纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律
图2为未来晶体管科技发展蓝图与挑战。鳍式场效晶体管为三面控制，在5或是3纳米制程中，为了再增加绝缘层面积，全包复式闸极
III-V族、硅锗材料呼声高然物理挑战艰钜
改变信道材料亦是增加IC运算性能与降低功耗的选项之一，晶体管的工作原理为在闸极施予一固定电压，使信道形成，电流即可通过。在数位电路中，藉由电流通过与否，便可代表逻辑的1或0。
过去信道的材料主要为硅，然而硅的电子迁移率(Electron Mobility)已不符需求，为了进一步提升运算速度，寻找新的信道材料已刻不容缓。一般认为，从10奈米以后，III-V族或是硅锗(SiGe)等高电子(电洞)迁移率的材料将开始陆续登上先进制程的舞台。
图2清楚指出10奈米与7奈米将会使用SiGe作为信道材料。锗的电子迁移率为硅的2∼4倍，电洞迁移率(Hole Mobility)则为6倍，这是锗受到青睐的主要原因，IBM(现已并入Global Foundries)在硅锗制程上的着墨与研究甚多。
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