Vishay发布通过AEC-Q101汽车级电子可靠性认证的全集成距离和环境光传感器 VCNL4020X01

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其光电子产品部发布通过AEC-Q101认证的，工作温度可达+105℃的新款全集成距离和环境光传感器--- VCNL4020X01。该传感器在小尺寸4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形无引线(LLP)封装内集成了一个红外发射器、一个探测距离的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号处理IC和一个16位ADC。这颗三合一传感器具有中断功能，支持I2C总线通信接口，在各种汽车、消费和工业应用中能极大简化窗口和传感器的摆放位置设计。对于汽车仪表板和智能手机、平板电脑、PDA和GPS等移动设备，Vishay Semiconductors VCNL4020X01可用作距离传感器，直到发现有人时才开启背光，以此来节约电能，同时使用集成的环境光功能，实现显示屏/按键亮度的自适应控制，以及后视镜的调光。VCNL4020X01包括这些应用所需的全部电路，不需要额外的光栅，也不需要对红外发射器和光电二极管进行对准操作。其他器件使用把芯片贴到印制电路板的技术，导致封装高度达到1.2mm或更高，而VCNL4020X01使用专用技术，是市

Vishay推出新系列薄膜片式电阻阵列ACAS 0606 ATAU

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，可用于导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻阵列---ACAS 0606 ATAU，该电阻阵列把两个电阻集成在一个衬底上，可在155℃高温下工作，相对公差低至±0.05%，相对TCR低至±5ppm/K。除了优异的高温性能，ACAS 0606 ATAU系列对恶劣的环境条件还具有极好的耐受能力，且具有**的耐潮能力---在85℃和85%相对湿度下经过1000小时后|ΔR/R1|小于0.5%。器件的ESD保护达到1000V，工作电压为75V，每个电阻芯的*大额定散热功率达到0.125W。这些电阻通过AEC-Q200认证，可用于汽车应用。新的电阻阵列极为适合需要非常稳定的固定电阻比的精密模拟电路、分压器、反馈电路和信号调理应用。典型应用领域包括引擎控制单元、变速箱控制、**、电源电子、车身电子、刹车系统和照明等汽车电子产品，以及能源管理、测试和控制技术等工业电子产品。

TTI Asia为工程师介绍Vishay适用于各类需求及多样化应用环境中的**电阻

2014年6月 – TTI, Inc., 全球**的被动元件、连接器、机电组件和分立器件的专业代理商，在亚洲市场为工程师介绍适用于各类需求和多样化应用环境中Vishay广泛的**电阻产品。为满足客户设计便捷，TTI Asia和Vishay每月联手聚焦一种技术**的电阻解决方案。Vishay 是世界*大的分立半导体和被动元件的制造商之一，提供各种电阻器技术和广泛的产品。Dale, Sfernice，BCcomponents，Draloric和Beyschlag等电阻器****均属于Vishay公司。这些专业电阻主要特点为高可靠性，高品质，高性能，并在汽车、工业和航空航天领域占据**地位。TTI拥有纵深的库存量，能为您提供超过5万种Vishay电阻部件。知识渊博的产品专家和专业的现场应用工程师总能帮您找到特定应用中的合适部件。TTI和Vishay可以满足您所有电阻应用的不同需求：适应恶劣操作环境的高可靠性电子产品稳定的电阻值组件可预测性能当暴露在压力条件下的已知性能零缺陷理念失败率在十亿分之一操作温度可达250 ℃可承受高频率温度循环**高脉冲负载能力通过无铅RoHS标准访问 www.tt

Vishay将在2014年中国（成都）电子展展出业界*先进技术

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 7 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将在7月10日至12日成都世纪城新国际会展中心举行的2014年中国（成都）电子展夏季会上展出一系列技术。在3号展厅A21A展位，该公司将展出其*新的**产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。在2014年中国（成都）电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极驱动下导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通过AEC-Q101认证的采用PowerPAK® SO8L封装的SQ系列MOSFET。重点展出的功率IC包括在不到180mm2面积内实现超过93%效率的2.8V～5.5V降压稳压器，具有超快瞬态响应的4.5V～15V microBUCK®稳压器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V稳压器，以及采用5mm x 5mm双侧冷却封装的高密度70A DrMOS功率级。

