联发科否认Helio X20过热 强调多核调度特性

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针对近期中国地区有报导指出Helio X20陷入过热问题,可能面临此款处理器无法顺利上市危机,不过联发科方面对此类消息予以否认,强调目前此款处理器已经进入量产阶段,同时与合作夥伴之间导入应用合作也均维持正常,针对相关报导指称Helio X20有过热问题,联发科则说明藉由本身低功耗技术与多丛集档位切换设计,将此处理器能以*佳模式运作,而不致于产生过热现象。

去年Qualcomm因自主架构设计无法赶上既定时程,因此在Snapdragon 810采用ARM big.LITTLE架构设计,虽然搭配台积电20nm制程技术,但依然无法摆脱“过热”所造成形象与销售影响,因此在去年底正式推出的Snapdragon 820重新改回自主架构设计,希望藉此摆脱高阶处理器过热问题。

而相同情况似乎也出现在联发科预计今年推出的Helio X20,先前有不少消息指出联发科因此款处理器出现过热情况,导致无法顺利供货之余,似乎也影响既定市售产品应用合作关系。不过,联发科稍早出面对此类消息做澄清,表示目前Helio X20采用低功耗技术与多丛集档位切换设计,将使此款处理器能以*佳模式运作,并不致于产生过热现象。

同时,联发科更强调目前Helio X20已经进入量产阶段,同时与合作夥伴之间导入应用合作也均维持正常。根据联发科说法指出,一旦处理器侦测到运作温度提升至一定程度时,将会自动调整Cortex-A72核心运作时脉,或是将其运作核心关闭,直接转换成以8核Cortex-A53架构模式运作,另外也强调Cortex-A72实际效能也有不错表现。

但在采用ARM big.LITTLE架构设计,仅在组合模式等细节做调整之下,配合台积电20nm制程设计是否能直接与采用三星14nm FinFET制程技术的Qualcomm Snapdragon 820,以及首度导入自主架构设计的三星Exynos 8890抗衡,目前依然无法透过实际应用产品做具体比较。

从先前联发科公布消息来看,Helio X20采用特殊三丛集档位设计,藉由双核Cortex-A72 (2.5GHz)、两组4核Cortex-A53 (各为2.0GHz、1.4GHz)构成“2+4+4”的特殊10核心处理器,预期将与HTC、小米与联想等厂商合作应用。

而就根据联发科说明,目前依然看好多核心架构设计市场策略,认为在此设计下将能带来瞬间爆发效能、多工运作弹性,以及相对节电与温度控制等好处,因此本身仍会维持相同发展方向。而针对竞争对手先后进入处理器核心自主架构,联发科仍维持与ARM合作,并且藉由不同优化技术、设计达成*佳效能表现,藉此与竞争对手做出差异化,同时认为自主架构并非处理器效能*终关键,甚至存在投资效益的不确定性。

在先前消息中,联发科接下来将会在Helio X20之后持续推出特殊四段档位设计的Helio X30,处理器设计则分别以ARM Cortex-A72 2.5GHz四核心架构,搭配ARM Cortex-A72 2.0GHz双核心架构,另外再加上ARM Cortex-A53 1.5GHz双核心架构与ARM Cortex-A53 1.0GHz双核心架构,形成“4+2+2+2”的10核心架构设计。

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