富士通(Fujitsu)亚太电子有限公司台湾分公司近期宣布成功开发具有4Mbit记忆容量的全新铁电随机存取记忆体(FRAM)--MB85RQ4ML，此产品于四线SPI介面非挥发性RAM市场中拥有较高密度，并开始以样本量供货。
该产品采用单一1.8V电源供电，使用具有四个I/O pin的四线SPI介面，并能达到每秒54 MByte的资料传输速率；且具高速运算能力与非挥发性记忆体特性，适用于网路建置、RAID控制器及工业运算等领域。
该产品相较以往富士通产品中，采用44-pin TSOP封装中，拥有16-bit平行介面的4Mbit FRAM，其传输速度较快，为每秒13MB，其资料读写速度更**前者将近四倍之高，且所用脚位更少。同时，此产品适用于必须持续重写设定资料的网路设备，如路由器等。其定位介于资料储存用的高密度非挥发性记忆体与高速作业记忆体之间，并以高速存取及资料备份支援资料重写。
此外，随着资料处理量不断增加，记忆体亦必须频繁地执行资料重写；而从**观点来看，保留存取记录也将更受到重视。有鉴于此，此产品能透过保留网路领域中存取资讯而促进设备效能的改善。
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