本报讯 近日，高通公司宣布，其与三星电子合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造高通*新款**处理器——Qualcomm骁龙835处理器。
高通产品管理**副总裁Keith Kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发**移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们**系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示：“作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星**制程工艺的信心。”
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计终端产品，骁龙835是其后续产品。 （万 林）
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