第三代半导体材料已经成下一个博弈的风口，围绕与此，企业、政府之间正“战意”密布。

1月下旬，美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议。

在这背后，美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的照明业务本身，而是要阻止中国投资人通过收购飞利浦旗下子公司的照明业务后，进而掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术。

半导体材料发展至今已历三代：**代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域;**代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统;第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点(1700摄氏度)、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限，已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下，氮化镓则可凭借其材料特性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。

也正是因此，诸多国家和企业纷纷致力于氮化镓功率器件的研发和生产。可以说，氮化镓已经全球半导体研究的前沿和热点。

由于氮化镓的优异材料特性——氮化镓基LED比传统LED外形更小、功率更高、发光度更强，使其在LED电视、显示器和普通照明领域获得大展拳脚的空间，而中国一旦完成对飞利浦旗下子公司Lumileds的控股，则有可能获得氮化镓方面的相关技术。

更关键的是，氮化镓在高频大功率应用方面，其功率密度是现有的砷化镓材料器件的10倍，不仅可以广泛运用于通信基站、电动机车、电动汽车、风力发电等民用领域，还可以用于相控阵雷达等特殊领域。

而在国内，市场空间更大的第三代宽禁带半导体技术也逐渐开始成为LED芯片企业的下一个竞夺空间。

晶电研发中心副总经理谢明勋表示，照明应用市场庞大需求所带来高营收景况其实只是假象，实情是，近年价格战使得利润锐减。为寻求更好的利润，晶电目前正积极准备投入氮化镓LED功率元件市场;目前氮化镓功率元件市场规模大约只有整体照明市场三分之一。

三安光电近年来也开始在第三代半导体材料领域频频发力。

招商证券研究员鄢凡认为，三安光电将砷化镓和氮化镓等III-V 族半导体为核心打造集成电路产业,增发预案拟建年产30万片GaAs 和年产6万片GaN6寸生产线。目前三安5000片/月的GaAs 一期已经开始试产,预计明年中量产,GaN 产线设备亦在逐步到位。“三安的发展战略非常明确,主要布局三个方向:首先是继续巩固LED芯片龙头地位,扩产能、优化产品结构;其次是化合物半导体从加工制造开始,逐步向IDM发展;第三是积极拓展产品的应用领域,开发高附加值的应用产品,如LED智能照明通讯(LiFi)产品、车联网系统产品、光电智能监控产品等各种集成电路应用。”国联证券研究员牧原表示。

华灿光电董秘叶爱民在被问及华灿光电会不会扩展到LED以外的半导体材料领域时也坦承，华灿创业的愿景和目前的经营范围一直都是半导体材料与器件，并不**于LED材料与芯片。

“华灿至今成立10周年，高管团队一直是技术型的专家为主，非常熟悉包括LED在内的整个半导体行业的发展方向和应用前景。”叶爱民表示，化合物半导体的研发和应用还只是刚刚开始，未来有无限可能。

此外，硅衬底上氮化镓功率器件也是很重要的一个应用领域，有望超越传统的功率器件开拓出一个新的应用领域。

“我们认为，到2017年硅基氮化镓或许将成为市场主流。其他公司也会将使用硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术的产品投入市场。”东芝白光LED市场及技术部**经理高桥望告诉高工LED。