Vishay发布针对CSA编码特殊检验要求的NGR系列中性点接地电阻

Vishay双向单路ESD保护二极管可有效保护汽车数据总线的**

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两颗新的采用小尺寸SOD-323封装的双向单路ESD保护二极管VLIN1626-02G和VLIN2626-02G。Vishay Semiconductors 的两款器件的尺寸为1.95mm x 1.5mm，高度只有0.95mm，具有低电容和低漏电流，可保护汽车数据总线免受瞬变电压信号的影响。对于LIN总线应用，今天发布的二极管为一条数据线提供了符合IEC 61000-4-2的±30kV（空气和接触放电）的瞬变保护。两颗器件通过了AEC-Q101认证，典型负载电容为15.5pF，*大为18pF，*大漏电流小于0.05μA，工作电压为-16V/+26.5V或±26V。保护二极管无铅，符合RoHS。新的VLIN1626-02G和VLIN2626-02G现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。VISHAY简介Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强

Vishay新款双列直插薄膜电阻网络可实现高精度分压器

日前，Vishay宣布，发布比前一代SOIC器件的性能更好，尺寸更小的新系列表面贴装、高精度双列直插薄膜电阻网络---MORN。Vishay Dale Thin Film MORN系列的*大密封高度为1.10mm，具有±1ppm/℃的更低TCR跟踪，±0.01%的更严格电阻比共差，在70℃下经过2000小时后仍能保持0.015%的优异长期电阻比稳定性。MORN系列器件有4个阻值从400Ω到100kΩ的相互隔离的电阻。电阻网络采用符合JEDEC MO-187 variation AA的小尺寸25mil间距、8pin脚MSOP封装，具有耐用的模塑结构，每个电阻芯的典型功率等级为50mW。MORN电阻网络的集成结构能实现比分立SMD片式电阻更高的精度，使其非常适合精密分压器和单位增益运算放大器电路。典型*终产品包括通信、工业、过程控制和医疗仪器。器件具有小于-30dB的极低噪声，电压系数为0.1ppm/V，工作温度范围为-55℃～+125℃。MORN系列器件符合RoHS，无卤素。新电阻网络现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

Vishay新款双向单路ESD保护二极管有效保护汽车数据总线**

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两颗新的采用小尺寸SOD-323封装的双向单路ESD保护二极管VLIN1626-02G和VLIN2626-02G。Vishay Semiconductors 的两款器件的尺寸为1.95mm x 1.5mm，高度只有0.95mm，具有低电容和低漏电流，可保护汽车数据总线免受瞬变电压信号的影响。 对于LIN总线应用，今天发布的二极管为一条数据线提供了符合IEC 61000-4-2的±30kV（空气和接触放电）的瞬变保护。两颗器件通过了AEC-Q101认证，典型负载电容为15.5pF，*大为18pF，*大漏电流小于0.05μA，工作电压为-16V/+26.5V或±26V。保护二极管无铅，符合RoHS。新的VLIN1626-02G和VLIN2626-02G现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。

Vishay新款三相桥式功率模块可提高系统可靠性降成本

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

日前Vishay宣布推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK 8x8封装符合RoHS，无卤素，完全无铅，可替换传统的TO-220和TO-263封装的产品，达到节省空间的效果。PowerPAK® 8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的Kelvin源极连接脚，把栅极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现L x di / dt电压降，避免施加到E系列MOSFET上的栅极驱动电压出现跌落，从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay*新的高能效E系列超级结技术制造，在10V电

Vishay 推出带有硅树脂透镜的新系列陶瓷底、高功率UV LED的首批两颗器件

日前，推出带有硅树脂透镜的新系列陶瓷底、高功率UV LED的首批两颗器件---VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120。Vishay Semiconductors VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120使用寿命非常长，采用小尺寸3.5mm x 3.5mm表面贴装封装，具有可靠、节能的优点，可取代汞灯，用于医疗、工业和印刷应用。VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120使用硅树脂透镜，使用寿命远远超过典型的汞灯。环境友好的UV LED不含重金属，具有良好的耐冲击能力，不会因频繁的开/关切换而劣化，提高了可靠性。汞灯需要复杂的驱动电路和2～15分钟的时间来预热，而 VLMU3500-385-060和VLMU3500-385-120只需要使用简单的低压电路，且无需预热。今天发布的器件采用 InGaN(铟镓氮化物技术)制造，500mA和700mA下的典型辐射功率为780mW和1037mW，波长范围在380nm和390nm之间。 VLMU3500-385-060的发射角为60℃，VLMU3500-385-120的发射角

