富士通研究所开发出了采用GaN功率元件的智能手机用AC适配器。通过采用GaN功率元件，减小了适配器的尺寸并提高了效率。输出功率为12W，体积仅15.6cc，功率效率高达87％。支持快速充电，可将充电时间降至普通适配器的约1/3。该公司计划在2017年度内使该适配器技术达到实用化。
此次采用的GaN功率元件是具有“HEMT结构”的晶体管，耐压为60V。
另外，富士通研究所将在12月10日开幕的“2015日本环保产品展”上展出开发品。（记者：根津 祯
富士通研开发出采用GaN功率元件的AC适配器，2017年推出产品
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