据悉,此次获奖的90纳米低功耗嵌入式闪存(eFlash)工艺平台由华虹宏力自主研发,是全球*先进的200mm晶圆代工eFlash技术。该工艺可与标准逻辑工艺完全兼容,并能在同一制程兼容嵌入式电可擦除只读存储器;在确保高性能、低功耗和高可靠性的基础上,提供了极小面积的低功耗闪存IP;具有极高集成度的基本单元库,与0.11微米eFlash工艺相比,门密度提升30%以上。
基于上诉优点,采用华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台制造的芯片面积更小,与0.11微米工艺相比,单片晶圆上的芯片数量增加30%以上。华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台能够为SIM卡、电子秘钥(UKey)、单线协议SWP(Single Wire Protocol)SIM卡、社保卡、交通卡等智能卡产品、**芯片产品以及微控制器(MCU)产品等,提供**性价比的芯片制造技术解决方案。
华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士表示,“华虹宏力伴随金卡工程一起成长,通过持续在该技术领域的深耕发展,已成为智能卡IC生产领域的技术***、全球*大的智能卡IC代工者。随着90纳米eFlash技术的成功开发,我们会将越来越多的智能卡产品持续导入至90纳米。90纳米低功耗eFlash工艺以其尺寸小、功耗低、性能高的特点,具有很强的市场竞争优势,将推动新一代应用的快速发展。华虹宏力始终坚持技术**,持续优化产品组合,在保持智能卡市场竞争优势的同时,将积极布局物联网**的MCU市场,为全球客户提供高效及高性价比的增值解决方案。”