基于PROTEUS的汽车尾灯控制系统的设计

一种单相两级式光伏并网逆变器控制策略

手机面板今年业绩激增

研究机构NPD DisplaySearch昨（26）日表示，全球手机面板2013年营收将达330亿美元，年增高达55%，出货量将达19亿片，年增��15%，主要是受到高阶手机面板大量被采用，导致面板平均单价变高。该市调机构说，驱动全球手机面板营收大幅成长的二***为苹果及三星，例如热卖的三星Galaxy S4及苹果的iPhone 5，这二***的高阶手机持续提升市占率，带动手机面板营收成长。三星采用主动有机发光二极管（AMOLED）的屏幕，苹果使用低温多晶矽（LTPS），两***带动下，使得AMOLED及LTPS蔚为风潮，促进营收上扬。AMOLED屏幕平均单价2012年为48.36美元，2013年升至49.37美元；LTPS的平均单价2012年为26.74美元，2013年成长至34.57美元。可以看出两大手机面板技术对提升手机面板营收的贡献。从营收的市占率来看，AMOLED在2013年的市占率为37%，LTPS为36.1%，两者不相上下，传统的非晶矽（a-Si）面板为26.5%。不过，大陆智的出货量，也使得全球手机面板分成两块，一为高阶的AMOLED及LTPS，另一则为低阶大量的非晶矽面

LED照明巨头角逐国内企业引爆定价博弈

我国从LED照明制造和出口大国向产业和资本强国迈进，是未来一段时期民族企业商业模式**的内在要求。作为国内LED照明企业必须正视短期内难以克服的产业链全球巨头定价权布局瓶颈，并找到可行的定价权博弈突围对策成为巨头角逐胜出的关键。在今年6月份的光亚展盛会上，一向沉稳低调的木林森股份有限公司携其**LED照明终端应用品牌——MLS光源世家高调亮相，以高贵、华丽的形象惊艳业内。木林森股份又公开宣布，将对部分LED球泡和LEDT8光管进行大幅调价，调价幅度超过40%，LED**光源将迈入1美元时代，令业界震撼不已。一时之间，这位LED封装界的隐形**成为媒体和业内竞相关注的焦点，其“LED光源一美元时代”战略更是成为中国LED照明产业率先打破全球巨头定价权布局的民族企业成功样本。木林森股份成立于1997年，是国内LED封装及LED应用产品领域的领军企业，有着“LED封装隐形**”的美誉。公司目前的规模化产能已达月产直插LED产品20亿只、数码管5亿只、贴片12亿只；年产发光二极管、点阵、数码管、时钟板数百亿只。“在专业化领域中做大、做强、做透一定要靠规模化的支撑。”格兰仕俞尧昌曾如此评价规模化

韩LG电子拟在欧洲推出曲面OLED电视

据韩联社报道，韩LG电子25日表示，下月6日欧洲*大家电展览会--IFA 2013召开之际，在欧洲市场正式发售曲面OLED(有机发光二极管)电视。LG电子从本周开始在德国等欧洲国家分阶段推出曲面OLED电视，28日在法兰克福**家电专卖店HIFI Profis举行新产品发布会。LG电子继5月在韩国和7月在美国之后，此次在欧洲推出曲面OLED电视，将巩固在下一代曲面OLED电视市场的领导地位。据市场调查机构Displaysearch预计，2017年全球OLED电视销量将超过900万台，其中有三成面向欧洲，欧洲会成为全球*大市场。LG电子的55英寸曲面OLED电视采用自主研发的WRGB，色彩丰富，画面鲜明逼真。这款电视用纤维强化塑料制造，厚4.3毫米，重17公斤。这款电视获得了莱茵(TUVRheinland)认证机构和电气工程师协会(VDE)授予的画质认证和由视频、音像认证机构THX(Tomlinson Holman eXperiment)授予的显示器认证。此外还获得了全球工业设计**奖项之一的“红点**奖”，被欧洲影音协会(EISA)选定为“欧洲*佳设计电视”。

