三星量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM

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三星电子通过持续不断的**和探索,凭借在智能手机、平板电脑、个人电脑、LTE通信设备、医疗设备、半导体和LED解决方案等领域的深厚积累,正在**全球的智能化发展。近日,三星电子宣布已开始量产全球首款20纳米8GbDDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市,此时量产该款DRAM产品将推动**服务器市场从DDR3向DDR4的转换。

基于20纳米8GbDDR4的服务器用DDR4内存模块,与基于DDR3的模块相比,数据传送速度提升了约30%,实现了2400Mbps的超高性能。同时,相对于DDR3模块的1.5伏工作电压,新产品只需1.2伏电压,因而耗电量也更低。

此外,如果只基于现有的4GbDRAM,*多只能生产出容量为64GB的内存模块。然而如果结合此次推出的8GbDRAM和今年8月三星电子全球首先投入量产的硅通孔封装技术,那么则可以生产出*大容量为128GB的内存模块,从而进一步推动高密度DRAM市场的发展。此次推出的20纳米8GbDDR4DRAM满足了推动下一代企业级服务器市场发展所需的三大要素,即高性能、高密度和高节能。

三星电子在今年3月成功量产全球首款20纳米PC用DRAM之后,至今仍是业内***个有能力量产20纳米DRAM的企业。此后,三星电子继而在今年9月推出20纳米移动DRAM,加之此次推出的20纳米服务器用DRAM,三星已经构建了足以**“20纳米DRAM新纪元”的完整的产品线。

今后,通过把生产效率高的4Gb产品用于PC,封装小且芯片堆叠层数少的6Gb产品用于移动设备,大容量的8Gb产品用于服务器,三星电子将会根据用途对各种容量的DRAM产品进行优化组合,以差别化的产品战略**DRAM市场的发展。(和利)

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