长江存储CEO杨士宁先生
长江存储CEO杨士宁先生以《发展存储产业的战略思考》为题，分别从市场动力、可能成功的外界条件、必须成功的内在努力和长江存储的计划及进展四个方面做一一讲解。
存储器是具备可以储存图像数据或文字数据、程序等信息，在必要时取出的功能的器件。从半导体存储器技术的分类来看，目前DRAM和NAND闪存的总产值占全球存储器产业的95%。IBS数据预计，未来十年NAND闪存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云计算、物联网及数据中心等领域。
2016年，三星电子在DRAM和NAND闪存的市场份额同时占据**位，集中度越来越高。杨士宁认为存储器市场亟需打破现状，对于长江存储来说，现在是一个“*好”的时间点，有许多美国企业找上门来，希望与长江存储合作为市场带来更多选择。
据统计，在全球存储器市场中，55%的市场需求在中国。国家大基金的成立，使得中国在资金和政策方面对技术和产能积累给予*大支持，同时在人才汇聚、国际合作的机遇和产业生态支持方面，中国正面临一个*好的时期。杨士宁指出，我们在主流IC领域已经没有更好的切入点，存储器是机会。中国IC设计和制造快速崛起，但是在先进IC的制造领域，中国市占率仅为5%～10%，研发投入巨大、快速发展的技术及市场变化、芯片无关税没有成本优势是*大原因。
要想创业成功，找对人、砸对钱和做对事是三个必要条件。首先，要有实干精神，有胸怀有勇气，更要有创业成功的经验，其次把更多投资放在先进技术和有经济效益的领域，在中国大力发展集成电路时期，如何做好自主可控，持续发展非常重要。*后，在国际化的体制下，如何通过市场化的竞争，集结**资源聚集全球人才，通过自主研发与国际合作相结合，抓住每一个并购投资的机遇极为关键。长江存储大规模投资建厂仿佛“阵地战”，每个极为可能的并购机会将成为“运动战”，做好“阵地战”与“运动战”相结合，才更有机会成功。
因而，从企业需求、外部机遇和市场动力来看，3D NAND是长江存储有机会成功突破的技术领域。3D NAND闪存在性能、容量、可靠性、成本等方面有**性的优势，而堆栈层数也是3D NAND闪存一个重要指标。
杨士宁指出，从NAND闪存市场和技术动态来看，全球存储器公司都在3D NAND产品的积极准备中，2018年将会有更多64层3D NAND的产品量产上市，大家都有设备折旧的压力在，长江存储并不担心，只要全力解决技术问题即可。他强调，长江存储的目标是在折旧期内实现盈利。
在产品方面，目前3D NAND面临的技术挑战还有很多，在工艺上会是很大改变，工艺和器件上也会遇到挑战。长江存储不会简单的跟随行业的脚步，将通过跳跃式的发展，目标在2019年实现与世界前沿差半代技术，2020年追赶上**技术，与世界并行。
对于未来是否发展DRAM，杨士宁认为，作为生意来说，DRAM有两个增加的难度存在，一方面是竞争对手手里仍有大量折旧完的产能存在，2D NAND也是如此。另一方面，现阶段DRAM市场的增长需求变得相对缓慢，很难实现经济效益。所以现阶段，长江存储不会做没有经济效益的产能扩充，更会选择机遇寻找并购进一步实现DRAM产能的扩充。
据杨士宁透露，长江存储32层3D NAND产品进展顺利，电气特性等各项指标非常好。2019年工厂将实现产能满载，对我们来说压力巨大。
长江存储32层3D NAND产品展示
长江存储32层3D NAND产品电气特性
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