美国Tezzaron Semiconductor公司在目前正在举办的2015全球超级计算大会(SC15)上，展示了贴合16片硅晶圆制作而成的芯片。展示时利用显微镜放大芯片的侧面，强调了多层的特点。该公司欲凭借新的三维封装技术，推动迟迟没有取得进展的逻辑电路的三维化。
贴合16片硅晶圆制作的芯片的侧面在显微镜下的放大图
笔者数了一下好像只有15片，但解说员说是16片。 （点击放大）
利用显微镜观察芯片侧面 （点击放大）
Tezzaron在2015年8月底于日本仙台举办的三维IC相关学会“IEEE 3DIC”上，发布了将8片已形成晶体管等的硅晶圆贴合到一起的技术。硅晶圆之间的电气连接通过**对准各晶圆贴合前形成的微细通孔的位置实现。该公司将这种通孔称为“SuperContacts”，以区别于原来的硅贯通电极（TSV）。SuperContacts的直径约为1μm，长6μm。硅基板在贴合前将厚度削薄至20μm，但SuperContacts不贯穿基板。
制作的多层硅芯片群 （点击放大）
一枚芯片的放大照片 （点击放大）
此次贴合了16片硅晶圆，上下的晶圆通过微细通孔连接，但详情未予公布。（记者：野泽哲生
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