Diodes新推汽车级超级势垒整流器，雪崩性能提升达十倍

功率MOSFET应用于开关电源注意的问题

功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。(1)栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。(2)直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。(3)并联工作时容易产生高频振荡。(4)导通时电流冲击大，易产生过电流。(5)很多情况下，不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。(6)寄生二极管的反向恢复时间长，很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。(7)开关速度快而产生噪声，容易使驱动电路误动作，特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时，易发生这种故障。(8)漏极-栅极间电容极大，漏极电压变化容易影响输入。(9)加有负反馈，热稳定性也比双极型晶体管好，但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。(10)理论上没有电流集中而产生二次击穿，但寄生晶体管因du/dt受到损坏，从而场效应晶体管也受到损坏。

基于峰值控制的IGBT串联均压技术

摘要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的关键技术是均压控制。峰值控制技术是保证串联运行中每个IGBT的集射极电压都不超过**极限的有效技术。在介绍IGBT工作特性的基础上，对串联IGBT关断过程不同动态时段内的均压控制目标进行了分析，为设计不带RC缓冲回路的均压方法提供了理论基础。综合各阶段控制要点，采用基于稳压管箝位的峰值控制方法，在低压实验中实现了有效的串联均压，验证了理论分析的正确性。*后，针对该方法在高压应用时的缺点，提出了一种绝缘栅双极型晶体管；均压；峰值控制1 引言随着电力电子技术的发展，高压大功率设备对IGBT的耐压等级提出更高要求，故IGBT串联技术成为研究热点之一。IGBT串联应用的关键问题是实现均压。在众多IGBT串联均压技术中，*简单、可靠的方法是并联RC缓冲回路。但在高压场合，考虑到损耗、体积及造价等因素，无RC缓冲回路的均压方法更实用。此外，基于电压轨迹控制和门极信号延时调整等有饱和区、有关断瞬态、关断稳态、开通瞬态、开通稳态。因IGBT不均压情况在关断时比开通时更复杂，在此以关断时的均压控制为主要研究目标。按外电路和器件内部参数不一致等因素对uCE不均

燃料电池车用大功率软开关Boost变换器

摘要：燃料电池车是一种变换器；燃料电池车；软开关1 引言燃料电池车动力系统中常需要一个大功率DC／DC变换器将燃料电池与动力驱动系统及①电路中所有元件都是理想的；②L1足够大，在一个开关周期中，其电流基本保持IL1不变；③C1足够大，在一个开关周期中，输出电压的纹波可忽略，输出电压基本保持为Uo。基于上述假设，该电路每一个软开管工作周期可分为以下8个状态：状态1(t0～t1) t0时刻前，V1导通，V1的端电压uV1=0，电流iV1=IL1，V2，V3和C2的端电压uV2，uV3，uC2和电流iV2，iV3，iC2均为零。t0时刻，V3零电压导通，V3导通并不影响电路正常工作；状态2(t1～t2) t1时刻，V1关断。由于V3导通，IL1一部分流过V1，一部分流过VD2，V3为C2充电，直到C2充电到Uo。这一充电行为减小了V1的拖尾电流，减缓了uV1上升率，大大减小了其关断损耗。此期间uV3=0，uV2随uV变化，一直上升到Uo；状态3(t2～t3) t2时刻，V3零电压、零电流关断，V3关断并不影响电路正常工作；状态4(t3～t4) t3时刻，V1开通，V1开通过程不受缓冲电路影响

单极性PWM技术在雷达天线控制中的应用

摘要：文中对比了单极性和双极性PWM的技术特点，并叙述了现有的半桥驱动IC在应用中的局限性。利用一些简单的逻辑门，设计了一个单极性PWM逻辑分配电路，经过半桥驱动IC功率放大，驱动由IGBT组成的H桥功率转换电路，实现对雷达天线的伺服控制。上述方法构成的电路，解决了动态自举问题、提高了雷达天线转速及功率转换电路的效率。关键词：单极性PWM；双极性PWM；半桥驱动IC；逻辑门；动态自举随着大功率半导体技术的发展，全控型电力电子器件组成的脉冲宽度调制(PWM)技术在雷达天线控制系统中得到了广泛的应用。雷达天线控制系统一般采用脉冲宽度调制(PWM)技术实现电机调速，由功率晶体管组成的H桥功率转换电路常用于拖动伺服电机。根据在一个开关周期内，电枢两端所作用的电压极性的不同分为双极性和单极性模式PWM。双极性PWM功率转换器中，同侧的上、下桥臂控制信号是相反的PWM信号；而不同侧之间上、下桥臂的控制信号相同。在PWM占空比为50％时，虽然电机不动，电枢两端的瞬时电压和瞬时电流都是交变的，交变电流的平均值为零，电动机产生高频的微振，**，直接采用脉冲变压器进行隔离及悬浮；**，采用独立的悬浮电其中