Vishay推出新款高精度Power Metal Strip®检流电阻

Vishay推出3232外形尺寸的新款汽车级IHLP超薄、大电流电感器

Vishay新款栅格电阻具有24kW的高功率和可达+400℃的工作温度

器件采用焊接结构和双面绝缘等鲁棒性设计，使可靠性达到*大 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 11 月24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay Dale Resistors的产品线之一，具有24kW的高功率等级、+400℃的工作温度及鲁棒性的设计，使设计者能十分方便地直接替换竞争产品。今天推出的栅格电阻在+40℃下的功率从4kW到24kW，适用于铁路/公路交通、谐波滤波器、可再生能源系统及工业系统中的电容器预充电和放电、动态制动、负载检测、加热器和中性点接地。器件的阻值从 0.25Ω到50Ω，公差为±10%，电感从10μH到40μH。GRE2系列具有不锈钢盘芯、陶瓷绝缘体和多个抽头，焊接结构和双面绝缘实现了高可靠性，能够进行*高效的冷却。这些符合RoHS的工业级功率电阻采用模块化或定制设计，能安装在IP20（室内标准）和IP23（室外标准）的外壳里，为应用提供合适的保护级别。GRE2系列栅格电阻现

Vishay推出针对高功率表面贴装射频应用的高性能RCP系列厚膜电阻

Vishay发布新系列防脉冲且耐硫的厚膜电阻

Vishay发布可替代机械继电器的新型高可靠混合固态继电器

Vishay推出3232外形尺寸的新器件－－IHLD－3232HB－5A

Vishay宣布，推出3232外形尺寸的新器件---IHLD-3232HB-5A，扩展其IHLD系列超薄、大电流的双片电感器产品线。 IHLD-3232HB-5A已通过AEC-Q200认证，其工作温度范围达到+155℃，把两颗电感器组合在一个9.75mm x 9.14mm的封装内，能有效节省电路板空间。今天发布的Vishay Dale电感器适用于汽车和商用的D类放大器电路，减少所需的电路板空间，且性能优于由多个电感器组成的方案。另外，IHLD3232HB-5A在工作温度范围内和直流电流下具有**的电感稳定性，实现了高质量的声音效果，减少了由线性饱和性能引起的谐波畸变。电感器对经过精心设计，具有非常低的耦合，使电感器之间的串扰*小化。通过AEC-Q200认证的电感器使用Vishay的IHLP®技术制造，*大DCR从29.2mΩ到159.43mΩ，电感从5μH到33μH，额定电流达6A。根据客户要求可提供其他数值的产品。IHLD-3232HB-5A使用完全无铅的屏蔽、复合结构封装制造，规定的工作温度范围为-55℃～+155℃，对热冲击、潮湿、机械冲击和振动具有很强的抵御能力。参与Qualc

Vishay的SiC530CD荣获《今日电子》杂志的Top-10电源产品奖

2015年9月25日-日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，该公司的SiC530CD30AVRPower®集成功率级荣获《今日电子》杂志和21IC的第十三届年度TOP-10电源产品奖。SiC530CD具有PS-4模式轻负载支持，可用于笔记本电脑和超极本，并凭借其高密度、高能源效率和不到16mm2的小尺寸而获奖。 Top-10电源产品奖已成为业内**DC/DC产品的标志性奖项。先由21IC的和《今日电子》的编辑根据**的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比显著提升等指标选出入围产品，再由专家组评选出获奖产品。 SiC530CD采用小尺寸3.5mmx4.5mmPowerPAK®封装，集成同步降压稳压器所需的高性能驱动器，以及高边和低边MOSFET。这种独特的封装结构使杂散电感和电阻*小化，实现超过1.5MHz的开关频率、30A的连续电流和40A的峰值电流。与Vishay的前一代分立方案相比，新的SiC530CD器件占板面积只有其45%，并且不会损失效率。下一代笔记本电脑和超极本要求电流提高50%以上，这颗器件减少了占位面积，可

