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6301Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列
华强电子网 (0)Littelfuse公司日前宣布推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA),其旨在为电流密集型应用提供**的ESD保护,例如快速充电外围设备或电源USB。 SP1255P系列集成了三通道超低电容控向二极管和一个低压瞬态抑制二级管,可按IEC 61000-4-2标准对USB数据和ID针脚提供*大的防静电保护。 其动态电阻仅为0.3Ω,相比类似硅解决方案可将箝位电压至多降低23%。 工作电压为12V的高浪涌电流保护设备将被用于Vbus保护;此设备可抵御USB Vbus线路上高达100A的闪电级快速瞬变。SP1255P系列的典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携电子产品的ESD保护。“SP1255P系列采用新方法保护平板电脑和智能手机的充电功能免受由自然条件或电网不稳定而引发的高电流快速瞬变的影响。”瞬态抑制二极管阵列产品系列总监Chad Marak表示。 “其节省空间,外形小巧,是各种电路板空间有限的便携式消费电子产品ESD保护应用的理想选择。”SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列提供以下主要优势:• 动态电阻低至0.3Ω,相比类似硅解决方案可将箝
第四季度智能手机业93%利润被苹果赚了
互联网 (0)美国市场研究公司Cannacord周一公布*新报告称,在假期购物季节所在的一个季度中,苹果公司在智能手机盈利市场上所占份额高达93%。在这个季度中,苹果公司的净利润创下了任何上市公司的历史*高季度盈利纪录,主要由于该季度iPhone销售量增长至7400万部,平均售价为687美元。Cannacord分析显示,在整个2014年中,苹果公司在智能手机盈利市场上也占据着类似的主导地位,份额高达79%。该公司分析师预计,未来几年中iPhone销售量仍将继续增长,预计到2018年底iPhone用户总数将达6.5亿人。从财务业绩来看,苹果公司远超其竞争对手。不出意外,三星在盈利方面是*接近于苹果公司的竞争对手,但仍瞠乎其后。Cannacord数据显示去年第四季度三星在智能手机盈利市场上所占份额为9%,这意味着三星与苹果公司所占份额之和达到了102%。跟此前几个季度一样,这一季度中仍旧只有三星和苹果公司实现了盈利,而HTC、LG、索尼、联想和黑莓都是盈亏平衡,微软则亏损2%。尽管拥有****的运营利润率,但iPhone却仍在继续变得越来越主流。
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6302ST推出闪存容量高达512KB的STM32F3微控制器,大幅提升系统集成度
华强电子网 (0)意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)的STM32F3系列微控制器再添新产品,满足市场对高性能、**功能和价格实惠的需求。新微控制器的片上存储容量增至512KB闪存 (Flash) 以及80KB静态随机存取记忆体 (SRAM),并集成丰富的外设接口,其中包括电机高转速控制器及片外 (off-chip) 存储器接口。STM32F3系列是意法半导体ARM® Cortex®-M4微控制器产品组合的入门级产品。经过市场检验的M4处理器内核可支持DSP指令,内置浮点单元 (FPU),运行频率高达72MHz,若再搭配意法半导体独有的且基于内核耦合存储器(CCM-SRAM)的程序加速 (Routine Booster) 功能,其电机控制等例行程序的执行速度可比原来提升43%。STM32F3系列属于共有600余款产品的STM32产品家族,性能表现比STM32F1 Cortex-M3系列更加出色。STM32系列产品的软硬件具有广泛的共性,并提供简单易用的设计工具和开发生态系统。现在STM32F303和 STM32F302产品增加512KB闪存,使F3系列能够支持更复杂的应用。片上集
12寸晶圆产能排名
