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OPPO/vivo背后老板段永平谈产品与投资

雪球

老实讲,我不知道什么人适合做投资。但我知道统计上大概80-90% 进入股市的人都是赔钱的。如果算上利息的话,赔钱的比例还要高些。许多人很想做投资的原因可能是认为投资的钱比较好赚,或来的比较快。作为既有经营企业又有投资经验的人来讲,我个人认为经营企业还是要比投资容易些。虽然这两者其实没有什么本质差别,但经营企业总是会在自己熟悉的领域,犯错的机会小,而投资却总是需要面临很多新的东西和不确定性,而且投资人会非常容易变成投机者,从而去冒不该冒的风险,而投机者要转化为真正的投资者则可能要长得多的时间。投资和投机其实是很不同的游戏,但看起来又非常像。就像在澳门,开赌场的就是投资者,而赌客就是投机者一样。赌场之所以总有源源不断的客源的原因,是因为总有赌客能赢钱,而赢钱的总是比较大声些。作为娱乐,赌点小钱无可非议,但赌身家就不对了。可我真是能见到好多在股场上赌身家的人啊。以我个人的观点,其实什么人都可以做投资,只要你明白自己买的是什么,价值在哪里。投机需要的技巧可能要高很多,这是我不太懂的领域,也不打算学了,有空还是多陪陪家人或打几场高尔夫吧。即使是号称很有企业经验的本人也是在经受很多挫折之后才觉得自

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蚀刻时间/缺陷率呈正函数关系 SiC晶圆表面处理时间要抓紧

新电子

碳化矽(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进,这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化矽(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性,在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。尽管商用4H–SiC单晶圆片的结晶完整性*近几年显着改进,但这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。 经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。表面缺陷严重影响SiC元件品质与矽元件相比,碳化矽的能带隙更宽,本征载流子浓度更低,且在更高的温度条件下仍能保持半导体特性,因此,采用碳化矽材料制成的元件,能在比矽元件更高的工作温度运作。碳化矽的高电击穿场强和高热导率,结合高工作温度,让碳化矽元件取得极高的功率密度和能效。 如今,碳化矽晶圆品质和元件制造制程显着改进,各大半导体厂商纷纷展示了高压碳化矽解决方案,其性能远超过矽萧特基势垒二极体(SBD)和场效应电晶体(FET),其中包括阻断电压接近19kV的PiN整流管;击穿

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麻省理工学院意外发明金属提炼新方法

国防科技信息网

麻省理工学院意外发明金属提炼新方法 [据麻省理工学院网站2016年8月25日报道] 麻省理工学院(MIT)研究人员开发一种新电池的努力没有取得成功,但却意外地在试验过程中发现了一种生产金属锑的新方法,这种方法今后也可能用于其他金属的提炼。这一惊人发现可能催生一种比传统金属冶炼更廉价同时碳排放也更低的金属生产体系,相关成果已发表在本周的《自然》期刊上。研究人员称,尽管金属锑本身不是一种广泛使用的金属材料,但其生产方法或可用于铜和镍这类应用广泛且经济性好的金属。研究人员原本试图开发一种全新的电化学电池,这一努力已经进行数年时间。这类电池的不同之处在于其由不同密度的金属熔体或盐组成,因此其天然就具有分层属性,就如油会浮在水面上一样。研究人员希望通过试验了解在正负电极之间放**层电解液会产生什么作用,但实验结果却和计划中的结果相去甚远。研究人员发现当其试图给这一设想中的电池充电的时候,结果却是分离了液态金属锑。该研究团队使用的硫化锑材料是一种熔融的半导体,要冶炼得到金属锑,通常情况下并不能使用炼铝或类似金属所采用的通电方法。要利用电解法冶炼,矿物材料一般只能是离子导体。但通过在熔融的半导体上添加一层离子电解液,“电池”中的电解过

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