美商应材研发人员昨专程来台宣布这项重要材料**技术,也意谓应材在半导体先进制程设备和材料运用,持续扮演**地位,并透露包括台积电等晶圆制造厂将先进制程推进至7奈米以下的商业化脚步,更向前迈进一大步。
应材表示,目前各大晶圆制程厂已导入在7奈米制程采用这项新的材料革新,如果成效良好,不排除可能在7奈米就可以看到导入钴金属取代铜制程技术变革。
应材表示,当半导体金属沉积制程进入7奈米以下的技术节点时,链接芯片中数10亿个晶体管的导线电路渐渐成为技术瓶颈。 一方面要扩增芯片上晶体管的数量,一方面追求系统整合芯片封装,缩小导线进而增加晶体管密度是必然的趋势。
但应材强调,当导线的截面积减少,导电区域的体积也减少,这会造成电阻增加,阻碍*佳效能的实现。 这种阻容迟滞有赖以**突破技术瓶颈,包括在阻障层、内衬层微缩制程,以及运用新的材料,以利在更狭小的空间中改善导电特性。
应材强调,为了解决导线的电阻问题,用新的钴取代传统的铜,并运用多年累积的沉积制程技术,同时将物**相沉积、化学气相沉积和原子层三种不同沉积制程技术,整合在同一设备平台上,运用单一整合程序,制造复杂的薄膜堆栈结构。
应材指出,以钴取代传统铜进行沉积制程的关键材料,已获致传导性更快且功耗更低等优越性能,同时大幅节省芯片体积,芯片效能更快、体积更大。