力旺电子宣布，其OTP NeoFuse技术成功于16FF+进阶版之16奈米精简型FinFET(16nm FinFET Compact，16FFC)制程完成验证。该公司于16FFC成功布建之NeoFuse技术，将能协助客户快速使产品由16FF+技术转进至进阶的16FFC制程平台。
力旺电子NeoFuse技术拥有优异的元件架构及超低电压操作记忆体元件的特性，在制程演进时，能快速地于新制程完成产品验证与布局。随着16奈米制程由16FF+进阶至16FFC制程平台，力旺电子NeoFuse矽智财规格同步进化，在提供客户更佳的技术规格的同时，亦协助客户得以灵活地于新制程平台进行产品规划。
16FFC制程平台是为可兼顾*佳效能与功耗表现之先进制程平台，特别适合强调省电与成本效益的穿戴式装置与物联网之应用。16FFC制程平台将于2016进入试产阶段，力旺电子**业界在16FFC制程平台开发之NeoFuse矽智财预期将获消费性电子、行动装置应用客户广泛采用，以强化产品效能与成本竞争力。
力旺电子NeoFuse技术已于16FFC平台完成功能验证，并将于今年第三季完成可靠性验证，可提供客户相当于16FF+制程平台上之技术规格。随着16奈米制程快速演进，力旺亦将与合作夥伴紧密合作，携手开发*新制程平台之矽智财，以提供给客户在16奈米制程上，*多元完整的解决方案。
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