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响应东芝案台积绝不碰DRAM

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台积电昨（13）日**公开说明内存发展策略，响应法人对东芝案提问。台积电强调，绝不会跨足标准型内存（包括DRAM和NAND Flash），但已具备量产磁阻式随机存取内存（MRAM）及电阻式动态随机存取内存（RRAM）等新型内存技术。

台积电表示，这两项内存都是嵌入式内存，而且台积电也是提供逻辑芯片和嵌入式闪存整合技术*完成的晶圆代工厂。

台积电董事长张忠谋稍早曾表示评估是否入股东芝半导体案，受到法人关注。共同执行长魏哲家强调，台积电**不会进入标准型DRAM市场。

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