南韩**战火 恐烧向台积

分享到:
122
下一篇 >
南韩科学技术院(KAIST)**管理子公司KAIST IP上月底向德州联邦地方法院提起**侵权诉讼,控告三星电子、高通和格罗方德三家半导体擅自盗用其所拥的鳍式场效电晶体(FinFET)技术,要求支付**费,且下波不排除瞄准台积电和苹果。

台积电发言体系昨(1)日表示,台积电尊重智慧财产权,也**捍卫智慧财产权,因对方尚未提告,且被控告的三家半导体公司已进入司法程序,台积电不便做任何评论。

鳍式场效电晶体是积体电路进入三度空间(3D)的重要技术突破,并让摩尔定律得以延伸。主要半导体厂包括台积电、三星、英特尔、格罗方德及联电等都跨入这项领域。

外电报导引述KAIST IP说法,三星、格罗方格、台积电都使用FinFET技术生产手机晶片,却不支付使用费。

据了解,KAIST IP已和三星就支付使用费一事进行相当长时间协商,但三星都拒绝,*终协商破裂;高通和格罗方德也都不予理会。

台积电内部认为,三大半导体都拒绝支付**费用给KAIST,显见三家公司都具备自主研发的FinFET技术。

三星、格罗方格以14奈米FinFET制程技术供应晶片给高通,台积电则以16奈米FinFET制程帮苹果生产iPhone用晶片。

半导体产业因三星和台积电进入14/16奈米FinFET制程,让整个IC制程进入3D架构,其中台积电在16奈米以优越的良率和电晶体效能和低耗电,独得苹果A10处理器订单,拿下压倒性胜利。

不过,三星也抢下高通部分订单,并决定在7奈米扳回一城,目前**导入极紫外光(EUV)作为曝光显影设备,要和台积电一较高下;随着高通在7奈米重新拥抱台积电,且苹果A11处理器仍由台积电以10奈米制程**生产,凸显台积电在10/7奈米,已拉开和三星差距。

图/经济日报提供

新闻辞典》鳍式场效电晶体(FinFET)

鳍式场效电晶体(FinFET),是新的多重闸极3D电晶体,电晶体的闸极环绕包裹着电晶体的高架通道,因为形状与鱼鳍相似才以此命名。鳍式场效电晶体与传统的平面型电晶体相较,可提供更佳功耗和效能。

鳍式场效电晶体的架构中,闸门成类似鱼鳍的3D架构,可更妥善控制电流,降低耗电。台积电切入16奈米FinFET;三星、格罗方德、联电与英特尔等,则是切入14奈米FinFET制程。

你可能感兴趣: 业界新闻 图片 ** 格罗方德 半导体
无觅相关文章插件,快速提升流量