互联网 (0)近年相较8寸产能供给吃紧,业者对于12寸厂的扩产脚步相对积极。根据研调机构IC Insights*新统计,去年三星仍是全球12寸产能*多厂商。而在全球12寸产能名列前茅的厂商中,前四大仍都是存储器大厂,台积电则名列第五。IC Insights指出,截至去年底台积电的12寸晶圆月产能已达43万片,占全球比重10.3%,也是纯晶圆代工业者当中,拥有*多12寸产能者。而在台积电的总产能中,12寸产能已占到44%,8寸占47%、6寸则占9%。拥有全球**大12寸产能的纯晶圆代工业者则是格罗方德,月产能达19.3万片、占全球比重4.6%。值得注意的是,格罗方德近年在12寸厂扩产动作非常积极,目前12寸产能已占其总产能的51%。拥有全球第三大12寸产能的纯晶圆代工业者则是联电,月产能为11万片、占全球比重2.6%。不过在联电总产能中,12寸仅占26%,8寸产能比重仍高达65%、6寸则占9%。根据研调机构IC Insights*新统计,去年三星仍是全球12寸产能*多厂商。而在全球12寸产能名列前茅的厂商中,前四大仍都是记忆体大厂,台积电则名列第五。
发改委接受Qualcomm的整改方案,双方达成和解
华强电子网 (0)2月9日,Qualcomm Incorporated宣布已和中华人民共和国国家发展和改革委员会(“发改委”)就发改委对Qualcomm有关中国《反垄断法》(“《反垄断法》”)的调查达成解决方案。发改委已经发布了《行政处罚决定书》,认定Qualcomm违反了《反垄断法》。Qualcomm将不寻求任何进一步的法律程序进行抗辩。Qualcomm同意实施整改方案来修改Qualcomm在中国的某些商业行为以完全满足发改委的决定中的要求。尽管Qualcomm对调查的结果表示遗憾,但很高兴发改委已经审阅并批准了Qualcomm的整改方案。整改方案中关键条款如下:· Qualcomm对其现有的3G和4G必要中国**的许可将和Qualcomm的其他**的许可分开,并且Qualcomm将在协商过程中提供**清单。如果作为该等要约的一部分Qualcomm向中国被许可人寻求反向许可,Qualcomm将和该被许可人进行诚意协商且对该等权利给予公正考虑。· 对于为在中国使用而销售的品牌设备的Qualcomm3G和4G必要中国**的许可,Qualcomm将会对3G设备(包括3G/4G多模设备)收取5%的许可费,对包
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6303Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器IP使芯片成本降低多达25%
华强电子网 (0)亮点:• 可重复编程的DesignWare中等容量非易失性存储器(NVM)IP提供与闪存相同的功能,无需额外的光罩或工艺步骤,从而将芯片成本降低多达25%• 提供*高64Kbyte容量的嵌入式存储器;与小容量NVM方案比密度提高5倍• 使微控制器可以在180nm 5V或BCD工艺上集成NVM,而通常这些工艺上没有闪存提供• 集成误码校正功能从而提高系统可靠性为加速芯片和电子系统**而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球**供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.)日前宣布:其全新DesignWare®中等容量非易失性存储器(NVM)IP产品开始供货。Medium Density NVM IP填补了小容量NVM和大容量闪存之间的空白,且无需额外的光罩或工艺步骤,从而使芯片成本降低多达25%。在把微控制器集成到面向智能传感器、电源管理和触摸屏控制器应用的模拟IC设计中时,中等容量NVM IP提供*高64 Kbyte的嵌入式存储,消除了对外部EEPROM或闪存的需求。“今天,那些试图把微控制器嵌入到其IC中的***们被迫支付昂贵的晶圆费用以支持嵌入式闪存,或者使用分立的外部存储器,
瑞昱并购Cortina 增添进攻电信运营商和物联网利器
互联网 (0)网通芯片大厂瑞昱宣布,将斥资近5,000万美元(折合新台币逾15亿元)并购美国**网路处理芯片厂科缔纳(Cortina Access),可望成为未来进攻电信营运商和物联网市场的利器之一。瑞昱近日举行了公司年终尾牙(年会),同时也对外公告并购的好消息,宣布以4,970万美元取得美商Cortina Access及其中国与台湾子公司100%股权;价金将全数以现金支付,惟相关条件、时间及其他重要约定,将依照股权交易合约执行。瑞昱半导体发言人黄依玮表示,Cortina Access的**闸道器及PON相关产品在电信市场上广受好评,屡通过各国电信规范,并成功切入美中日韩各国电信大厂。瑞昱去年因为处分创杰持股,业外进补近8亿元,外界持续关注今年能否补足这块获利缺口,因此对于该公司的并购行动并不意外。不过,瑞昱并未同时说明Cortina Access本身的营收规模与获利与否等财务数据。Cortina Access这次加入瑞昱集团后,将搭配瑞昱近期发表的4x411ac Wi-Fi与物联网(IoT)芯片(产品代号Ameba),将提供电信市场高传输速度、高品质保证(QoS)的**无线闸道器解决方案,也为电信