Vishay将在2014年成都电子展展出业界*先进技术

2014 年 7 月7 日， 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在7月10日至12日成都世纪城新国际会展中心举行的2014年成都电子展夏季会上展出一系列技术。在3号展厅A21A展位，该公司将展出其*新的**产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。在2014年中国（成都）电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极驱动下导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通过AEC-Q101认证的采用PowerPAK® SO8L封装的SQ系列MOSFET。重点展出的功率IC包括在不到180mm2面积内实现超过93%效率的2.8V～5.5V降压稳压器，具有超快瞬态响应的4.5V～15V microBUCK®稳压器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V稳压器，以及采用5mm x 5mm双侧冷却封装的高密度70A DrMOS功率级。针对汽车、商业和电信应用，Vishay Semiconductors将着

Vishay推出具有转换速率控制功能的6.5mΩ双向电池开关

Vishay发布采用ThunderFET技术的通过AEC-Q101认证的*新MOSFET

Vishay发布采用ThunderFET®技术的通AEC-Q101认证的*新MOSFET

Vishay发布用于电机控制、太阳能逆变器和其他高压应用的宽体IGBT和MOSFET驱动器

2014 年3月25日，Vishay Intertechnology宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的*短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子技术，VOW3120-X017T还具有目前*好的的电性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典型共模噪声，很好地说明了该器件的噪声隔离能力。VOW3120-X017T的电流消耗只有2.5mA，对于要求高效工作的电源是很实用的选择。VOW3120-X017T引以为傲的典型延迟小于250ns，上升和下降时间小于100ns，使其非常适合需要IGBT快速开关的的应用场合。VOW3120-X017T现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为四周到六周。

Vishay发布8款采用低外形SlimSMA封装的FRED Pt超快恢复整流器

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50VTMBS整流器

Vishay发布采用PowerPAIR®封装的高性能非对称双片TrenchFET®MOSFET

日前，Vishay宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。SiZ340DT的TrenchFET Gen IV技术使用了非常高密度的设计，能够降低导通电阻，而不会大幅增加栅极电荷，从而使传导损耗*小，并减少在更高功率输出情况下的总功率损耗。因此，SiZ340DT的低边通道2的MOSFET在10V和4.5V栅极驱动下的导通电阻只有5.1mΩ和7.0mΩ。高边通道1的MOSFET在10V和4.5V下的导通电阻为9.5mΩ和13.7mΩ。今天发布的器件适用于“云计算”基础设施、服务器、电信设备和各种客户端电子设备，以及移动计算中的同步降压。预计用到这款器件的DC/DC模块包括服务器、计算机、笔记本电脑、图形卡、游戏机、存储阵列、电信设备、D

Vishay推出具有更强稳定性的SMDNTC热敏电阻

Vishay推出新款850nm红外发射器

日前，Vishay宣布，发布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器---VSMY98545，扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight™表面发射器芯片技术，集成镜片，具有高驱动电流、高发光强度和高光功率，同时具有低热阻。VSMY98545使用42mil x 42mil发射器芯片，结到管脚的热阻为10K/W，驱动电流高达1A，脉冲电流可达5A。发射器集成的镜片支持±45°的半强角，在1A和5A(脉冲)电流下可实现350mW/sr和1600mW/sr的超高发光强度，超过无镜片器件的发光强度两倍以上。由于具有极高的驱动电流，并且在1A下的光功率达660mW，VSMY98545可以替代多个标准SMD器件，使设计者能够减少元器件数量，并在各种各样的应用中提高性能。发射器适用于CCTV、游戏和公路收费系统中的红外照明，以及长距离的测距应用，比如通过探测周围是否有人，来实现办公设备里的唤醒功能。今天推出的器件的开关速度低至15ns，在1A下的正向压降为1.8V，工作温度从-40℃到+95℃。VSMY98545的仓储寿命为

