Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品系列新增两个系列以增强ESD和雷击保护

元器件交易网讯 9月24日消息，Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电（ESD）以及雷击导致的浪涌现象的破坏。低电容二极管另增了一个齐纳二极管，以保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌现象的危害。这类强大设备可提供堪比基准的浪涌保护/电容比；**吸收高达24A雷击感应浪涌电流，同时每个I/O对地连接仅为1.5pF。这有助于确保将信号损失降至*低。该阵列还可处理至少±30kVESD，因而电子产品制造商能提供更高水平的保护并提高产品在实际使用中的可靠性。较低的负载电容也使得SP4044和SP4045系列成为保护高速信号引脚的理想之选。直通路由让这些零件能够安装于所保护线路的顶部，从而消除了寄生电容量和电感，并确保实现更高的信号完整性。Littelfuse SP4044和SP4045产品图片SP4044和SP4045系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括HDBaseT、2.5和5千兆以太网和10/100/1000以太网端口的保护以及对T1/E1、T3/

Littelfuse瞬态抑制二极管阵列新增两个系列

Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电（ESD）以及雷击导致的浪涌现象的破坏。低电容二极管另增了一个齐纳二极管，以保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌现象的危害。这类强大设备可提供堪比基准的浪涌保护/电容比；**吸收高达24A雷击感应浪涌电流，同时每个I/O对地连接仅为1.5pF。这有助于确保将信号损失降至*低。该阵列还可处理至少±30kVESD，因而电子产品制造商能提供更高水平的保护并提高产品在实际使用中的可靠性。较低的负载电容也使得SP4044和SP4045系列成为保护高速信号引脚的理想之选。直通路由让这些零件能够安装于所保护线路的顶部，从而消除了寄生电容量和电感，并确保实现更高的信号完整性。Littelfuse瞬态抑制二极管阵列新增两个系列SP4044和SP4045系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括HDBaseT、2.5和5千兆以太网和10/100/1000以太网端口的保护以及对T1/E1、T3/E3和**视听器材线路的次级保护。“这

如何运用数字I/O来保护继电器

美高森美发布独特的全新**超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列

美高森美发布独特的全新**超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频(RF) PIN二极管专门技术，以保护高速数据线路和其它应用，这些应用的电容量严苛要求，大大超过用于保护以太网及速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。新型1N8149至 1N8182 和 1N8149US 至 1N8182US表面安装低电容TVS二极管产品在10/1,000微秒下具有150W脉冲峰值功率，具有*大值仅为4pF的极低电容。150W TVS二极管的性能等同于在8/20微秒下提供高于1,000W的脉冲峰值功率，以及6.8 V 至 170V电压范围。新器件还符合依照IEC61000-4-2、IEC61000-4-5 和 RTCA-DO160标准规范的**工业和航空电子静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和较低雷击威胁水平要求。美高森美正在开发在 10/1,000微秒下具有较高500W额定功率的低电容TVS产品，以克服更高电压瞬变威胁。美高森美功率分立和模块业务部门**总监兼业务部门经理Leon Gro

英飞凌扩充650V耐压IGBT的产品线，饱和电压为1.35V

英飞凌科技于2015年11月12日发布了+650V耐压IGBT的新产品“TRENCHSTOP 5 S5”系列。其特点是支持高开关频率下的软开关动作；能以10k～40kHz驱动；集电极与发射极之间的饱和电压（VCE（sat））较低，工作温度为+175℃时为1.60V，+25℃时为1.35V，比该公司原产品“TRENCHSTOP 5 H5”系列降低20％。由于具备这些特点，将新产品用于AC-DC转换电路和DC-AC转换电路时，可提高能源效率。具体用途包括光伏发电系统用逆变器装置和不间断电源（UPS）等。 该系列备有*大集电极电流各异的4款产品，分别是*大集电极电流为39.5A的“IKW30N65ES5”、50A的“IKW40N65ES5”、60.5A的“IKW50N65ES5”和80A的“IKW75N65ES5”。其中，IKW30N65ES5的特性如下：接通时的能源损失为0.56mJ、关断时为0.32mJ；栅极电荷为70nC；配备的续流二极管的正向电压为39.5A（100℃的值），反向恢复电荷（Qrr）为0.83μC；软开关时不会发生尾电流和电压过冲等，因此无需外置电容器、稳压二极管和EM

