转自台湾经济日报的消息，三星电子公司近日表示，已从本月起开始量产3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D V-NAND)。此次推出的3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片规格128Gb，为业界*大容量。三星因此成为世界上**量产这种突破半导体微细化技术极限的内存芯片的公司。
3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片同时采用了三星**的“3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技术”和“3D垂直堆叠制程技术”，与采用20纳米级单层结构的高性过去数年间公司全体员工为突破半导体技术极限，实现技术革新付出了辛勤的劳动。公司今后将持续推出具有更高密度和更优良性能的产品，为世界IT产业的不断发展贡献力量。
据市场调查机构预测，世界NAND闪存芯片市场规模将持续增长，从今年的236亿美元增长到2016年的308亿美元。三星电子在全球**投入量产3D垂直堆叠型结构NAND闪存，确保了**的产品竞争优势，并将在今后以差别化的**技术持续加强存储器芯片事业的竞争力。
点评
近10年来，三星电子在研究“3D垂直堆叠型结构NAND闪存(V-NAND)技术”过程中，积累了300余项核心**，并已在韩国、美国和日本等国注册，具备雄厚的技术优势。三星电子此次将原来单层排列的存储单元以3D垂直堆叠方式重新排列，不仅同时实现了“结构**”和“制程**”，更将原有问题一并解决，为业界开创了“3D闪存芯片量产新纪元”。
(52RD.com)
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