三星电子的韩国华城厂（Hwaseong），即将扩产的传闻延烧许久。*新消息显示，三星决定投资 3 兆韩圜（约 26.4 亿美元）提升 DRAM 产能。不过由于未来 11 线不再生产 DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击 DRAM 供给。
韩媒 etnews 2 日报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂 17 线的 DRAM 产能，生产 10 纳米等级的 DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在 3 月向部分业者下单，估计投资金额约为 2.5~3 兆韩圜，完工后每月增产 3.5 万片 300 公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。
三星华城厂为综合晶圆厂，17 线生产 DRAM、11 线生产影像传感器和 DRAM、16-2 线生产 3D NAND flash、S3 线生产 10 纳米系统半导体。
如今 11 线将转为全数生产影像传感器 CMOS 和 CIS，不再生产 DRAM。三星为了弥补产能损失，决定扩大 17 线的 DRAM 产能。相关人士表示，此一投资是为了弥补 11 线产能缩减和制程微缩损失，对 DRAM 供需几乎没有影响。
华城厂投资全数落实后，厂内不再有多余空间，三星计划在 17 线旁的停车场，另盖新厂，考虑用于生产 7 纳米的系统半导体。
在此之前，韩媒不断猜测华城厂扩产的目的。
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