DRAM 产业正在从一个波动剧烈的市场，逐渐走向成熟。现阶段，DRAM 技术每进入新一代制程技术仅增加 20%的半导体机台设备，这意味着既存的半导体厂商的多数机台设备已经折旧完，如果购买全新的设备投入追赶显得并不明智。然而，在传统 2D 走向 3D NAND 技术时，几乎所有的半导体机台设备都要更换，技术也在革新中，在投入方面所有存储器厂商都处在同一个出发点，踩准这一时机大力投入，积极追赶是非常好的机会。
在具体的投入金额方面，高启全算了一笔账。紫光集团拿下 25% 的 DRAM 市占为目标做例子，晶圆厂的每月单月产能在 30 万片，制程设备方面投资需要 270 亿美元，建厂成本在 330 亿美元，产能满载后的每年固定投资在 30~40 亿美元，累计 5 年再投资 150~200 亿美元，总投资金额需要 480~530 亿美元，若再计入 3D NAND 的投资计划，未来 10 年紫光集团在存储器领域的总投资金额将高达 1000 亿美元。
这是一笔巨大的投入。回顾台湾存储器产业的失败的原因，高启全表示，1985年，英特尔正式退出DRAM领域，在经历了日本、韩国积极投入，后来者居上，韩国*终坐稳了**把交椅。台湾在 2008 年成立台湾**内存（TMC/TIMC）计划集中发展 DRAM 产业资源，但终究因为资金问题未能如愿，原本 5000 亿新台币的资金需求，政府仅提供了 80亿，远远达不到预期。
他强调，“现在**有机会成为全球抗衡三星势力的只有大陆，紫光会把这梦化为具体的实践！”一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，目前只有大陆有能力有资金投入进来，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金**真正投资的存储器企业。
目前，长江存储已齐聚 500 名研发人员在武汉投入 3D NAND 开发，同时考虑研发 20/18 纳米的 DRAM 产品，希望在技术开发具有一定竞争力后再投产。据长江存储 CEO 杨士宁介绍，其 32 层 3D NAND 芯片顺利实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，今年底将提供样片，继续向64 层 3D NAND 发展。高启全高调欢迎美光（Micron）加入合作，直言双方合则两利，美光近一年来在全球DRAM 市占率从 28% 掉到 18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。
据集微网了解，继长江存储武汉的生产基地动工后，紫光集团董事长赵伟国表示，再砸 460 亿美元在成都和南京两地启动半导体基地，三个生产基地合计共投入 700 亿美元。他希望在十年内，紫光集团将跻身全球前五大存储器制造商。“只要有足够的时间，中国半导体就能发展起来。”
在人才方面，紫光集团网罗前晨星创办人杨伟毅出任紫光旗下长江存储公司CTO，又延揽晶圆代工厂联电前CEO孙世伟，担任全球执行副总裁一职。杨伟毅是当初晨星的研发**，半导体业界人士评估，他的技术能力将让紫光如虎添翼。而孙世伟加入后，将协助紫光在成都设立12寸晶圆厂，扩大紫光集团在整个半导体蓝图的构建，与高启全联手共筑逻辑和存储器的双版图。
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