日经新闻 29 日报导，使用于智能手机、记忆卡的 NAND 型闪存（Flash Memory）批发价格进一步走升，10 月份指标性产品 MLC（MulTI-Level Cell）类型 64Gb 产品价格月增约 6% 至每个 3.3 美元左右，为 2 年来首度突破 3 美元关卡，128Gb 产品也月增 1% 至 4.1 美元左右。因生产技术提升，内存价格一般来说都会随着时间推移而下滑、因此价格扬升至 2 年前水准是很罕见的。
报导指出，三星电子停产停售 Note 7，让借此加强攻势、扩大市占率的中国智能手机厂需求急增，而各家内存厂商虽已增产顺应、但仍追不上需求增加速度。日本三星指出，“现阶段工厂虽已产能全开，但仍追不上需求”。
据报导，调查公司 IHS Technology 预估，2016 年 NAND 出货量至少将年增 2 成，IHS **分析师南川明指出，“截至年末为止，NAND 价格恐持续维持在**”。
报导指出，市场普遍认为，价格持续高涨的“NAND 泡沫”恐会在明年（2017 年）结束。
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