围绕着第三代半导体材料的争夺大战正愈演愈烈。
继美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议以阻止中国投资人借此掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术后，三安光电近日公告称拟收购全球**的化合物半导体晶圆制造服务商美国环宇公司。
3月11日早间，国内LED芯片巨头三安光电(600703.SH)发布对外投资公告称，公司全资子公司厦门市三安集成电路有限公司(以下简称“三安集成公司” )拟以自有货币资金2.26亿美金的交易总价合并英属开曼群岛商环宇通讯半导体控股股份有限公司(以下简称“美国环宇”)。
而这是三安光电在第三代半导体领域的**大手笔跨国并购案。
资料显示，美国环宇成立于1997年，是全球**的化合物半导体晶圆制造服务商。公司制造的产品包括用于无线通讯市场的射频积体电路(RFIC)和毫米波积体电路，用于功率电子市场的功率元件，和用于光纤通光纤信讯的光电探测器和激光器。2008-2015年公司的营业规模快速增长，CAGR为13.3%，2015年的毛利润率和净利润率分别达到42.42%和17.29%，在半导体制造领域处于较高水平。
“化合物半导体三大材料GaAs份额*高，主要用于通讯领域，全球市场容量约74亿美元，主要受益通信射频芯片尤其是PA驱动;GaN大功率、高频性能更出色，主要应用于**领域，目前市场容量不到2亿美元，但未来望成长至10亿美金;SiC可用作大功率高频功率半导体如IGBT和MOSFET，当前2亿美金市场，未来有望成长至20亿美金，化合物半导体总市场未来将超过100亿美金。”招商证券在一份研报中指出。
半导体材料发展至今已历三代：**代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域;**代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。
三安光电近年来在第三代半导体材料领域频频发力。
此前三安光电拟增发募资建设年产30万片GaAs 和年产6万片GaN6寸生产线。目前三 安5000片/月的GaAs 一期已经开始试产,预计明年中量产,GaN 产线设备亦在逐步到位。
“补全化合物半导体芯片缺口,实现自主可控。”长江证券研究员莫文宇认为，近期美国对中兴通讯下达出口限制令,核心芯片的缺失将导致中兴通讯多项业务面临停业的风险,芯片的自主可控再次被推至风口浪尖。三安光电致力于GaAs和GaN芯片的研制和生产,将实现化合物半导体芯片的自主可控。
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