业界首款100G CFP2光模块

Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品系列新增两个系列

中国，北京，2015年9月24日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电 （ESD）以及雷击导致的浪涌现象的破坏。 低电容二极管另增了一个齐纳二极管，以保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌现象的危害。 这类强大设备可提供堪比基准的浪涌保护/电容比；**吸收高达24A雷击感应浪涌电流，同时每个I /O对地连接仅为1.5pF。 这有助于确保将信号损失降至*低。 该阵列还可处理至少±30kV ESD，因而电子产品制造商能提供更高水平的保护并提高产品在实际使用中的可靠性。 较低的负载电容也使得SP4044和SP4045系列成为保护高速信号引脚的理想之选。 直通路由让这些零件能够安装于所保护线路的顶部，从而消除了寄生电容量和电感，并确保实现更高的信号完整性。 SP4044和SP4045系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括HDBaseT、2.5和5千兆以太网和10/100/1000以太网端口的保护以及对T1/E1、T3/E3和**视听器材线路的次级

意法半导体推出降低了导通电阻的60V耐压功率MOSFET

意法半导体于2015年9月7日发布了降低了导通电阻的＋60V耐压的功率MOSFET“STripFET F7 MOSFET系列”。该系列属于n沟道型，不仅降低了导通电阻，还降低了输入输出电容和栅极电荷量。该公司介绍称，“导通电阻与栅极电荷量的乘积——FOM（品质因数）极好”。另外，体二极管的反向恢复电荷很小，因此适合高速开关工作。不仅适用于通信设备、服务器、台式���脑、工业设备的DC-DC转换器，还适用于光伏发电用微型逆变器等。 该系列是采用沟道结构的功率MOSFET。意法半导体推出了封装不同的多款产品。准备的封装有PowerFLAT 5×6、PowerFLAT 3.3×3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、2-laed H2PAK及6-lead H2PAK。 采用PowerFLAT 5×6封装的“STL90N6F7”的特性如下：*大漏电流在连续时为90A，脉冲时为360A；栅极的阈值电压*小值为＋2V，*大值为＋4V；栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为5.4mΩ（*大值）；总栅极电荷为25nC（标称值）；输入电容为1600pF（标称值），输出电容为880pF（标称值），反馈电

模块电源的散热应对措施

关于模块电源，其超高的功率密度一直被设计者们称道。但实现超高功率的同时，散热性能差的缺点也暴露出来，设计者们虽然能够对一些特定的设计进行改进，但却不是每种设计都适合的。本篇文章将以实例为基准，分析一个设计方案中的模块电源散热问题。本文的中的模块采用100W，Vin24VVout5V，采用单管正激电路，使用的是UC3843B(＄0.1432)芯片控制，没有采用有源嵌位和同步整流，工作频率为300KHZ。运行后发现其并不能长期实际工作在100W，长期工作会使MOSFET或者次级二极管被热击穿，那么应该用怎样的办法让它可以长期工作在100W以下？目前试验了以下两种方法：1、增加MOSFET：使用多MOSFET并联，并更改驱动，3843B驱动不了多MOSFET，但是效果并不好，不仅增加成本，还没解决问题。而且多个MOSFET并不能同时导通，总会有先有后，所以总是会有一个MOSFET击穿。2、增加次级二极管，使用多个并联，效果与方案1类似，也不理想。下面咱们来说说解决方法，通常来说器件的散热性能与绝缘材料的导热性能、压紧力、壳的导热性能、面积、壳外部的风流条件有关，可以从这几点上下手改善。或许也

中红外波段高平均功率近周期飞秒激光脉冲

Vishay发布新的双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管

Vishay，发布新的双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05B1-SD0，其采用超小尺寸CLP0603封装，可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05B1-SD0的尺寸只有0.6mm x 0.3mm，高度低至0.27mm，具有超低的电容和泄漏电流，可保护高速数据线路和天线免受瞬态电压信号的影响。VBUS05B1-SD0使用0603尺寸的芯片级封装，是业内*小的产品之一，比1006外形尺寸封装占用的电路板空间少3倍。由于短引线和小封装尺寸，二极管的线路电感非常低，能够钳位类似ESD尖峰这样的快速瞬态，并且实现*小的过冲或下冲。VBUS05B1-SD0的典型负载电容只有0.29pF，*大为0.4pF，可用来保护智能手机、手机、数码相机、MP3播放器和便携式游戏机里的HDMI、USB 3.0和Thunderbolt这类的高速数据端口。在5.5V工作电压下，器件的*大泄漏电流小于0.1μA，在1mA下的典型击穿电压为8.8V，在2.5A下的*高钳位电压为18V。VBUS05B1-SD0能够对一条数据线提供瞬态保护，保护等级达到IEC 61

