中国台湾地区存储器封测厂力成受惠于韩国厂商以外四大厂（东芝、西数、美光、英特尔）的3D NAND封测订单，法人看好明年营收有机会逐季创高，全年营收及获利亦将改写历史新高。
NAND Flash制程持续往1y／1z纳米进行微缩，但因芯片线宽线距已达物理极限，技术推进上已出现发展瓶颈，用1y／1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。
为了扩大产能因应市场强劲需求，全球六大NAND Flash厂今、明两年的投资计划，全数集中在3D NAND的制程推进及扩产上。但考量到兴建一座新的3D NAND厂所费不眦，六大厂都调拨现在2D NAND产能移转生产3D NAND。以目前的进度来看，三星的大陆西安厂及韩国Fab 16已开始量产，其它业者则仍在进行产能调配，但量产计划将自明年**季陆续展开。
三星除了现在的西安厂及Fab 16厂外，Fab 17及Fab 18将在明年上半年开始量产3D NAND。东芝及合作伙伴西数（WD）除了Fab 5开始提高3D NAND投片外，Fab 2将在明年**季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。
SK海力士M12厂已量产3D NAND，M14厂预计明年上半年导入量产，且将用来生产72层3D NAND芯片。美光及英特尔的部份，除了合作的IM Flash已开始量产3D NAND，美光F10厂将在明年**季量产64层3D NAND，英特尔大连厂则已量产3D NAND，并将在明年开始量产新一代XPoint存储器。
对力成来说，3D NAND封测认证在第三季已经完成，第四季开始量产出货，包括东芝、西数、美光、英特尔等韩国业者以外的四大厂，都将3D NAND封测交由力成代工。由于3D NAND封装难度高，且需要较长的测试时间，对力成来说十分有利。
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