Vishay推出采用IHLP®制造的新款组合耦合电感器

Vishay推出具有高CV等级的小外形尺寸MicroTan®汽车级固钽片式电容器

Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED

日前，Vishay宣布，推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的新系列功率MiniLED---VLMx234..系列。该系列器件采用了*先进的AllnGaP技术，具有非常高的亮度，典型发光强度为3500mcd，在70mA下的*大发光强度达到4900mcd，热性能优于前一代LED。今天发布的高发光强度LED的结/环境的热阻低至325K/W，功率耗散高达200mW，从而能够采用70mA的高驱动电流。器件的小尺寸和高发光强度使其非常适合汽车应用，且已经通过AEC-Q101认证。该LED颜色有大红、红色、琥珀色和黄色，还非常适合室内外照明、仪表盘照明，以及音视频和工业设备、LCD开关和标志、灯光广告和更多其他应用的指示灯和背光。VLMx234..器件的半强角为±60°，每个包装单位的发光强度比小于1.6，并按照每个包装单位的发光强度和颜色进行了分类。LED采用8mm卷带包装，可采用红外回流焊工艺，根据JEDEC Level 2a进行了预处理，可承受2kV的ESD电压，达到JESD22-A114-B的要求。器件符合RoHS，无卤素，符合Vishay绿色标准。器件规

Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻

Vishay推出具有业内*低RDS(on)的P沟道MOSFET

Vishay新推MicroTan固钽片式电容器TP8

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列模压汽车级MicroTan固钽片式电容器——TP8。该器件针对下一代空间受限的汽车电子产品，是**采用高容积率封装方案的通过AEC-Q200认证的钽电容器系列，在0603小外形尺寸内实现了业内*高的容量-电压等级。 此前，汽车级模压片式电容器只能限定在A到D外形尺寸。使用TP8系列后，设计者可以利用0603、0805和0906等更小的外形尺寸，获得与更大器件相同的容量和电压等级。TP8系列的容量电压等级从1.0μF-40V到100μF-6.3V。在这个范围内，0603外形尺寸器件的容量电压为1.0μF-20V，1206外形尺寸的器件达到100μF-6.3V，均是业内*佳数值。器件提供±10%和±20%的标准容量公差，工作温度为-55℃～+85℃，电压降额时可达+125℃。在胎压监测系统、摄像头模块、后视镜和遥控免钥匙进入等空间受限的汽车应用中，TP8器件凭借其小外形尺寸，可节省大电容、储能、滤波和解耦所需的电路板空间。器件采用长方形模压封装，非常适合高速PCB贴装，无铅的L形端接朝下，与焊盘的机械和电气连接优

Vishay推出可用于更高亮度指示牌的照明和控制应用的新款LED

日前，Vishay宣布，该公司的光电子事业部推出采用PLCC-2封装的*新产品---VLM.334…，该系列LED能够处理更高的驱动电流，从而提高发光强度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基础上进行了大幅改进，可搭配更大尺寸的芯片，能够承受70mA的驱动电流。VLM.334…LED通过AEC-Q101认证，有大红、红色、橙黄和黄色，可用于各种各样的应用，包括交通信号灯和指示灯、室内外照明、汽车仪表板照明、音视频设备的指示灯和控制灯、LCD开关和功能标识、灯箱广告，以及其他用途的众多应用。VLM.334…系列器件使用*先进的AllnGaP技术，亮度非常高，典型发光强度达到3760mcd，在70mA下的*大发光强度达到6052mcd，热性能优于前一代LED。VLM.334… LED的PN结到周边环境的热阻为300K/W，比此前的VLM.333产品低25%。器件规格表：型号颜色发光强度范围(mcd)@ IF(mA)波长(nm)*大正向电压(V)@ IF(mA)VLMS334….大红1120～280050630 typ.2.850VLMR334….红1800～4

Vishay发布用于新能源应用的不锈钢制动/撬棒电阻

日前，Vishay宣布，推出新系列不锈钢制动/撬棒电阻---ULDCR电阻，电阻可承受3.46MJ的脉冲能量和12kA的脉冲电流，适用于新能源和其他重载应用。Vishay还可以根据定制指标提供更高脉冲负载能力的版本。今天推出的Vishay Draloric电阻适合用作风力发电厂和抽水蓄能电站中三相发电机的频率转换器的crowbar电阻。另外，电阻还可以用作铁路、电梯和工业系统的制动和斩波电阻。ULDCR电阻采用**的自支持、极稳固和紧凑的模块化设计，可轻松组装进这些应用里。电阻的原材料还耐盐水。在单脉冲情况下，器件的典型温升低于350℃。ULDCR系列器件的工作温度可达375℃，阻值从1mΩ到几欧姆，公差为±5%和±10%，电阻在使用期间的*大预期变化不超过±20%。这些器件在制造过程中没有使用任何有机化合物，符合RoHS和Vishay“绿色”标准。ULDCR电阻现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周，价格很有竞争力。