Vishay新款 BiSy单线超低电容ESD保护二极管VBUS05B1-SD0

Littelfuse将ESD抑制选择工具添加至其热门在线iDesign™电路保护选择平台

Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布已扩大Littelfuse iDesign™在线模拟和产品选择工具的电路保护器件范围。这款基于网络的强大工具于2014年4月**推出，现包括可帮助电路设计师选择Littelfuse日益增长的TVS二极管阵列的ESD选择工具(SPA®瞬态抑制二极管阵列)。 这些器件旨在保护电子设备免受通常具有破坏力的快速瞬态电压的破坏，例如雷击和静电放电(ESD)。iDesign平台为同类首款针对电路保护设备的平台，为响应Littelfuse客户的要求而开发。 它可通过快捷、直观的方式找到适合相关应用的*佳组件，寻找零件文档并订购零件样品以制作原型机，所有一切均可通过这一便捷的软件包完成。 其提供的工具可指导用户完成部件选择流程，基于输入的应用参数快速提出可选方案。ESD选择工具的用户可在系统设置和设备设置页面输入参数，然后在设备选择页面从多达三种设备中进行选择和对比。 分析页面可运行模拟，对比所选设备的系统ESD水平，快速识别哪种设备能为应用提供*强大的性能以及每种设备“*佳情况”下的性能。Littelfuse半导体业务发展部总监Chad

苏州固锝电子股份有限公司2015半年度报告摘要

1、重要提示本半年度报告摘要来自半年度报告全文，投资者欲了解详细内容，应当仔细阅读同时刊载于巨潮资讯网或深圳证券交易所网站等中国证监会指定网站上的半年度报告全文。公司简介■2、主要财务数据及股东变化（1）主要财务数据公司是否因会计政策变更及会计差错更正等追溯调整或重述以前年度会计数据■（2）前10名普通股股东持股情况表■（3）前10名优先股股东持股情况表公司报告期无优先股股东持股情况。（4）控股股东或实际控制人变更情况控股股东报告期内变更公司报告期控股股东未发生变更。实际控制人报告期内变更公司报告期实际控制人未发生变更。3、管理层讨论与分析世界前十位公司的部分二极体产品出自于苏州固锝公司员工之手，在二极管制造方面公司具有世界**水平，其芯片两千多种规格的核心技术掌握在公司手中。二极管销量连续十几年居****，IC封装的QFN、SiP*具特色，无论在成本、规模上将逐步成为****。企业文化建设方面，视员工为家人的“家”文化，使员工由内心发生改变得到幸福。公司的竞争优势主要体现在：（一）品牌优势和**优势公司拥有行业内*完整的质量、环境、信息**、职业**健康等管理体系。ISO9001、I

单分子二极管问世

科技日报北京5月26日电（记者陈丹）美国哥伦比亚大学应用物理学副教授拉莎·文卡塔拉曼指导的研究团队开发了一种新技术，成功创建出**单分子二极管，其性能比之前所有设计的要高50倍，有望在纳米器件领域获得实际应用。论文发表在5月25日的《自然·纳米技术》杂志上。单分子器件是电子设备微型化的**。亚利耶·艾佛莱姆和马克·瑞特在1974年提出，单个分子可以作为整流器，一个单向的电流导体。此后，科学家相继演示了单分子连接到金属电极上（单分子结）可用作多种元件，包括电阻器、开关、晶体管，以及二极管。由二极管充当电阀，其结构需要不对称，以使两个方向的电流处于不同环境。据物理学家组织网报道，为了开发单分子二极管，研究人员简单地设计了具有非对称结构的分子。“虽然这种不对称分子的确显示出一些类二极管特性，但它们并不有效。”论文**作者、博士生布莱恩·卡珀兹解释说，“设计良好的二极管应只允许电流沿一个方向流动——接通方向，并且电流强度要大。非对称分子设计往往会出现接通（开）和断开（关）两个方向上都有微弱电流流过的现象，并且开电流和关电流的比率（整流比）通常都很低。而理想情况是，整流比应该非常高。”为了克服非

