估计2016年三大半导体制造大厂资本支出金额预期较2015年成长5.4%，其中，英特尔(Intel)调升30%达95亿美元、台积电(TSMC)调升17%达95亿美元，三星(Samsung)则逆势调降15%，来到115亿美元。拓墣表示，今年半导体大厂的资本支出预计至2017年才有机会对营收产生贡献。
台积电2016年有三大投资重点
拓墣表示，在上述半导体三巨头，中台积电是**的纯晶圆代工厂，与客户无直接竞争关系，可专注于制程技术的开发。2016年台积电资本支出约70%用于先进制程的开发，其中大部分用在10奈米制程技术，可见台积电对10奈米制程研发的重视。
台积电资本支出的10%则将持续投入InFO技术的开发；InFO技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势，已有少数大客户开始投单，预期未来将有更多客户陆续投入。为了就近服务广大的中国市场，台积电规划30亿美元用于中国南京12寸厂的建置，预期在2018年投产。今年南京厂计画先投入5亿美元，2017与2018年将增加投资力道。
三大半导体厂资本支出
三星2016年以半导体事业为重心
智慧型手机是三星*重要的业务，在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下，三星受到苹果(Apple)与中国品牌的激烈竞争。根据三星财报显示，2015年营收年衰退2.6%，净利下滑20.6%。相较智慧型手机，去年三星半导体营收年成长20%、记忆体年成长17%，LSI业务年成长则约27.7%，表现十分亮眼。
拓墣指出，2016年三星的智慧型手机业务拓展仍不乐观，除加速开发**业务，将更加重视晶圆代工业务，采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本支出中，LSI业务会维持与2015年35亿美元的相同水准。
英特尔扩展记忆体相关业务
英特尔虽然在14/16奈米制程技术开发上**，但台积电与三星若在10奈米的技术上赶超，将使英特尔在CPU产品上面临强大的竞争压力，严重挑战英特尔自1995年来的**地位。2016年英特尔将持续扩大资本支出以维持制程**，相关资本支出约达80亿美元。
在资料中心的竞争中，2015年英特尔与美光(Micron)联合发表包含3D-NAND与Xpoint等用于记忆体的技术，此外更宣布投资25亿美元把大连厂打造成记忆体制造厂。估计2016年英特尔的资本支出中约有15亿美元将投资在记忆体相关业务。
公安机关备案号：
