LSI 公司发布其*
自适应编码速率：在SSD生命周期内动态地平衡性降低总体LDPC延迟，改善ECC效率;
多级ECC模式：适时地应用更**别的ECC，实现延迟*小化，同时保持*佳闪存性“虽然NAND闪存存储器的价值得以提升，且不断推动闪存存储解决方案的普及率，但必须考虑的是，现今产品制造尺寸的缩小会带来可靠性降低和使用寿命缩短等问题。LSI SHIELD技术
SHIELD技术：演示过程中将根据闪存的各种原始比特差错率(RBER)对三种技术进行比较，用以展示SHIELD技术与现有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代码相比在纠错方面所具备的优势。
DuraWrite™Virtual Capacity(DVC)：是一种独特的SandForce闪存控制器功LSI SandForce SF-2000闪存控制器现已支持东芝**代先进19nm NAND闪存存储器(A19nm)，使SSD制造商“Kingston已可为现有的工作负载信息量较轻的关键客户提供*“我们与LSI公司密切合作，将东芝**代先进19nm(A19nm)NAND产品成功用于固态驱动器，并进行**公开演示。LSI SandForce闪存控制器的设计灵活性便于将我们的A19nm NAND 闪存技术实现有效集成，这无疑使该技术在固态存储市场占据了重要地位。”
IT Brand Pulse是一家独立的市场研究与验证实验室，LSI凭借SSD控制器芯片产品获得了该机构评选的“****”奖。在由IT Brand Pulse开展的近期调查中，LSI SandForce闪存控制器被IT专业人士评选为2013年*具市场、价格、性能、可靠***务与支持以及**优势的SSD控制器芯片产品。
公安机关���案号：