Littelfuse推出为快速充电外围设备而优化的低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司日前宣布推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA)，其旨在为电流密集型应用提供**的ESD保护，例如快速充电外围设备或电源USB。 SP1255P系列集成了三通道超低电容控向二极管和一个低压瞬态抑制二级管，可按IEC 61000-4-2标准对USB数据和ID针脚提供*大的防静电保护。 其动态电阻仅为0.3Ω，相比类似硅解决方案可将箝位电压至多降低23%。 工作电压为12V的高浪涌电流保护设备将被用于Vbus保护;此设备可抵御USB Vbus线路上高达100A的闪电级快速瞬变。SP1255P系列的典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携电子产品的ESD保护。“SP1255P系列采用新方法保护平板电脑和智能手机的充电功能免受由自然条件或电网不稳定而引发的高电流快速瞬变的影响。”瞬态抑制二极管阵列产品系列总监Chad Marak表示。 “其节省空间，外形小巧，是各种电路板空间有限的便携式消费电子产品ESD保护应用的理想选择。”SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列提供以下主要优势：• 动态电阻低至0.3Ω，相比类似硅解决方案可将箝

Vishay推出采用Filtron UV技术的新集成式紫外光传感器

Power Integrations推出的新款Qspeed 150 V二极管

Power Integrations推出新的Qspeed™ 150 V二极管产品系列。作为世界上*快的硅二极管，Qspeed LQA150系列器件还具备实现低EMI的出色软度。新款二极管基于该公司的Qspeed合并PIN技术设计而成，具有市场上*低的结电容(CJ)和*低的反向恢复电荷(QRR) – 分别比肖特基二极管低60%和40%。这种独特的特性平衡组合能够实现高频率工作，因而可以使用尺寸更小、成本更低的磁芯元件，同时保持*高效率。新器件具有出色的EMI性能，意味着还可以减少甚至省去对缓冲电容的需要，这有助于进一步提高效率和降低成本。Power Integrations产品营销总监Klaus Pietrczak表示：“我们的测试表明，这些器件是市场上速度*快且开关损耗*低的开关硅二极管。相较于*好的沟道型肖特基二极管，其性能至少高出两倍，它们特别适合高开关频率应用。”这些新型150 V二极管均采用共阴极配置，规格从10 A到40 A不等，非常适合DC/DC转换器以及硬开关或软开关的输出整流管。LQA150二极管现在可随时提供DPAK、D2PAK和TO-220封装，以10000个的订货

ROHM集团马来西亚工厂将投建新厂房 以强化分立元器件的产能

全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的二极管等分立元器件产品的生产能力，决定在ROHM旗下的马来西亚制造子公司ROHM ‐ WAKO　ELECTRONICS (MALAYSIA)SDN.BHD.(以下简称RWEM)投建新厂房。新厂房为地上3层建筑，总建筑面积达38,250㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预计将于2015年7月动工，于2016年8月竣工。一直以来，ROHM集团都致力于通过更新***且高效率的制造设备来实现生产能力的强化。然而，为了进一步满足日益高涨的需求，继RIST(即ROHM旗下的泰国制造子公司“ROHM Integrated Systems(Thailand) Co., Ltd.”)之后，在RWEM也将投建新厂房，以加速提高生产能力。另外，随着新厂房的建成，RWEM的二极管产品生产能力将扩大约2倍。新厂房在通过采用LED照明和高效空调设备等来力求实现节能化的同时，还具备防洪对策等完善的BCM(Business Continuity Management / 业务持续管理)体制。今后，ROHM集团将继续把握市场行情，在强化生产能力的同时，严格贯彻实施

Littelfuse推出SLVU2.8-8系列2.8V、30A瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司日前宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8V、30A瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)，该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。 与市场同类解决方案相比，SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力，具有更高的电气**系数。 它还具有比其它解决方案低57%的电容，有助于保持信号完整性，并将数据丢失率降至*低。SLVU2.8-8系列的典型应用包括保护10/100/1000以太网设备、WAN/LAN设备、开关系统、桌面计算机、服务器、笔记本电脑、模拟输入和基站。瞬态抑制二极管阵列产品线经理Tim Micun表示：“每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。这些符合AEC-Q101标准的设备可**地吸收±30kV的反复性ESD震击，并在极低的箝位电压下**地耗散高达30A的电流。”所有SLVU2.8-8系列瞬态抑制二极管阵列都具有以下重要优势：• 比同类市场解决方案高出25%的电源处理能力，并具有更高的电气**系数。• 每条线路的电容仅为2.6pF，比其它解决方案低57%，有

