慧荣抢占通用快闪存储器标准UFS商机，推出UFS 2.1控制芯片系列，**支持UFS HS-Gear3x1L和HS-Gear3x2L，为下一代智能手机提供高效能、大容量且低功耗的嵌入式储存解决方案，预计2017年下半协同NAND Flash相关业者进入量产。
慧荣指出，在UFS 2.1控制芯片中已整合MIPI M-PHY、低功耗架构、LDPC ECC技术等来支持新一代的3D NAND技术，提供高达50,000/40,000 IOPS的随机读写效能、支持的存储器容量高达512GB，符合前旗舰款智能手机的需求和标准。
慧荣UFS系列产品符合JEDEC*新一代的应用标准，采用基于MIPI M-PHY介面的串列链路和SCSI架构模型(SAM)，支持高效能和大容量嵌入式储存，且新一款的UFS 2.1控制芯片系列的随机读写效能比目前这一代eMMC 5.1控制芯片的效能提高至少3倍。
慧荣指出，已开始为NAND OEM合作厂商提供UFS 2.1系列的样品，预计2017年下半可投入量产。
慧荣总经理苟嘉章表示，慧荣在eMMC市场已经取得领导地位，接下来将既有的优势扩展到USF技术，随着越来越多的应用处理器平台开始支持USF 2.1，而手机OEM厂商也开始在主流规格上采用UFS 2.1规范，接下来将进入嵌入式储存解决方案的新纪元。
苟嘉章进一步表示，UFS技术将在未来5年内取代eMMC成为市场主流标准，尤其现在智能手机对于存储器容量要求越来越高，包括128GB和256GB，因此UFS的效能可被凸显。
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