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1.氮气出状况, 厂房停工：美光桃园厂COO严正否认;

集微网消息，据台湾科技新报报道，近日传出厂房制程所需的氮气出状况，造成逾半晶圆报废，厂房目前仍处停工状态，接下来 DRAM 供货恐受影响。

根据科技新报取得的消息，华亚科厂房近日传出制程所需氮气出现状况，气体污染造成约 6 万片晶圆报废，华亚科厂房为双子星结构，一厂可容纳两座 12 吋厂，两厂月产能可达 12 万片以上，此次逾半产能晶圆报废，影响不可谓小。

*新消息，美光桃园厂营运长叶仁杰对此事件严正否认。 他表示，美光桃园厂并没有任何氮气外泄事件，气体皆在管线中，仅是些许厂务问题，一切事件都在控制之中，没有任何的工安问题，且厂务也快速修复完工，对于产能完全没有任何影响。

半导体市场目前已进入拉货旺季，不论是移动型DRAM、利基型DRAM及标准型DRAM等市场反应皆渐趋热络，因此，只要厂房出现些许状况，市场都会对其特别关注，无论先前韩国LGD的厂房问题，或是武汉新芯的NOR Flash污染事件。

2.三星全球*大规模NAND生产线投产;

集微网7月4日报道

路透社消息，韩国三星电子表示，计划在韩国至少投资21.4万亿韩元(186.3亿美元)，以扩大公司在存储器芯片和下一代智能手机显示器方面的**优势。

4日，三星电子平泽工厂全球*大规模半导体生产线正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。

据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球*大的单一产品生产线。

三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜（约合125.4亿美元），并对华城市新建的半导体生产线投入6万亿（约合52.3亿美元）韩圜，同时位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。

三星西安厂现有**产线在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的**产线，产量将达20万片。同时，三星显示屏也在探讨在韩国忠清南道牙山地区计划投资约1万亿韩元，扩建有机发光二极管（OLED）园区的基础设施。

截至目前，三星电子在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片，用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备上的**数据存储产品。

据市调机构TrendForce数据显示，三星**季(1-3月)对全球存储器的营收市占率高达40.4%。部分分析师表示，三星目前的生产技术比东芝和SK海力士 等竞争对手至少**一年。三星每年通常会为半导体业务投资逾100亿美元，以巩固其**地位。分析师指出，三星寻求通过这笔*新投资来扩大其**优势。

三星电子方面表示，通过大规模的投资，预计到2021年创造163万亿韩元的带动生产效果和44万个就业岗位，打造零部件集聚生产园区，覆盖京畿道器兴、华城、平泽到忠清南道牙山一带。

三星电子副会长权五铉表示，平泽半导体园区是三星电子半导体的一个新挑战，感谢所有参与筹备的员工和合作单位让这个挑战顺利实现。三星电子期待通过对半导体和显示屏生产线的大规模投资，提升在零部件领域的竞争力，创造就业岗位，带动韩国IT上下游产业的发展。

由于用户对消费电子产品处理能力的需求不断增长，以及随着技术越来越复杂，投资的生产收益下降，预计三星等存储器芯片公司将在2017年录得创纪录的营收和利润。市场研究公司IHS预计，今年的存储器行业收入将跃升32%至创纪录的1,040亿美元。分析师*新预测表明，在今年的二季度，三星的利润将超过116亿美元，创下历史新高，比同期苹果的利润还要高。

3.传SK海力士量产72层3D NAND，竞争优势倍增;

集微网7月4日消息

正在韩媒纷纷质疑东芝发布96层3D NAND新闻的时机，另一韩媒爆料称，SK海力士(SK Hynix)已经开始量产72层3D NAND。

目前这一消息经业界证实，SK海力士第四代72层的3D NAND进入量产，主要用于移动装置，并已交货给客户。SK海力士4月份才宣布研发出72层3D NAND，三个月内将进入量产。此次量产速度惊人，以三星电子为例，该公司去年8月研发出64层3D NAND，今年6月才宣布量产，大约花了十个月时间，而SK海力士只用了三个月时间。

至于产业*关心的良率问题，据传SK海力士的生产效能**，72层3D NAND生产率提高30%，与三星64层3D NAND近似，而且达到“黄金良率”(golden yield)，媲美三星。同时，SK海力士采用自家的控制器和固件(firmware)，不再对外采购，可进一步提高毛利率。业内专家指出，如此一来，SK海力士的竞争优势逼近三星。

业界认为，这几年三星能在3D NAND Flash市场有如此地位，主要可归功于持续不断的大规模投资，才能技术差距，但近期包括东芝、SK 海力士等同业均加速技术研发，因此三星不能掉以轻心。近日，市场排名分列**、第三的东芝与西部数据，*近成功研发出96层3D NAND flash，预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板和存储卡等市场。

据韩媒报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考虑到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到**量产再说。

4.东芝：法庭不应支持西部数据要求的芯片业务出售禁令

北京时间7月4日午间消息，东芝本周提出，美国一家法院应当驳回西部数据关于禁止东芝出售芯片业务的要求。东芝表示，该法院没有司法管辖权，而这样的禁令将导致不可逆转的危害。

作为东芝主要半导体工厂的合作经营方，西部数据认为，东芝违反了合资协议。目前，东芝正在寻求以180亿美元的价格出售芯片业务。因此，西部数据希望通过法庭禁令来阻止东芝单方面出售该业务。

在提交至加州**法院的文件中，东芝表示，合资企业只占闪存芯片业务的一小部分。此外，由于业务主要位于日本，因此该法院没有司法管辖权。

东芝正在尽快出售芯片业务，从而获得资金来弥补已破产子公司西屋电气的数十亿美元成本超支。目前，东芝正在与一家优先竞购方谈判，该财团包括日本政府投资者，以及美国的私募股权公司贝恩资本。

东芝表示：“即使与竞标者达成协议，但如果东芝被阻止继续推进这笔交易，那么对于交易整体的损害将非常严重，很可能会导致交易的实施不再可能。”

东芝的NAND闪存业务排名全球**。西部数据也参与了竞标，不过该公司提出的收购方案没有太大吸引力。东芝还表示，由西部数据收购可能会造成反垄断问题。此外，东芝也不愿意与西部数据打交道，因为西部数据此前曾表示，希望完全控制该业务。

西部数据表示，这项禁令意味着国际仲裁法庭将有合适的机会来解决这一争端。

关于该问题的法庭听证会计划于7月14日举行。西部数据认为，*终判决将于当天做出。（维金）