Vishay发布新型红外发射器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器---VSLY5940、VSMY1940X01、VSMY3940X01、VSMY2940G/RG和VSMY14940，扩展其光电子产品组合。这些Vishay Semiconductors器件采用Vishay的SurfLight表面发射器芯片技术，辐照强度比标准的红外发射器高5倍以上，在各种红外照明、数据传输和手势识别应用中可减少元器件数量，提高性能，降低方案成本。今天发布的器件包括一个带抛物线透镜的5mm插脚红外发射器，8个采用0805、PLCC-2封装，含顶视、侧视SMD器件。不同于由从芯片各个方向发光的红外发射器，Vishay的SurfLight器件把几乎所有光和功率由芯片的上侧发射出去。由于把大部分光集中在表面，这些器件实现了更高的强度，带插脚的发射器的辐照强度达到惊人的600mW/sr，SMD器件的辐照强度从10mW/sr到120mW/sr。SurfLight发射器具有高亮度，插脚的器件半强角为±3°，SMD器件半强角从±9°到±60°。凭借940nm

Vishay推出0612和1020外形尺寸的新器件

Vishay推出卡扣式功率铝电容器

Vishay推出超薄10A～30A FRED Pt®整流器

Vishay推出高精度双列直插式薄膜电阻网络

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q200认证的新系列高精度双列直插式薄膜电阻网络---AORN。Vishay Dale Thin Film AORN系列具有±5ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严格分压比公差，在+155℃下经过1000小时后的长期分压比稳定率为0.015%。为提高ESD和潮湿防护能力，电阻网络在高纯度铝或陶瓷衬底上构造出一层氮化钽电阻膜。AORN系列器件有两种配置：在同样的封装内，用做1kΩ～100kΩ的4个等值电阻和用做分压比从1:1到1:100的两个电阻分压器。电阻网络具有耐用、模塑的50mil节距结构和窄形(0.150英寸)8-pin SOIC封装，符合JEDEC MS-012。器件每个电阻芯的典型功率为100mW。AORN电阻网络的集成结构能够实现比分立SMT芯片更高的精度，非常适合精密分压器、运算放大器和电池管理应用。典型*终产品包括汽车、通信、工业、过程控制和医疗设备。电阻网络通过AEC-Q200各项认证，10kΩ以上电阻的ESD高达2kV。器件具有小于-30dB的极低噪声，电压系数小于0.1ppm/

Vishay新款超薄固钽SMD模塑片式电容器可有效节省空间

Vishay新款超薄固钽SMD模塑片式电容器有效节省空间

Vishay珠海工厂获OHSAS 18001:2007和ISO 14001:2004认证

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，Vishay HiRel Systems LLC的珠海工厂获得职业健康**管理体系标准(OHSAS)18001:2007和国际标准化组织(ISO) 14001:2004认证。BSI(英国标准学会---Britain Standard Institute，简称BSI)对该厂进行了登记审核，准许该厂生产磁性器件。OHSAS 18001:2007是全球使用的职业健康**管理体系的英国标准。通过开展*佳实践，该标准能帮助所有类型的组织实施比较健全的职业健康管理和**措施。ISO 14001:2004是全球标准，涵盖必要的流程和实践，通过大幅减少能源和原材料消耗，以及减少废弃物的产生，来限制对环境的影响。该认证要求一个组织能够确定其运作对环境的影响，采取适当的文档控制，通过系统性的方法，持续改善其环境绩效。Vishay HiRel的珠海工厂生产定制的磁性产品，包括电感器、天线线圈和变压器。公司按照OHSAS 18001:2007和ISO 14001:2004的严格要求生产这些元器件，兑现保持**、无