LTE基带市场份额占比分析
互联网 (0)手机晶片厂联发科4G LTE基频出货快速成长,据研调机构StrategyAnalytics调查,联发科去年第3季4G LTE基频市占率已超过美满(Marvell),跃居全球第2大厂。Strategy Analytics统计指出,去年第3季全球手机基频市场达55亿美元,年增约5%;高通(Qualcomm)市占率达64%,稳居龙头宝座,联发科市占率约17%,位居第2。展讯市占率约6%,位居第3;美满及英特尔(Intel)分别位居第4及第5大厂。Strategy Analytics表示,去年第3季4G LTE基频产值已逼近整体手机基频产值的50%;其中,高通受惠新骁龙、Gobi晶片及中国大陆4G LTE市场成长,4G LTE基频出货量首度突破整体手机基频出货量的50%。只是受竞争加剧影响,高通去年第3季4G LTE基频市占率自2013年第3季的95%,滑落至80%以下。联发科虽然是4G LTE基频市场后进者,不过,去年第3季联发科4G LTE基频已超过美满,跃居全球第2大厂,Strategy Analytics看好,4G LTE基频成长,将驱动联发科未来几季基频业绩成长。
穿戴装置传感器设计苹果微软激战再起
互联网 (0)工研院南分院微系统中心特别助理陈弘仁表示,微软和苹果皆布局穿戴装置多年,并累积为数庞大的**,近来两家科技大厂的产品MicrosoftBand、AppleWatch相继付诸实现后,也旋即成为业界焦点。尤其微软、苹果有志一同将穿戴式装置定位为健身管理、智慧助理的专用型产品,透过各种环境和生物讯号感测器实现各种新颖功能,可望带动新一波穿戴装置感测器设计热潮。新一轮穿戴式装置感测技术竞赛开打。微软(Microsoft)、苹果(Apple)近期接连推出首款穿戴式产品,不仅再度炒热市场话题,亦将健身手环及智能手表感测器规格战推向崭新局面。两家公司各利用UV光、压力及心率等感测器,为穿戴装置提供新颖的环境和生物感应功能,可望刺激其他品牌厂跟进,点燃新一波感测技术战火。陈弘仁强调,在微软和苹果力拱下,穿戴式环境及生物感测应用发展热度直逼沸点,刺激许多业者快步跟进。以小米为例,近期即斥资4,000万美元投资新创穿戴式装置制造商--Misfit,转攻睡眠状态侦测和时尚外型设计,期创造更胜于初代小米手环的应用价值;此外,MC10也分别锁定运动专业人员、孕妇和婴儿,开发专属的心率监控方案,足见穿戴装置设计典
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63042014年Q4品牌NAND供应商营收仅成长2%
互联��� (0)根据市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange *新报告, 2014年第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准,但在三星电子(Samsung)、东芝(Toshiba)与晟碟(SanDisk)各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下,品牌供应商营收仅较第三季成长2%至87.5亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示,因需求端面临淡季效应,2015年**季整体市况将转为供过于求,在价格滑落幅度转趋明显的情况下,业者将藉由加速先进制程的转进,改善成本架构,以减低价格跌幅的冲击。三星电子以各家供应商表现来看,三星电子 2014年第四季 NAND Flash 位元出货量较上季成长5%,平均销售单价季衰退近10%,营收则微幅季衰退4.2%。2015年**季位元出货量虽受需求端淡季效应的冲击,将持续仅个位数的成长,但因固态硬碟业绩成长,加上3D-NAND Flash逐渐成熟,三星电子整年度的位元出货成长可望超过产业平均的35~40%。三星电子 2015年重点将放在扩张固态硬碟市占率。企业级固态硬碟的进展将持续带给
瞄准5G/物联网 60GHz Wi-Fi蓄势待发