Littelfuse推出适用于汽车和高可靠性应用的SLD系列瞬态抑制二极管

Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，宣布推出了适用于汽车和高可靠性应用的SLD系列瞬态抑制二极管。 这款符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管旨在保护敏感电子设备不受抛负载和其它瞬态电压现象造成的瞬态电压影响。 它采用标准P600封装，具有5000W(10/1000μs)或2200W(抛负载)的额定脉冲峰值功率耗损。 SLD系列将紧凑型设计和**的电气性能融于一体，使电路设计师能够在其现有的设计尺寸中自由地升级电路保护，或者为新项目提供更稳健可靠的抛负载保护。 SLD系列瞬态抑制二极管的应用包括ECU、TCU、BCM、传感器以及娱乐系统等汽车电子产品的直流电源保护和ESD防护，以及需要高可靠性的其他长脉冲应用。“新款SLD系列瞬态抑制二极管符合AEC-Q101认证，因此非常适合高可靠性应用。 它可以提供非常适合汽车应用的额定脉冲峰值功率耗损，”汽车瞬态抑制二极管产品线全球产品经理Charlie Cai表示。 “此产品可帮助汽车电源系统通过ISO7637-2和ISO16750规定的5a和5b浪涌测试并保持正常运行。 这些标准在汽车行业被广泛用作瞬变规范的依据。”SLD

Littelfuse推出符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管

中国，北京，2014年12月24日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，宣布推出了适用于汽车和高可靠性应用的SLD系列瞬态抑制二极管。 这款符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管旨在保护敏感电子设备不受抛负载和其它瞬态电压现象造成的瞬态电压影响。 它采用标准P600封装，具有5000W（10/1000μs）或2200W（抛负载）的额定脉冲峰值功率耗损。 SLD系列将紧凑型设计和**的电气性能融于一体，使电路设计师能够在其现有的设计尺寸中自由地升级电路保护，或者为新项目提供更稳健可靠的抛负载保护。 SLD系列瞬态抑制二极管的应用包括ECU、TCU、BCM、传感器以及娱乐系统等汽车电子产品的直流电源保护和ESD防护，以及需要高可靠性的其他长脉冲应用。“新款SLD系列瞬态抑制二极管符合AEC-Q101认证，因此非常适合高可靠性应用。 它可以提供非常适合汽车应用的额定脉冲峰值功率耗损，”汽车瞬态抑制二极管产品线全球产品经理Charlie Cai表示。 “此产品可帮助汽车电源系统通过ISO7637-2和ISO16750规定的5a和5b浪涌测试并保持正常运行。 这些标准在

Diodes推出全新超级势垒整流器SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP

Vishay的新款超薄BiAs单线ESD保护二极管非常适用于各种便携式电子产品

Vishay 新款超薄BiAs单线ESD保护二极管用于各种便携式电子产品

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 1 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的双向和对称（BiAs）单线ESD保护二极管---VESD15A1-HD1-G4-08。该二极管具有超过15.5V的反向雪崩击穿电压和低正向电压，采用超小的LLP1006-2L封装。Vishay Semiconductors VESD15A1-HD1-G4-08具有1.0mm x 0.6mm的小占位和不到0.4mm的厚度，在智能手机、平板电脑、游戏机和MP3播放器等产品中可减少ESD保护所需的电路板空间。对于这些设备，该二极管的泄漏电流小于0.01μA，在0V下的负载电容为45pF，能提供优异的到地隔离性能。任何超过15.5V反向击穿电压的瞬态电压信号都将被钳位，并短路到地。负极性瞬态电压信号在正方向上驱动二极管，也会被钳位到地电平以下。器件在1A电流下的*大反向和正向钳位电压分别为20V和1.3V。VESD15A1-HD1-G4-08能够为一条数据线提供瞬态保护，保护等级达到per IEC 61000 4 2要求的3

Littelfuse推出了SP1012系列瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse推出了SP1012系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)。这款小体积、5通道6.5pF、15kV双向瞬态抑制二极管阵列设计用于通用静电放电(ESD)保护。 SP1012系列将5个ESD二极管置于0402规格(0.94毫米 x 0.61毫米)的倒装式封装中，而该规格通常只能容纳1个二极管，空间较以往改善5倍。SP1012系列在不到1平方毫米的封装空间内能容纳*多的ESD二极管，从而帮助电路设计人员降低成本、节约印刷电路板(PCB)空间。 这款功能强大的二极管可以IEC61000-4-2国际标准规定的***别**地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。 存在交流信号时，双向配置可为数据线提供对称ESD保护。 SP1012系列是保护电容式触摸屏柔性PCB上数据线路的理想器件。 应用范围包括可穿戴技术、智能手机、移动电话、触摸屏控制器以及SIM卡等设备接口的ESD保护。Littelfuse公司SP1012系列瞬态抑制二极管阵列产品线主管Chad Marak 表示：“SP1012系列在0402规格的空间里容纳了5个通道的ESD保护，对于那些为日益增长的‘可穿戴’设备和消费者

