Synapse Design选择FD-SOI技术 打造全新物联网解决方案

分享到:
71
下一篇 >
备受看好的物联网(IoT)市场成长,为半导体产业燃起了一线希望。日前EE Times网站专访Synapse Design执行长Satish Bagalkotkar,为未来的物联网晶片设计提供了不少可供参考的选项。

根据Bagalkotkar的定义,物联网装置价格应近乎免费,电池续航力可达数年以上,并具备全球连线能力。一年多前,Synapse Design曾试图在这个定义下寻求一个新的晶片解决方案,希望以不到5美元的成本打造出耗电小于100微安培的成品。

Bagalkotkar指出,物联网装置需要追踪位置,温度、压力与其他资料,因此模组越细微化越好。Synapse Design于是打造出了由感应器、modem ASIC与RF ASIC组成的全LTE的晶片组。设计上*困难的部分在于,该晶片需同时满足超低功耗以及高使用频率的需求。

在modem ASIC方面,*大挑战在于待命状态下,需将电力损耗降到*低。Bagalkotkar指出LTE讯号的处理与协定叠(Protocol Stack)需要300MHZ以上的时脉,因此modem ASIC需能在启动状态下支援高CPU MIPS。此外,低执行延迟以及动态功率*小化,也都是必须达成的目标。

Synapse Design试图从40奈米LP、28奈米Bulk与28奈米FD-SOI等技术中,找出能达成目标的选项。Bagalkotkar表示,虽然40奈米LP光罩成本极低,却无法提供足够的动态功率满足物联网装置对于效能的需求。此外,电源电压(VDD)的范围限制,以及晶体尺寸过大,都是40奈米LP的缺点。

在考量各种技术的优劣后,Synapse Design*后选择了28奈米FD-SOI技术。28奈米FD-SOI能够满足高效能、小晶体、低动态功率、低待机功耗等需求,其电源电压范围也较其他技术广。**的缺点就是,目前市场上还没出现任何以FD-SOI技术为基础的产品。

Synapse Design与意法半导体(STMicroelectronics) 合作,采用三星电子(Samsung Electronics)28奈米FD-SOI制程的基频modem ASIC。其RF ASIC则采用台积电的65奈米制程。

而Synapse Design的物联网晶片组是针对M2M装置打造,并使用LTE CAT 3 Release 9通讯标准,可望将感应器收集到的资料直接存入云端。

你可能感兴趣: 企业动态 解决方案 物联网 ASIC LTE
无觅相关文章插件,快速提升流量