互联网 (0)Wi-Fi标准目前正为融合从5G蜂巢式回程网路到连接物联网的热点技术而努力,根据致力于该领域的两位研究人员表示,透过这些努力可望使Wi-Fi从900MHz进展到60GHz的增强版。这个所谓的NG60研究小组至今只召开两次会议,可能还需要两年的时间才能完成**个草案标准。NG60目前正进行Wi-Fi(802.11a)的60GHz版本升级,使其能在短距离传输时达到20G/s的速度。NG60*终还可能会包括对于网状网路的硬体支援,以1Gbit/s的速率在200-400公尺的距离内提供小型蜂巢式基地台的回程链路。InterDigital公司的研究人员利用可支援5级跳频的电子扫描相控阵列天线,打造出一款60GHz的定向网状架构原型。“我们目前正致力于媒介存取控制器(MAC)上的软体层,但如果网状网路能移至更底层实现,将使得网路效率大幅提升。”InterDigital公司总工程师Monisha Ghosh表示。Monisha Ghosh*近才因在无线领域的成就荣升IEEE院士。已经有少数几家60GHz晶片供应商已经在寻求将蜂巢式回程网路作为基于现有802.11ad标准的一种晶片应用。NG60的工作
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6305英飞凌携手海拉打造**的车后盲区,24GHz雷达助力驾驶辅助系统在中低端车型普及
华强电子网 (0)
英飞凌科技股份公司与德国汽车零部件供应商海拉集团为雷达传感器开发了一款**的射频组件,能有效监控汽车后部的盲区(盲区探测)。该模块将多个以前独立的组件集成到一个收发器(兼具收发功能)中从而节省空间和成本,并具有更好的性能和更低的功耗。得益于效率提升带来的批量生产,驾驶辅助系统现在也能向中低端车型普及。海拉用于盲区探测的24GHz雷达传感器系统具备极高精度。不论物体的运动方向和速度如何,即使在恶劣天气条件下,持续的雷达扫描都可准确地对运动中的物体进行探测,其进一步优化的天线有助于实现更高的测量准确性。譬如,当超车或变道时,系统会警告来自后方的车辆。在停车时,雷达可探测车后的情况,避免发生碰撞事故。英飞凌源自BGT24Axx芯片系列的全新单片微波集成电路(MMIC)是驾驶辅助系统中的关键组件,可帮助提升系统效率。它们进一步改善了信噪比(SNR),确保盲区对象的探测和信号发送精度更高。作为全集成式收发器,英飞凌MMIC包含所有高频组件,比如晶振、传输放大器和带有低噪放大器和I/Q混频器的接收支路。海拉的雷达系统因此可变得更小、更低价和功耗更低。英飞凌的24GHz芯片系列根据系统环境和应用场景
中国电信终端产业链年会召开,2015年目标销售1亿部手机
华强电子网 (0)2月5日,中国电信联手Qualcomm在北京举办 “盛放——2015年中国电信终端产业链年会”。中国电信集团公司总经理**先生和Qualcomm执行董事长保罗·雅各布博士出席了此次盛会。据介绍,2014年天翼终端市场规模稳定增长,全年各类终端总销量大约8500万部。大会数据显示,4G为天翼终端增长的主要推动力,4G终端到年底已超百款,销量近千万部,4G套餐用户超过千万。大会期间,中国电信宣布启动“**100”计划, 2015年利用160亿元资金牵引,为消费者打造100款精品4G手机,拉动全年销售手机突破1亿部。混合组网推进迅猛去年6月,工信部批准中国电信、中国联通开展LTE TDD和LTE FDD混合组网试验。中国电信加快4G网络建设,探索并试验混合组网模式,紧接着7月15日,中国电信在**首批16座城市开放天翼4G手机服务,随后根据国家有关政策逐步扩大试验范围增加试点城市。峰会期间,中国电信集团公司总经理**表示, 2015年,中国电信将在成功进行混合组网试验的基础上,发挥混合组网优势和3G/4G协同优势,突出移动宽带比较优势。混合组网之所以能够快速推进,很大程度上得益于TDD和FD
联发科技首款支持CDMA制式SoC发布 加速布局64位、4G智能手机市场
华强电子网 (0)日前,全球无线通讯及数字多媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) 在北京举办“全芯智献 网络全球—联发科技首款支持CDMA制式SoC新品发布会”,向业界发布其首款整合CDMA2000技术的4G 64位全网通SoC解决方案,支持全球全模WorldMode规格,是联发科技在4G全网通时代的扛鼎力作。中国电信集团公司总经理**、中国电信集团公司副总经理高同庆以及各终端厂商嘉宾代表出席此次会议,共同见证这两款产品的发布和联发科技在2015年的全新起航。联发科技总经理谢清江表示:“联发科技的4G芯片市占率持续攀升,在2014年顺利出货3000多万套。2015年更是前景可期,新年伊始,我们推出可支持CDMA制式的4G全模手机芯片,将其作为我们在2015年的先锋军产品。此举不仅完善了我们的4G芯片产品线布局,帮助我们在2015年取得更高的4G市场份额,而且凭借CDMA2000技术,有助于我们将市场进一步拓展到欧美地区,与世界接轨,加速联发科技向全球化公司迈进的步伐。”中国电信集团公司副总经理高同庆在会上发表致辞,高度评价此次中国电信与联发科技的合作:“联发科技的手