ROHM新开发出高电压型齐纳二极管

Vishay发布用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

Vishay发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。今天推出的600V快速体二极管MOSFET采用**代超级结技术制造，很好地补充了Vishay现有的标准E系列元器件，扩充类似相移桥和LLC转换器半桥等可用于零电压开关(ZVS)/软开关拓扑的产品。SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍以上，可在这些应用中提高可靠性。低反向恢复电荷使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而失效。另外，减小Qrr使器件的反向恢复损耗低于标准的MOSFET。28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4种封装，分别具有123Ω和98Ω的超低导通电阻及栅极电荷，能够在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/银盒PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、半导体

Littelfuse推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列

Littelfuse推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列(SPA®二极管)。 这些强健的0.35pF、20kV双向(背对背)离散式TVS二极管可以在不降低性能的情况下，**吸收高于IEC61000-4-2国际标准*高等级的反复性ESD放电。 存在交流信号时，SP3022系列背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。 这些二极管阵列具有超低负载电容(0.35pF)，因此*适合保护高速数据线，例如所有HDMI和USB、DisplayPort™、V-by-One™和eSATA的发行版本。 还非常适用于消费电子产品，例如机顶盒、游戏机、智能电话、超级本、笔记本电脑、平板电脑和电子阅读器。SP3022系列瞬态抑制二极管阵列具有以下主要优点：• 0.35pF的超低电容*大限度降低了高速数据的信号恶化或衰减，使工程师在设计中获得更多信号余量;*适合保护高速数据线，例如HDMI 2.0、USB 3.0、USB 3.1及eSATA。• 0.7Ω低动态电阻的箝位性能比类似解决方案低30%以上，从而为敏感芯片组提供更好的保护。• 在*大VRWM条件下，小于10nA的极低漏电保护了电池续航时间和

意法半导体推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管

意法半导体推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。这些二极管让设计人员能够研发更小的电源模块，这不仅对汽车电源系统有益，还使其成为克服Google和IEEE提出的逆变器小型化挑战的关键选择。Google出资高达100万美元奖金征集比现有逆变器的十分之一还小，且适合各种应用领域，特别是太阳能微型发电机 (solar micro-generator) 的千瓦级逆变器设计;意法半导体是这项公开挑战赛的合作厂商。新款二极管采用先进技术，防止大脉冲电流 (high-current spikes) 烧毁装置。为了**起见，设计人员至今还在超额使用二极管。意法半导体开发的新产品彻底改变了这一局面，过流保护值是额定电流值的2.5倍，因此设计人员可选用更小、更经济且可靠性和能效都不会受到影响的电流更小的二极管。意法半导体的新碳化硅二极管通过汽车级产品测试，极性接反击穿电压提高到650V，能够满足设计

意法半导体推出1200V IGBT 使用寿命更长、更节能

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列SM712系列

Littelfuse公司日前宣布推出了SM712系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)，旨在保护具有不对称工作电压(-7V 到12V)的RS-485应用免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。 SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的***别**地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。并可在极低的箝位电压下**地耗散高达19A的浪涌电流。 这一符合AEC-Q101标准的器件可确保在严苛的工业环境下达到*高可靠性，因而非常适合工业应用，包括为**系统、自动柜员机(ATM)和测试设备中的RS-485端口提供保护。SM712系列产品线主管Chad Marak表示：“相比行业其它解决方案，SM712系列的功率处理能力要高出50%，这给设计人员达到世界各地法规标准带来了更多的自由度。它还具有汽车级质量，使得设计人员对其用于高温工业环境的保护解决方案更加放心。”SM712系列瞬态抑制二极管阵列具有以下主要优点：• 出色的功率处理能力(600W)和增强的ESD浪涌保护。SM712系列的功率处理能力比行业其它解决方案高出50%，给设计人员达到世界各地