Vishay新款 BiSy单线超低电容ESD保护二极管VBUS05B1-SD0

Vishay的新款NTC热敏电阻管芯为用户提供与IGBT相同的安装方式

Vishay宣布，发布两个新的无引线NTC热敏电阻裸片---NTCC300E4和NTCC200E4，在上表面和下表面实现接触，为设计者提供与IGBT半导体相同的安装方式。Vishay BCcomponents NTCC300E4使用金金属层，支持金线键合和导电胶胶合;NTCC200E4使用银金属层，支持铝线键合，可采用回流焊和纳米银膏烧结。今天发布的器件适用于温度检测、控制，汽车和工业应用里的补偿。*终产品包括IGBT模块、功率逆变器、电机驱动，以及电动汽车和混合动力电动汽车、太阳能电池板和风电机组里的混合集成电路。NTCC300E4和NTCC200E4使用导电PS气泡带包装，耐浸出，在-55℃～+175℃温度范围内具有很高的稳定性，经过1000小时后的漂移小于3%。这些器件对热冲击具有非常高的抵御能力，经过1000次(热冲击)循环后的漂移小于3%，符合AEC-Q200汽车标准的要求。热敏电阻符合RoHS，在+25℃下阻值(R25)为4.7kΩ～20kΩ，公差低至±1%，beta值(B25/85)从3435K到3865K，公差低至±1%。器件的*大功率耗散为50mW，响应时间为5秒。N

Vishay推出的新款标准整流器采用薄型SMPD封装，为汽车应用提供ESD功能

日前，Vishay宣布，推出三款通过AEC-Q101认证，电压100V至600V的新款标准整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。这三款整流器具有ESD功能，电流等级从10A到20A。为了满足空间受限应用的需求，它们采用了SMPD(TO-263AC)封装，这种封装具有1.7mm的极低高度，占位兼容D2PAK。在12A电流下，SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1的典型正向压降低至0.96V，减小了汽车应用里通用电源线极性保护的功率损耗，并提高了效率。至于ESD功能，这些器件在使用AEC-Q101-001人体模型(接触模式)情况下的性能达到H3B级(>8kV)。新整流器采用氧化物平面芯片技术制造，*高工作结温为+175℃，MLS潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的1级，LF*高峰值为260℃。器件非常合适自动放置，符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A标准的无卤素要求。器件规格表：SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1现可提供样品，并已实现量产，大宗订

Vishay推出具有I2C接口的小尺寸、集成式、高性能RGBW颜色传感器

Vishay发布一颗采用可实现准确RGBW光谱感光度的Filtron技术，并具有响应接近实际人眼的环境光光谱感光度的数字RGBW传感器---VEML6040。Vishay Semiconductors的这款器件把PIN光电二极管(RGBW)和信号处理IC集成在小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm表面贴装封装里，提供I2C总线接口，以简化操作。今天推出的这款器件可检测红光、绿光、蓝光和白光，每个颜色通道的分辨率为16位。VEML6040非常适合智能手机、数码相机、电视机等消费类产品，让这些产品可以根据环境光来调整背光的亮度和色温，使LCD和LED屏幕看起来更舒适。传感器把颜色平衡、背光控制和色温检测所需的电路包含在一个器件里，可节省空间，同时不需要外置电阻，从而降低成本，简化设计。VEML6040d的内置环境光光电二极管具有极高的感光度，能探测0.0056lx～11.7klx的光照度，使器件可以工作在有暗镜的应用里。传感器对荧光频闪没有响应，在关机模式下的电流小于1μA，在-40℃～+85℃范围内能提供优异的温度补偿。器件的工作电压和I2C总线电压为2.5V～3.6V，采用

Vishay推出采用Filtron UV技术的新集成式紫外光传感器

Vishay新款 20V MOSFET可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性

Vishay为其定制薄膜基板增加侧边图形，进一步提高设计灵活性及密度

日前，Vishay宣布，其定制薄膜基板新增加一种侧边图形化---SDWP基板，使Vishay能够用小的线路宽度和间隔尺寸，在基板的*多4个表面上制造出导电图形，可在国防、航天、医疗和电信设备里提高设计灵活性和密度，以实现小型化。不像采用镀层或填孔的传统方法，Vishay Dale Resistors Electro-Films产品线使用能在侧边和上表面进行芯片粘结或引线键合的SDWP基板。与引线键合相比，侧边图形连接的电感更低，因此在高频下工作得更好，使得这些器件非常适合机电或光电应用里的定制电路，射频应用中的高频电路，以及高比特率收发器(TOSA/ROSA)。使用这种基板，设计者可以在芯片的上表面和下表面之间实现连续的导电图形，把引线键合连到芯片侧边的印制线上，或用pin脚与芯片的侧边实现接触。SDWP还能让设计者把芯片安装在基板上，在直立组装中定位基板的位置，且引线键合放到变成基板“上表面”的地方，这样就能与产品里的光纤、棱镜和透镜等光学元件实现更好的集成。SDWP基板的镀层厚度小于0.025英寸，*小线宽和间隔小于0.003英寸，线宽和间隔公差低至±0.001英寸。与厚膜方案相比

