因中国大陆、中国台湾智能手机厂商纷纷强化产品功能、带动记忆体需求大增，加上三星电子西安工厂6月因附近变电厂爆炸而一度停工，带动使用于智能手机、记忆卡的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)交易价格转趋走扬，指标性产品6月份批发价在1个月期间内飙涨22%。
报道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb NAND价格扬升至每个2.75美元、为2年9个月以来首度走升，其中也有部分交易价格超过3美元，且进入7月以来价格仍持续走扬。据英国调查公司指出，2016年全球NAND整体出货量预估将年增3成至超过100亿个。
据报道，6月中旬三星位于西安的半导体工厂因附近变电厂爆炸导致电压不足而一度停工，而该座工厂目前虽已重启生产，不过据悉上述变电厂爆炸事件目前仍对供应量带来影响。三星西安工厂主要生产3D NAND Flash。
韩国媒体朝鲜日报日文版6月20日报道，三星关系人士表示，“就像邻居水管破裂会造成水压不足一样，三星西安工厂部分半导体设备因感测到电压下滑、而自动停工，西安工厂半导体产能约10%因此受到影响”。
BusinessKorea、韩国时报报道，消息人士透露，小米创办人雷军或将飞往韩国，会晤三星记忆体部门主管Jeon Young-hyun，预料会向三星加码采购记忆体。
近来记忆体容量增大成了业界趋势。三星Galaxy S7和LG G5都有4GB LPDDR4 DRAM和超过20GB NAND flash，小米尚未赶上，因此急寻供应商，推测小米应会向三星采购NAND flash。
韩联社7月12日报道，韩国三星电子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快闪记忆体(Flash Memoy)全球销售额创下历史新高纪录、稳坐全球龙头位置。报道指出，根据IHS的资料显示，Q1三星NAND Flash销售额较前一季(2015年Q4)成长3.1%至26.15亿美元，增幅是整体市场(成长1.6%)的近2倍水准，市占率也从前一季的42.0%上扬至42.6%。
排名**位东芝(Toshiba)市占率虽从24.0%大幅扬升至28.0%，不过与三星之间仍有高达14.6个百分点的差距;第三位为美国美光(Micron)的18.8%、韩国SK Hynix则以10.6%的市占率位居第4位。
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