Vishay推出高集成度、高效率、高开关频率的5A同步降压稳压器

业内*小VishayTrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET

Vishay推出针对新能源应用的增强型卡扣式功率铝电容器

VishayP沟道GenIIIMOSFET具有业内*低导通电阻

Vishay新款薄膜MELF电阻具有业内*高水平的精度和稳定性

Vishay推出业内*小-20VP沟道GenIIIMOSFET

Vishay发布用于消费类产品遥控器的新款小型红外接收器

日前，Vishay宣布，对用于消费类产品中红外遥控应用的TSOP36...系列小型表面贴装红外接收器的性能进行了升级。TSOP36…系列的*小发光强度达到0.12 mW/m2，灵敏度比前一代器件高20%，可在有红外3D电视信号和其他噪声的情况下使用，并提高了对这些信号和噪声的滤光功能。今天发布的这些器件采用新一代集成电路，提供了5个针对短编码和长突发编码的自动增益控制（AGC）版本。TSOP361..和TSOP362..兼容所有的通用红外遥控数据格式。TSOP363..和TSOP364..可用于各种遥控应用，能抑制节能灯和调光LCD背光发出的虚假脉冲，而TSOP365..甚至能够抑制极高的光噪声。TSOP36…红外接收器提高了抗ESD能力，采用金属屏蔽以抵御EMI，适用于机顶盒、电视机、音响和数码相机等消费类产品。为简化设计，这些器件在4pin脚环氧树脂封装内安装了光探测器和前置放大器电路。器件采用卷带包装，可顶视或侧视使用，对电源电压和纹波噪声不敏感。红外接收器的工作电压为2.5V～5.5V，传输距离可达45米，载波频率为30kHz～56kHz，在3.3V下的供电电流低至0.35mA

Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

Vishay发布高度低至2.1mm的标准SMD7段LED数码管

Vishay发布用于医疗设备中的TANTAMOUNT固钽片式电容

Vishay推出超小尺寸的双向对称单线ESD保护二极管

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于便携式电子产品的采用超小尺寸CLP0603封装的单线ESD保护二极管---VBUS05A1-SD0。它的尺寸只有0.6mm x 0.3mm，高度为0.27mm，并具有低电容和低泄漏电流，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的破坏。VBUS05A1-SD0使用业内*小的0603（公制单位）芯片级封装，比1006（公制单位）尺寸的封装节省3倍的电路板空间。由于其短引线和小封装尺寸，二极管的线路电感非常低，从而下对一条数据线提供符合per IEC 61000 4 2要求的瞬态保护。器件无铅，无卤素，符合RoHS及Vishay的“绿色”标准。新款VBUS05A1-SD0现可提供样品，将在2013年4季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周。

Vishay推出用于手势遥控的高功率高速红外发射器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于手势遥控应用的新款高功率高速940nm红外发射器---VSLB9530S，扩大其光电子产品组合。该器件在100mA电流下的发射功率达40mW，采用透明的模塑引线TELUX封装和卵形透镜，在垂直方向和水平方向的半强角分别达到±18°和±36°。VSLB9530S采用GaAIAs多量子井(MQW)技术制造。器件独特的角度分配使其非常适合电视机和游戏机的手势遥控应用，同时光谱能很好地匹配硅光探测器。红外发射器在水平方向的发射角较宽，使用者的位置十分灵活，同时垂直面的窄发射角能够把分散的发光聚在一起。VSLB9530S的TELUX封装尺寸为7.62mm x 7.62mm x 4.6mm，具有200K/W的低热阻。标准红外发射器的驱动电流一般为100mA，而VSLB9530S的低热阻使其连续驱动电流可以高达150mA，在150mA下的发光强度达到60mW/sr。器件的调制带宽为24MHz，适合高脉冲电流工作。今天发布的红外发射器的开关速度很快，时间只有15ns，在150mA下的正向电压低至1.31V，工作温度范围-40℃

Vishay新推超小外形尺寸的TrenchFET®GenIIIP沟道功率MOSFET