Vishay发布用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

Vishay推出新款高性能且超薄的表面贴装聚合物钽式电容器

Vishay推出新款超薄、大电流、汽车级电感器

Vishay发布新的表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSHM2818

Vishay推出新系列高可靠性的中性点接地电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻---NGR系列器件。Milwaukee Resistors(Vishay Dale Resistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成，安装在耐用、耐候，具有极高电压隔离的IP23外壳里，具有高线路中性点和系统电压，工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案，可为Y形(星形)配置的发电机和变压器提供接地故障、过压和短路保护，使之不会超过IEEE-32规定的温度极限。器件的线路中性点电压为1.39kV～8kV，系统电压从2.4kV到13.8kV，电流等级为100A～1000A。电阻的阻值为1.39Ω～80Ω，电阻公差为±10%。电阻符合RoHS，采用捆绑式设计，消除了组装和提升眼里的浮动电压，以实现**和简便的安装。NGR系列采用不锈钢芯体、陶策绝缘子和多个抽头，焊接结构实现了很高的可靠性。另外，器件的开放式设计使冷却效率达到*高。电阻单元以模块或客户定制的方式提供。NGR系列现可提供样品，供货周期为五周到六周。

Vishay发布新系列X1电磁干扰抑制薄膜电容器---F339X1

Vishay推出**新系列稳压二极管---PLZ系列

Vishay推出采用超小尺寸MicroSMF eSMP系列封装的**新系列稳压二极管---PLZ系列，耗散功率达500mW。PLZ系列具有极严格的电压公差、低泄漏电流和优异的稳定性，可承受8000V的ESD脉冲(人体模型)，节省PCB空间，能提高组装生产线的拾放速度。今天推出的Vishay Semiconductors器件具有500mW的功率耗散，电压公差为±2.5%，采用对称的玻璃SOD-323扁平引线封装。小占位加上不到0.6mm的低高度，PLZ系列器件占用的PCB空间比类似塑料或玻璃SMD封装的二极管少很多。这些器件适用电源和LED照明里的电压稳定和参考电压生成。PLZ系列二极管采用平面结构，可保证高性能、耐用度和可靠性。器件的潮湿敏感度等级(MSL)达到per J-STD-020的1级，LF*高峰值为+260℃，满足JESD 201 Class 2锡须测试要求，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。这些二极管非常适合自动贴片，支持波峰和回流焊，适配自动光学检查(AOI)系统。

Vishay发布业内**采用金属外壳和完全密封的Hi-Rel COTS固钽电容器

Vishay增强其通过AEC-Q200认证的PAT系列精密车用薄膜片式电阻

Vishay增强其通过AEC-Q200认证的PAT系列精密车用薄膜片式电阻，将阻值范围扩大到2.5Ω～3 MΩ。Vishay Dale Thin Film器件的标准TCR为±25ppm/℃，经过激光微调的公差低至±0.1%，可满足汽车行业对温度和湿度的要求，同时还具有一致的可重复性和稳定的性能。PAT电阻在高纯铝衬底上有一层钽氮化物电阻膜，在+70℃下1000小时内的负载寿命稳定率小于0.05%，ESD高达2kV。这些器件非常适合要求补偿低偏置和高温应用里温度漂移的低噪声单信号处理，适合混合动力/电动控制、能量管理、测量、电子秤和汽车电子里稳定的固定电阻应用。PAT系列有0402到2512共8种带卷包端接的外形尺寸，具有不到-35dB的超低噪声和小于0.1ppm/V的电压系数。器件的功率等级从50mW到1W，电压等级为75V～200V，工作温度范围-55℃～+155℃。PAT器件可耐受+85℃、85 %相对湿度，以及MIL-STD-202方法202规定的10%额定功率，达到UL 94 V-0的耐火要求，按照MIL-PRF-55342进行了100%的视觉检查。器件采用无铅端接，符合RoH