一种小型化射频收发前端的设计

Littelfuse宣布推出新型瞬态抑制二极管阵列SPHV和SPHV-C

解析LED损坏原因及延长寿命方法

白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。造成LED损坏的原因主要有：①供电电压的突然升高。②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。③某个LED因为自身的质量原因损坏因而形成短路，它原有的电压降就转嫁到其他LED上。④灯具内的温度过高，使LED的特性变坏。⑤灯具内部进了水，水是导电的。⑥在装配的时候没有做好防静电的工作，使LED的内部已经被静电所伤害。尽管施加的是正常电压和电流值，也是极易造成LED的损坏。那么，我该怎么样进行LED电路的保护呢?1.保护电路中采用保险丝 由于保险丝是一次性的，且反应速度慢，效果差、使用麻烦，所以保险丝不适宜用于LED灯成品中，因为LED灯现在主要是在城市的光彩工程和亮化工程。它要求LED保护电路要很苛刻：在超出正常使用电流时能立即启动保护，让LED的供电通路就被断开，使LED和电源都能得到保护，在整个灯正常后又能够自动恢复供电，不影响LED工作。电路不能

Littelfuse公司宣布推出IGBT模块和整流器二极管模块

可提供标准和定制解决方案，确切满足要求Littelfuse公司是全球电路保护领域的**企业，日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和*高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值*高为1800V和200A，提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有*高200A的输出电流。 该整流器二极管模块设计用于常规高压应用，如高压稳压电源、照明电路、温度和电机速度控制电路、UPS和电池充电器。 这两个产品系列均提供标准和定制解决方案，以确切满足电路设计人员的性能标准。Littelfuse IGBT模块功率半导体业务发展经理Richard Bono 表示：“这些IGBT模块非常适合用于制造灵活高效的电机控制器和逆变器应用。这些产品非常适用于工业电子产品，比如工业驱动与运动控制硬件、

ST二极管**技术可大幅缩减充电器尺寸 并可加快充电速度

Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块

Littelfuse公司日前宣布，为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和*高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值*高为1800V和200A，提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有*高200A的输出电流。 该整流器二极管模块设计用于常规高压应用，如高压稳压电源、照明电路、温度和电机速度控制电路、UPS和电池充电器。 这两个产品系列均提供标准和定制解决方案，以确切满足电路设计人员的性能标准。功率半导体业务发展经理Richard Bono 表示：“这些IGBT模块非常适合用于制造灵活高效的电机控制器和逆变器应用。这些产品非常适用于工业电子产品，比如工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源、开关电源和焊接机械。”

德豪润达新一代LED照明技术实现量产

科技日报广州6月8日电（记者瞿剑）国内*大的发光二极管（LED）照明企业集团德豪润达今天在此间发布其*新一代LED芯片——以天狼星命名的倒装芯片，以及芯片级封装（CSP）产品，宣布这一代表LED照明未来的主流技术实现大规模量产。采用二极管固体芯片发光的LED照明，以其大幅节能、高光效和长寿命，被誉为继节能灯之后的第四次照明技术**；而与传统正装芯片相比，倒装芯片发光效率更高，性能更稳定，并且单颗芯片光效的提升减少了芯片在光源中的使用数量，提高了LED光源的可靠性。专家介绍，新一代天狼星倒装芯片与同级芯片产品相比，具有更高的光效和更持久的稳定性，它以高亮度低正向电压、高达1A／mm2的驱动电流，以及低热阻和高可靠性，在整体性能上可居世界三强、亚洲**。德豪润达董事长王冬雷表示，此次发布的倒装芯片，继2013年德豪润达发布以北极光为代号的***LED芯片之后，进一步提升了性能和应用的广泛性，同时“将成本作了技术性降低，比如，用我们的二颗倒装芯片做成的5瓦灯泡，相比可替代的10—12瓦节能灯，售价相当甚至更低”。与数量众多的含汞节能灯相比，LED照明的环境效应也相当显著。王冬雷算了这样一笔账

Littelfuse宣布推出200W瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司日前宣布推出了SM24CANA系列200W瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)以保护汽车的控制器区域网络(CAN)总线免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其它过压瞬变的影响。 它可以在高于IEC 61000-4-2国际标准规定的***别情况下，**地吸收反复性ESD放电，而其性能不会减退;并能在极低的箝位电压下**地耗散3A的波形浪涌电流。 这一符合AEC-Q101标准的器件有助于获得汽车用电子应用比如线控驱动(CAN总线)系统、发动机控制模块、动力总成电子装置、防抱死刹车系统、气囊和其它**电路维持*高水平的可靠性。 它也适用于可能因雷击或ESD带来损害的工业CAN总线应用。相比市场上的其它同类解决方案，SM24CANA系列可提供更低的动态电阻，将性能提升了10%。 瞬态抑制二极管阵列产品系列总监Chad Marak 表示：“SM24CANA系列为消费者提供了更高层次的保护解决方案，有助于延长关键设备的使用寿命，能在满足苛刻的汽车AEC-Q101质量标准所有相关要求的同时提供更可靠的ESD保护，预期SM24CANA将成为汽车电子保护应用的新标杆。”

