华虹半导体4月6日宣布，公司90纳米嵌入式闪存（eFlash）工艺平台已成功实现量产，基于该平台制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特点而具竞争优势。
据了解，华虹半导体自主研发的90纳米低功耗（LP）嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，是国内先进的200mm晶圆嵌入式存储器技术，可与标准逻辑工艺完全兼容；在确保高性能和高可靠性的基础上，提供了极小面积的低功耗Flash IP；具有极高集成度的基本单元库，与0.11微米eFlash工艺相比，门密度提升30%以上。基于这些优点，华虹半导体90纳米eFlash工艺的芯片面积较0.11微米eFlash工艺平台，减小30%以上，再加上较低的光罩成本优势，能够为SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和**芯片产品以及MCU产品提供**性价比的芯片制造技术解决方案。
华虹半导体嵌入式非易失性存储器平台是公司*重要的战略工艺平台之一，从0.35微米、0.18微米、0.11微米，到现在的90纳米，一路走来，始终保持着业界**地位，稳定可靠的工艺平台为多家客户提供了**产品，受到客户广泛认可。同时，公司通过持续在该技术领域的深耕发展，已成为智能卡IC生产领域的技术***、全球*大的智能卡IC代工者。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示，华虹半导体是嵌入式非易失性存储器制造工艺技术方面的专家，能够在相对更小的芯片上发挥**性能。相信90纳米eFlash工艺的成功量产将推动新一代应用的快速发展。公司将通过进一步缩小Flash基本存储单元、提升基本单元库的集成度、并减少光罩层数，持续追求具有更小芯片和更低成本的解决方案，继续成为智能卡及微控制器等多种快速发展的嵌入式非易失性存储器应用的**半导体代工公司。
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