Vishay新系列混合ENergY储能超薄电容器具有超高的能量密度

Vishay推出线边绕制功率电阻的螺栓安装版本

Vishay新款IGBT模块为太阳能逆变器和UPS提供完整集成方案

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出专门为串接太阳能逆变器和**率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay Semiconductor模块在采用压合技术的单片封装内组合了超快Trench IGBT、高效HEXFRED®和FRED Pt®二极管，用热敏电阻轻松实现热管理，为基于三电平中性点钳位(NPC)拓扑和交叉多通道MPPT(*大功率点跟踪)的升压转换器提供了完整的集成方案。通过集成设计，今天发布的这些器件可帮助设计者缩短产品上市时间，提高系统整体性能。VS-ENQ030L120S的集电极到发射极的击穿电压为1200V，集电极电流达到30A，适合三电平NPC拓扑。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三电平逆变器级，集电极电流分别为75A和150A，集电极到发射极的击穿电压分别为600V和650V，可在+175℃高温下工作。15A VS-ETL015Y120H适用于双路升压转换器，集电极到发射极的击穿电压为1200V，采用高效硅启动二极管，集成62A旁路二极管、电池板短路全电流反向极性保护二极管。所有器件均采

Vishay推出业内**通过MIL-PRF-39006/33认证的液钽电容器

Vishay推出新系列涂硅胶的轴向引线线绕电阻

Vishay提高PTN系列精密薄膜片式电阻性能

Vishay推在恶劣环境下亦有极高可靠性的薄膜片式电阻阵列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，可用于导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻阵列---ACAS 0606 ATAU，该电阻阵列把两个电阻集成在一个衬底上，可在155℃高温下工作，相对公差低至±0.05%，相对TCR低至±5ppm/K。除了优异的高温性能，ACAS 0606 ATAU系列对恶劣的环境条件还具有极好的耐受能力，且具有**的耐潮能力---在85℃和85%相对湿度下经过1000小时后|ΔR/R1|小于0.5%。器件的ESD保护达到1000V，工作电压为75V，每个电阻芯的*大额定散热功率达到0.125W。这些电阻通过AEC-Q200认证，可用于汽车应用。新的电阻阵列极为适合需要非常稳定的固定电阻比的精密模拟电路、分压器、反馈电路和信号调理应用。典型应用领域包括引擎控制单元、变速箱控制、**、电源电子、车身电子、刹车系统和照明等汽车电子产品，以及能源管理、测试和控制技术等工业电子产品。

Vishay推出采用氮化铝基板制造的新款小尺寸表面贴装精密薄膜片式电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻---PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板，功率等级为2W～6W，分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的Vishay Dale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接，减少了上侧电阻层与*终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样，器件可处理的功率达到其他商用片式电阻的四倍，非常适合用在工业、电信、测试和测量、医疗、**、航天设备与仪表的电源。PCAN系列电阻具有高功率等级和±25ppm/℃的低TCR，在-55℃～+150℃温度范围内经过激光微调的公差低至±0.1%。器件的阻值从30Ω到175Ω，噪声低于-30dB，电压系数为0.1ppm/V，电压等级为75V～200V。电阻符合UL 94 V-0的耐火要求，卷包端接无铅并符合RoHS，也提供含铅端接、引线接合的金端接和环氧树脂接合(胶合)的金端接。

Vishay推出采用新款小尺寸表面贴装精密薄膜片式电阻

Vishay发布新款3A同步降压稳压器SiP12116

Vishay新款VRPower DrMOS尺寸更小且更高效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，*高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小，使开关频率可以达到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低总体方案成本。该器件包含的**和低边TrenchFET® Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET，先进的MOSFET驱动IC，以及自举的肖特基势垒二极管，全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器，支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准，针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形卡、交换机和存储系统，以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器，以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是**的，输入电压可以从4.5V到16V的范围，PWM传