联电和嵌入式非挥发性存储器供应商Cypress以40纳米低功耗(LP)的嵌入式电荷撷取(eCT)快闪存储器制程所打造的微控制器(MCU)产品线已正式量产出货，估计年底前内涵eCT非挥发性存储器的MCU出货量，将正式超过700万颗。
联电指出，在40纳米低功耗40LP逻辑制程平台上，与Cypress的快闪存储器技术合作多年，40纳米eCT快闪存储器的尺寸仅为0.053μm2，比*接近的竞争对手尺寸约更小25%，而 eCT快闪存储器应用设计的两个关键特性为8纳秒的随机存取速率，以及和30μsec的字元编程速度，这两项都是汽车电子产品的可靠性要求规范。
Cypress存储器部门**副总经理Sam Geha表示，以目前的进展速度，2016年底前内含eCT非挥发性存储器的MCU出货量将超过700万颗，Cypress提供具业界*小单元尺寸的嵌入式快闪存储器技术， 结合联电的晶圆代工制程，同时实现以*少的光罩增加及保持逻辑元件特性的目标。
Geha也进一步表示，目标是让eCT成为Cypress新一代车用MCU产品Traveo的关键驱动力，同时也可以用在工业、消费性电子的产品解决方案，未来再透过28纳米及更先进制程，确保其MCU产品发展蓝图的竞争性。
联电市场行销处**处长简山杰表示，与Cypress双方合作许多代的技术，40LP制程已是适用于诸多市场领域的成熟量产技术，与较小的尺寸制程相比，其缺陷密度和产量成果都实证，可以大幅降低产品成本，并同时解决低功率和高效能的需求。
联电提供40LP的制程的生产基地包括台湾、新加坡和大陆晶圆厂，多元化的生产基地可以协助客户降低地理位置的管理风险。
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