全球存储器模组大厂金士顿预估，今年因为主要DRAM大厂没有增产计划，全年DRAM面临缺货窘境;群联董事长潘健成也强调，存储型快闪存储器(NAND Flash)因为进入3D世代，制程良率无法提升，预估将缺货一整年。
由于DRAM和NAND Flash是智能手机和个人电脑必备的电子元件，两项产品同步缺货，恐将冲击手机和个人电脑，甚至消费性电子产品下季出货表现，尤其对二线厂冲击会更大。
金士顿是全球存储器模组龙头，也是全球DRAM和NAND芯片*大用户，针对今年存储器缺货提出预警，具指标意义。
中国台湾地区金士顿董事长陈建华日前出席群联竹南三厂上梁典礼时，针对DRAM市场提出*新分析。他强调，目前主要DRAM大厂都没有增产计划，而且将产能转移生产3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。
根据了解，三星是这波DRAM价格上涨主要推手，目前三星逾七成产能已被苹果、自家手机和OPPO及vivo包走，能供应其他品牌或个人电脑应用有限，加上产能转进成长*快速的3D NAND Flash，虽然其他存储器厂也跟进，但制程良率都没有三星顺利，让三星更有能力主导价格调升，弥补其Note 7手机电池出包**停产的巨额损失。
除DRAM供需失衡外，相关印刷电路板材料短缺，也让DRAM供应模组供货受牵制，让DRAM缺货问题更为严重。
虽然金士顿不愿评论今年DRAM涨幅，但稍早集邦咨询(TrendForce)出具报告，提出首季标准型DRAM涨幅逾30%，服务器用DRAM涨幅也在25%~30%，行动用DRAM涨幅约15%~20%，利基型存储器约10~15%，尤其标准型和服务器用DRAM，在淡季飙出历年单季*大涨幅，凸显全球DRAM供需失衡，渠道商和品牌代工厂提早在淡季备货。
过去以拥有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地说，群联目前有新台币50多亿元的NAND Flash库存，但只要他一开卖，这些货应该很快在一个月内卖光，凸显缺货问题已在市场散开，并开始抢货。
潘健成证实，此时有很多抢货的“假性需求”出现，他坦承缺货情况出乎他预料。
他分析，因印度、印尼等新兴市场对于手机选购需求，从功能手机转为低端智能手机，低端智能手机在储存存储器上皆采用NAND Flash，虽然容量不高，但他们一拿到手就大量拍照，然后上传云端，推升服务器对NAND芯片需求爆增。
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