Ku波段雷达接收机设计

摘要?阐述了Ku波段雷达接收机的工作原理进行了阐述，并对设计方案与测试结果进行了分析。Ku波段接收机由低噪声变频单元、中频放大、本振和电源4个独立单元组成。对各单元电路的设计进行了分析，给出了元器件选型以及仿真结果。试验结果表明，Ku波段接收机的噪声系数≤1．0dB、增益≥55dB、输入输出驻波，相位噪声杂散，镜像抑制等指标均满足实用技术要求，并根据测试结果对Ku波段接收机部分指标提出了进一步优化的方法。关键词?雷达接收机；噪声系数；增益???随着现代调制体制的快速发展，无线频谱的利用率日益加剧，对接收机的线性度、动态范围、灵敏度、抗干扰能力、适应性等方面的性能和指标提出了越来越高的要求。这就要求现代通用接收机在保证信号检测能力的前提下：尽可能地提高接收机的线性度，使信号失真*小、误码率*低；尽可能地展宽接收机的动态范围，使接收机的适应度更大、抗干扰能力更强。1工作原理????Ku波段雷达接收机主要由低噪声混频单元，中频放大单元，本振单元及电源部分组成，信号经天线接收后首先进入低噪声放大单元，对信号进行放大，选频以及混频。之后进入中频放大单元，对信号进行放大，滤波和输出。接收机电路原理

Diodes汽车级整流器提升雪崩性能达十倍

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650VNPTIGBT

美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。美高森美新的功率器件通过提供业界*佳的损耗性能来改进效率，与*接近竞争厂商的IGBT产品相比，效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率，在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时，开关速率可以获得进一步提高。针对*高150 KHz的较低速率应用，这些**的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可让开发人员降低总体系统成本。下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8™ 技术，并且采用了*先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞

三星押注OLED斥巨资收购Novaled

近日传出消息，全球消费电子巨头韩国三星公司斥巨资收购了德国OLED(有机发光二极管)企业Novaled公司。而*近的种种迹象显示，三星公司十分看好这种具有产业颠覆性的显示器技术，一方面通过收购加紧储备和推进OLED显示屏技术，另一方面则通过量产和降价等手段，加大OLED电视的市场推广力度。?巨资收购Novaled《华尔街日报》8月10日的报道称，三星9日通过其子公司与德国OLED厂商Novaled公司达成协议，将以2.6亿欧元(约合3.47亿美元)价格收购后者。三星将通过子公司CheilIndustries以及三星电子公司收购德国Novaled。三星CheilIndustries子公司主要制造OLED显示屏电子材料。据报道，Cheil公司将会收购Novaled公司50%股份，而三星母公司占股40%，其余10%由三星风险资本子公司获得。三星收购Novaled公司市场早有猜测。早在上月，《华尔街日报》就曾报道称Cheil与德国Novaled公司在商谈收购事宜。据悉，Novaled公司于2001年由德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会和德累斯顿技术大学合创，其专门生产显示屏及发光设备的OLED材料

Vishay推出超小尺寸的双向对称单线ESD保护二极管

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于便携式电子产品的采用超小尺寸CLP0603封装的单线ESD保护二极管---VBUS05A1-SD0。它的尺寸只有0.6mm x 0.3mm，高度为0.27mm，并具有低电容和低泄漏电流，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的破坏。VBUS05A1-SD0使用业内*小的0603（公制单位）芯片级封装，比1006（公制单位）尺寸的封装节省3倍的电路板空间。由于其短引线和小封装尺寸，二极管的线路电感非常低，从而下对一条数据线提供符合per IEC 61000 4 2要求的瞬态保护。器件无铅，无卤素，符合RoHS及Vishay的“绿色”标准。新款VBUS05A1-SD0现可提供样品，将在2013年4季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周。