一种基于单片机的节能断电保护电路设计

一种新思路的机动车辆跟踪防盗系统设计

GPS就是这样一种能实现高精度、全天候、高效率、多功能、操作简便、价格可接受的高科技定位产品。而GSM能通过数据业务和短消息业务，很好的传递控制和定位信息。因此，GPS和GSM这两个当今热门技术结合的产物，将*大程度的满足人们对移动目标的跟踪需求。1.引言GSM网络的不断发展使我们生活交往拉近了距离。GPS定位系统使我们知道了我们的**地立足点。于是两者的结合形成了一套系统让我们实现了传说中的“千里眼、顺风耳”概念。为了进一步了解该系统，本课题基于GSM、GPS技术结合单片机总控管理来实现远程跟踪的目的。2.系统总体结构设计该系统主要有电源部分、MCU单片机控制部分、GPS定位数据实时采集部分、GSM数据传输部分、外部信号检测部分、振铃提示以及对外控制部分组成。3.电路模块设计3.1 系统电源电路设计该设备采用12V供电，经LM7805降压，将电压稳到5V从而供单片机、定位模块的部分供电;5V电压再经过二极管1N4007,由于二极管导通会有0.7V的压降，于是可以得到4.3V的电压，由于GSM模块的电压使用范围是3.4-4.5V,所以4.3V可以是GSM模块稳定工作。3.2 MCU单片

法国研究人员开发出首例单分子LED

据物理学家组织网2014年2月3日报道，为了挑战发光二极管（LED）*小化极限，法国史特拉斯堡大学、法国第六大学以及法国国家科学研究院的研究人员合作已经开发出由单个分子构成的LED。 该LED是由一根聚噻吩（polythiophene）线放置在扫描隧道显微镜和黄金表面之间而形成。它只有当电流通过时才会沿某一方向发光。这个实验绝妙地揭示了电-光之间转化设备的*小尺度。此外,它也代表了创建未来分子计算机组件向前迈进了一大步。这项研究成果不久前已经在《物理评论快报》（Physical Review Letters）杂志上发表。 LED本身就是一个当电流通过时才会发光的组件, 只在某一方向让光线通过。LED在日常生活中起着重要的作用如灯光指示器等，它们在照明领域也是前景辉煌，在照明领域正在逐步掌控市场。LED的主要优势就是可以使其尽可能变得非常小，所以可以获得点光源。考虑到这一点，LED*小型化障碍*近终于被法国研究人员所克服：他们联合攻克难关，已经生产出首例仅仅由一个分子构成的LED。为了实现LED*小化的目标，他们采用一根聚噻吩线，聚噻吩是一种良好的电导体。它是由氢、碳和硫三种元素组成的聚

基于STM32的高频无线调制信号分析仪的设计与实现

检测电缆故障点的电磁传感器设计与实现

摘要 电磁传感器是根据电磁感应原理用于检测电磁信号的。在**检测电缆故障点时，根据故障点产生的磁场变化，电磁传感器拾取到这种变化的磁场信号，并将其转换成感应电压，感应电压经放大、整流处理后，用于后续检测指示电路，*后确定故障点的位置。目前电力系统中，电能传送主要通过导线完成，导线主要有架空线和电缆两种。同架空线相比，电力电缆具有送电可靠、受环境污染小、无需占用地上面积，从而保障了人身**、提高了输电线路的输送能量等。但地下电缆一旦发生故障排查成为难题，如果处理不及时造成停电会浪费大量的人力物力。为了避免此类情况发生，找到一种快速、准确的电缆故障定位方法是本文研究重点。在进行电缆故障测距时，无论采用哪种仪器或测量方法，由于电缆多埋设在地表下，所以在丈量和绘制电缆线路图时会产生误差，因此根据测距结果只能确定电缆故障的大体位置。为了减少开挖工作量，测距之后，需在地面上进行**定点工作。而**定点方法中应用较多的有声磁同步法和音频感应法，两者对于电缆的大部分故障都能检测到，而检测故障点过程中关键是拾取电磁信号的电磁传感器，本文就此传感器进行了研究和设计。1 原理无论使用音频感应法还是声磁同步法