韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今*先进的闪存制造工艺。
其实早在今年六月，海力士就量产了**版的16nm NAND闪存，*近投产的则是**版，芯片尺寸更小，更具竞争力。
此外，海力士还根据16nm 64Gb闪存的规范和耐久性，成功研发了128Gb(16GB)容量版本，存储密度世界*高，计划明年初投入量产。
海力士指出，通常情况下，NAND闪存工艺越先进，单元之间的 干扰就越严重，但是他们引入了*新的Air-Gap技术来克服这种干扰，主要是将电路之间用于绝缘的基底换成了真空孔。
海力士*后称，将继续加速研发TLC NAND、3D NAND闪存技术。
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