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6306凌力尔特推出 140V 输入、高效率降压型转换器LTC7138
华强电子网 (0)凌力尔特推出 140V 输入、高效率降压型转换器 LTC7138,该器件提供高达 400mA 连续输出电流。LTC7138 在 4V 至 140V 输入电压范围内工作,从而非常适合电信、工业、航空电子和汽车等多种应用。LTC7138 采用可编程迟滞模式设计,以在宽输出电流范围内优化效率。该器件采用一个内部 1.8Ω 功率 MOSFET 以实现可靠和高效率运行。用户可编程输出电流限制可按照特定应用的要求,在 100mA 至 400mA 范围内设定输出电流。LTC7138 可设定为 1.8V、3.3V 或 5V 固定输出电压,或者采用一个电阻器分压器在 0.8V 至 VIN 范围内设定输出。LTC7138 的耐热增强型 MSOP 封装提供高压输入需要的额外引脚间隔。其 MSOP 和仅 4 个纤巧外部组件相结合,可为多种应用构成占板面积非常紧凑的解决方案。LTC7138 在无负载时仅吸取 12µA 电流,同时保持输出电压稳定,从而非常适合始终保持接通的电池供电型应用。由于转换器固有的稳定性,所以无需外部补偿,因此简化了设计,并*大限度地减小了解决方案占板面积。此外,该器件的功能还包括精准的
SEMI成功说服美国政府修订出口管制清单
互联网 (0)SEMI在敦促美国政府修订半导体设备出口管制清单上取得突破性进展。据悉,美国商务部工业与**局(BIS)即日将正式发文宣布,认可国外(中国)存在各向异性等离子干法刻蚀设备,这类设备在ECCN编号为3B001.c。BIS将表明,中国有和美国ECCN3B001.c性能相当的刻蚀设备技术能力,因此,基于这项编码的美国国家**出口管制将失效。这一禁令已经持续20多年,取消这条禁令十分必要,这可以充分证明中国本土公司已经可以制造出与美国公司性能相当的半导体刻蚀设备。同时,也为瓦森纳协议(Wassenaar Arrangement)在全球贸易中解除相关管制条例做好了准备。SEMI长期以来一直敦促美国政府修订出口管制清单,支持自由贸易和开放市场,促进全球半导体产业健康发展。而这次突破性进展除了对中国企业的认可外,对于美国和日本的主要设备供应商也是一个大的利好。背景2014年7月16日,半导体设备和材料协会(SEMI)向BIS申请,表示中国存在有各向异性等离子干蚀刻设备,这类型的设备在美国ECCN出口管制制度中编号为3B001.c。它用在双重用途的半导体设备制造过程,例如闪存、微波单片集成电路、晶体管
Intel 10nm时程已定 10nm芯片预计会在2017年初发布
互联网 (0)曾经固定每两年升级一次制造工艺的Intel不成想在14nm上遭遇重大挫折,比原计划推迟了足足一年,也导致产品线混乱不堪,今年下半年才会全线淘汰22nm。那么下一代的10nm何时登场呢?在半导体技术越来越复杂、PC市场始终温水煮青蛙的情况下,Intel还能不能继续飞奔向前、领导潮流?在此之前,Intel CEO柯再奇谈到10nm的时候,曾经表示目前还没有具体时间表,给人泼了一盆冷水,不过好消息传来了。Intel中东与北非地区总经理Taha Khalifa表示:“我们一直在仅仅追随摩尔定律,这是过去40年来我们**的核心所在。10nm芯片预计会在2017年初发布。”网上传出的*新路线图也显示,10nm将会统治2017-2018年(14nm也是***个横跨三年的节点),不过在经历了硅锗应变硅、高K金属栅极、三栅极立体晶体管等重大技术变革后,10nm上似乎没有太新鲜的玩意儿,或者是Intel暂时还不想让我们知道有什么秘密**。Intel将在未来一年内陆续推出14nm工艺的发烧级Broadwell-E、主流级Broadwell/Skylake-S、低压版Skylake-U、超低压Braswell
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