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1.东芝变卖闪存业务“跳票” 股东们表示很失望；

腾讯科技讯 本周，东芝的股东和业界都在等待一个巨大消息：周二或者周三，东芝将和一个美日韩联合体签约，正式变卖闪存芯片业务，获得急需的180亿美元。

然而在周三的股东大会上，东芝高管宣布了令人失望的消息。据法新社报道，东芝的“跳票”让股东感到十分气愤。

东芝总裁纲川智周三表示，依然无法公布上一财年的财报，另外转让闪存业务的谈判依然没有结束。

在转让闪存业务方面，东芝已经花费了太多的时间，效率之低下令股东十分不满。日本权威媒体日经新闻本周曾报道，东芝已经敲定了闪存业务的接手方，即日本和美国两国政府都支持的美日韩联合体。

这一联合体中包括了代表日本政府利益的日本开发银行、日本产业革新机构，以及美国贝恩资本，韩国SK海力士半导体。其中海力士主要提供资金支持，避免给交易带来反垄断审核风险。

据悉，这一联合体的出资额为180亿美元，符合东芝高管*初提出的资产价值上限。不过，另外一个竞购方富士康集团，却提出了280亿美元的收购价。

从各种迹象来看，转让给美日韩联合体将保证日本政府对这一业务的影响力，符合各方利益，转让交易可以*终敲定，但东芝的*新宣布令人吃惊。

东芝表示，还需要更多时间进行谈判，原因是收购涉及到多家企业和机构，未来一旦敲定将会及时公布消息。

据法新社报道，许多股东对于东芝的跳票不满。一位持股人表示：“东芝已经进入了紧急状态，需要一个强势的领导层来做出正确的业务决定。”

另外一位股东表示：“东芝正在变成一家三流公司，甚至更糟。”

78岁的Hidesato Maekawa是日本一家纺织厂的厂主，已经退休，他长期持有东芝股票，眼下已经感到绝望，“我持有东芝股票这么长时间，即使股票变成一文不值的废纸，我可能依然持有它。”据悉，去年底以来，东芝股价已经跌去三分之一，广大持股人遭受了损失。

东芝目前的处境相当尴尬，资不抵债的状态可能让东芝脱离东京股票交易所主板，进入等待摘牌的二板市场，因此，东芝急需变卖*有价值的闪存业务，换取180亿美元现金，充实资本。

东芝旗下的美国核电业务“西屋电气”已经破产，破产加上巨额资产减记，西屋电气给东芝造成了近90亿美元的损失。

之前，富士康集团一直在积极竞购东芝闪存业务，甚至找来了苹果、亚马逊、软银、金士顿等盟友，并报出高于对手100亿美元的收购价，但是日美两国政府依然不愿意东芝的半导体技术落入一家中国公司手中。

2.西部数据回应东芝：伤害股东和客户 仍会投资合资公司；

凤凰科技讯 据路透社北京时间6月29日报道，西部数据公司周二表示，东芝公司因为双方在芯片业务出售上存在纠纷而采取的法律行动和其它措施，伤害了东芝股东和客户。

双方在芯片业务出售上的分歧越来越大，尤其是在东芝选择了一个不同的财团作为芯片业务的优先竞标方之后。西部数据与东芝联合运营着一家主要半导体工厂，前者已经请求法院发布禁令，阻止东芝在未经其同意的情况下达成任何芯片业务出售交易。

周三，东芝以诉讼进行了回击。东芝称，西部数据在无正当理由的情况下干扰了芯片业务的出售，并寻求赔偿1200亿日元

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3.东芝明年量产96层3D NAND，或独投1800亿增产3D NAND

集微网消息，全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝（Toshiba）28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。

东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的 512Gb（64GB）3D NAND 产品以及采用全球首见的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技术的 3D NAND 产品。上述堆叠 96 层的 3D NAND 将利用东芝四日市工厂“第 5 厂房”、“新第 2 厂房”以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的“第 6 厂房”进行生产。

近日，东芝因出售东芝存储器与合作伙伴、共同营运 NAND 型快闪存储器主要据点“四日市工厂”的 Western Digital（WD）闹翻，除 28 日状告西数求偿 1200 亿日圆之外，同日宣布将进行增产投资，且表明若 WD 无意合作投资的话也没关系，东芝会单独进行。

据悉，因应来自服务器、数据中心的 3D NAND 需求扩大，东芝存储器预计在 2017 年度内（截至 2018 年 3 月底为止的会计年度）砸下 1800 亿日圆进行增产投资，该笔资金除将用于导入“第 6 厂房”第 1 期工程所需的生产设备之外，也将用于第 2 期工程的厂房兴建。

“第 6 厂房”第 1 期工程预计于 2018 年夏天完工，第 2 期工程厂房预计于 2017 年 9 月动工、2018 年年末完工。至于具体的产能、生产计划，将于今后视市场动向决定。

目前，东芝已量产堆叠 64 层的 3D NAND 产品。与 64 层产品相比，96 层 3D NAND 每单位面积的存储容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加，每 bit 成本也下滑。

东芝表示，堆叠 16 片 768Gb 芯片，实现业界*大容量 1.5TB 的 QLC 技术产品预计于 2017 年 8 月送样，且该款 1.5TB 产品将在 8 月 7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。