai Electric。如今的分拆看似在重复当年的剧本，其实不然。从201 3 年R o y a lPhilips发布的财报来看，这家123岁的大型跨国公司并没有呈现老态，照明部门为其贡献84.13亿欧元，税前利润6.95亿欧元，增幅8.3%，其中PhilipsLumileds的销售额占整个照明部门的5% (综合分析应不包括其售于Philips内部其他事业部门的销售额)。完善产品线与欧司朗汽车照明的定位不同，飞利浦的汽车照明目前主要专注于车外用灯。2013财年Lumileds和汽车照明两个事业部销售额合计已经达到17亿美元，2014财年销售额有望突破20亿美

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBI结构，N+缓冲层浓度及厚度存在**值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。关键词：Silvaco；PT-IGBT；N+缓冲层；通态压降；仿真IGBT因为拥有输入阻抗高、损耗低、开关速度快、通态压降低、通态电流大等优势而成为现今功率器件发展的主流产品。我国市场对IGBT的需求庞大，但国内还不能大规模生产自主设计的IGBT，大部分仍依靠进口，这是我国电力电子技术发展中面临的重大瓶颈之一，IGBT的研发设计工作对我国各项事业的发展有十分重大的战略意义。与NPT-IGBT(非穿通型IGBT)相比，PT-IGBT(穿通型IGBT)因具有更好的开关速度及更小的功率损耗而被广泛应用。PT-IGBT中N馁冲层的结构参数对其特性的影响至关重要，因此要对其进行优化设计。在进行N+缓冲层设计中，原则上是在保证正向转折电压的前提下

新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析

电子设备热仿真及优化技术研究

碳化硅量产新一代功率器件产业化加速

在电能的产生、输送和分配过程中，电力传送效率和使用效率至关重要。当前，电力传输功率器件主要是基于硅材料，由于发展了30年，硅材料的物理性能已经发掘殆尽。碳化硅作为半导体界公认的“一种未来的材料”，具有巨大的发展潜力。日前，泰科天润半导体科技(北京)有限公司实现了碳化硅肖特基二极管功率器件的量产。这对我国电力电子业的长远发展具有深远意义。碳化硅材料带来**性变化碳化硅材料能够抗高温，如果汽车采用碳化硅功率器件，将出现**性变化。碳化硅材料有着广阔的用武之地，小到电脑、家电，大到混合电动车，再大到国家电网、铁路运输、光伏产业等需要节能降耗、提高电力效率的领域都能用到。在汽车的应用上，泰科天润总经理陈彤向《中国电子报》记者介绍：“汽车的整套水冷系统中装置的散热片重达2～4公斤，成本高、体积大、分量重，可控性较差。碳化硅材料能够抗高温，如果汽车中采用碳化硅功率器件，原来几公斤的散热片可以大幅减少甚至直接拿掉，这将是一个**性的变化。”对电压要求极高的工业领域碳化硅也有广泛应用空间。中国半导体行业协会前副理事长赵正平指出：“硅功率器件*高关断电压只能做到6000伏，而目前碳化硅功率器件*高关断电

碳化硅肖特基二极管功率器件量产意义重大

eGaNFET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换器

基于SPWM控制全数字单相变频器的设计及实现

开关电源纹波来源及控制

开关电源输出纹波主要来源于五个方面：输入低频纹波、高频纹波、寄生参数引起的共模纹波噪声、功率器件开关过程中产生的超高频谐振噪声和闭环调节控制引起的纹波噪声1、低频纹波是与输出电路的滤波电容容量相关。电容的容量不可能无限制地增加，导致输出低频纹波的残留。交流纹波经DC/DC变换器衰减后，在开关电源输出端表现为低频噪声，其大小由DC/DC变换器的变比和控制系统的增益决定。电流型控制DC / DC变换器的纹波抑制比电压型稍有提高。但其输出端的低频交流纹波仍较大。若要实现开关电源的低纹波输出，则必须对低频电源纹波采取滤波措施。可采用前级预稳压和增大DC / DC变换器闭环增益来消除。低频纹波抑制的几种常用的方法:a、加大输出低频滤波的电感，电容参数，使低频纹波降低到所需的指标。b、采用前馈控制方法，降低低频纹波分量。2、高频纹波噪声来源于高频功率开关变换电路，在电路中，通过功率器件对输入直流电压进行高频开关变换而后整流滤波再实现稳压输出的，在其输出端含有与开关工作频率相同频率的高频纹波，其对外电路的影响大小主要和开关电源的变换频率、输出滤波器的结构和参数有关，设计中尽量提高功率变换器的工作频率

用于单片机电路设计中切断干扰传播路径的措施

1 元器件的合理布局(1)充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。许多单片机对电源噪声很敏感，要给单片机电源加滤波电路或稳压器，以减小电源噪声对单片机的干扰。比如，可以利用磁珠和电容组成π形滤波电路，当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠。(2)如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离(增加π形滤波电路)。控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离(增加π形滤波电路)。(3)注意晶振PCB设计布线。晶振与单片机引脚尽量靠近，用地线把时钟区隔离起来，晶振外壳接地并固定。此措施可解决许多疑难问题。(4)电路板合理分区，如强、弱信号，数字、模拟信号。尽可能把干扰源(如电机，继电器)与敏感元件(如单片机)远离。(5)用地线把数字区与模拟区隔离，数字地与模拟地要分离，*后在一点接于电源地。A/D、D/A芯片PCB设计布线也以此为原则，厂家分配A/D、D/A芯片引脚排列时已考虑此要求。(6)单片机和大功率器件的地线要单独接地，以减小相互干扰。大功率器件尽可能放在电路板边缘。(7)在单片机I/O口，电源线，电路板连接线等

多款碳化硅肖特基二极管研制成功并实现量产

1月20日消息 记者从泰科天润半导体科技（北京）有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会上了解到，经过两年攻关，目前泰科天润研发的碳化硅肖特基二极管多个产品已经成功量产，产品涵盖600V-3300V等中高压范围。其中，600V/10A，1200V/20A等产品成品率达到******，600V/50A，1200V/50A实现量产突破，1700V/10A，3300V/5A两个产品也已经完成研发过程。这是国内**次进行碳化硅大功率器件的批量生产，在以美欧日为主导的第三代半导体领域中打开了一个关键的突破口，标志着中国首款商业化第三代半导体碳化硅肖特基二极管经泰科天润研制成功并推向市场。 在产品鉴定会上，多位专家组成的鉴定委员会对泰科天润的量产产品G2S06010碳化硅肖特基二极管进行鉴定，在审阅资料、听取汇报、实地考核、实际测试、提出质询的基础上，鉴定委员会对产品的技术方案、工艺方法和研究方法及合理性进行了严格的鉴定。经第三方专业机构可靠性试验检测合格认证，经中国电器工业协会电力电子分会组织的专家鉴定，专家一致认为泰科天润的量产工艺方法、产品性能达到了国际同类产品