ARM与台积公司合作7奈米FinFET制程技术

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安谋国际(ARM)与台积公司近期共同宣布一项为期多年的协议,针对7奈米FinFET制程技术进行合作,包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作夥伴关系,推动先进制程技术向前迈进。另外,这项协议延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。

ARM执行副总裁暨产品事业群总经理Pete Hutton表示,既有以ARM为基础的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力,支援特定资料中心的工作负载,未来该公司特别为资料中心与网路架构量身设计,并针对台积公司7奈米FinFET进行优化的技术,将协助双方客户在各种不同效能产品上皆能使用业界较低功耗的架构。

此项*新协议奠基于该公司与台积电先前在16奈米FinFET与10奈米FinFET制程技术成功的合作基础之上。台积公司与该公司长期保持合作,共同**,提供先进的制程与矽智财来协助客户加速产品开发周期。近期成果包括客户及早使用Artisan实体IP及采用16奈米FinFET与10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72 处理器设计定案。

ARM网址:www.arm.com

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