动态随机存取存储器(DRAM)大厂南亚科扩大投资，董事会昨(9)日通过提高20奈米资本支出预算，较原先规划的359亿元再加码198.4亿元，增幅达到55%，单一制程总投资额达到557.4亿元，也创下公司成立以来单一制程的*大投资，今年资本支出总计预估为343亿元，较去年大幅成长超过5成。
南亚科总经理李培瑛指出，因客户增加需求，南亚科决议增加投资，将12吋晶圆月产能由先前规划的3万片提高至3.8万片，而未来随着制程正式投产，能大幅度地降低制造成本，也能使产品效能更优化，尤其低功率移动式存储器的占比，将从由目前的11%提升至30%。
他也指出，DRAM市场供给续吃紧，各类DRAM库存都处于低水位，因此价格看涨，**季DRAM价格已调涨约10%至15%，且**季价格可望持续上扬。
另外，南亚科昨董事会也通过拟每股发放1.5元现金股利，以上日收盘价46.55元计算，现金殖利率约3.2%。
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