华虹宏力的0.11微米嵌入式闪存工艺采用24层光罩，极大地降低了晶圆的加工成本和生产时间；闪存单元面积仅为0.197平方微米，逻辑单元密度达300K/m2，在一片200mm晶圆上实现了约3.5万颗132K容量的SIM卡芯片；擦写次数达300K，具有非常高的可靠性；采用先进设计，支持单线测试，大大提高同测数。此外，该工艺技术支持铜线封装，可大大降低卡片成本，使其成为各种智能卡和MCU IC应用领域的低本高效解决方案之一。
编辑点评：华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域一直保持着业界**地位。随着金融IC卡、移动支付和物联网的蓬勃发展，嵌入式闪存技术工艺拥有越来越大的需求空间。华虹宏力的0.11微米嵌入式闪存工艺作为华虹宏力0.18微米和0.13微米嵌入式闪存技术的延续，可提供一个兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化智能卡和MCU IC解决方案。
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