物联网（IoT）应用将带动全耗尽型（Fully Detleted）制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德（GlobalFoundries）除持续发展14纳米及7纳米鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
格罗方德技术长暨全球研发**副总裁Gary Patton表示，FinFET虽为目前主流制程技术，但也相对复杂且成本高，有些中小型的IC设计公司无法负担FinFET昂贵的光罩成本。为满足物联网产品少量多样需求，并降低成本，且又要具备一定效能，FD-SOI技术逐渐兴起。未来十年5G将会是FD-SOI市场重要的成长推手；另外，行动运算、人工智能、虚拟现实（VR）/扩增实境（AR），以及汽车电子等应用市场，也都是此一技术应用重点。
Patton进一步指出，物联网，行动运算和5G的巨大商机，可望加速FDX成长，而FDX和FinFET技术事实上是互补的，并非互相竞争的关系，两者各有不同的市场定位。一般来说，FinFET适用于较大的裸晶（Die），FDX适用于较小的裸晶；对于较无成本考虑的客户而言，可使用FinFET以实现高性能与高密度产品，若是有成本考虑的客户，则能采用FDX，以满足低功耗、低成本及小尺寸需求。
据悉，GlobalFoundries在FD-SOI技术上目前已有两项产品规划。首先是22FDX，该产品已于2015年发布，其运作电压为0.4伏特，可达到超低动态功耗、更低热效应，以及更精巧的产品尺寸规格。相较于28纳米，22FDX尺寸缩减20%，光罩数目减少10%，功耗比28nm HKMG制程减少70%，且单一芯片可以整合RF功能。目前22FDX制程设计套件已于2016年第2季完成，预计2017年第1季可以进入量产。
至于12FDX则号称可提供与10纳米FinFET制程相当的性能，但是功耗表现更好，成本也比16纳米FinFET低，将适用于行动运算、5G通讯、人工智能、AR/VR、无人机，以及自动驾驶车辆等应用领域。12FDX制程的客户投片时程预计在2019上半年。
公安机关备案号：
