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1.中国相控阵雷达组件研发获重大突破,一组件已用于神盾舰；
中国电科（CETC）第五十五研究所（NEDI）微信公众号4月12日报道，该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业**杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道，受到国内外业界关注。
《Semiconductor Today》报道截图
张凯博士的论文聚焦重点实验室近期在GaN高线性技术方面获得的多个重要突破，**提出三维GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶颈，极大改善了跨导平整度，大幅提升GaN器件线性度,同时维持高的输出功率和效率，为下一代移动通信高性能元器件奠定基础。本成果也是**展示GaN三维器件相对于二维器件在微波功率应用的优势与潜力，有力推动了GaN三维器件的实用化进程。该成果研制过程中得到国家自然科学基金、预研基金等课题的支持。
NEDI提出的高线性GaN FinFET器件以及跨导特性
SemiconductorToday是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业**杂志和网站，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和*新行业动态，具有很强的行业影响力。
而CETC第五十五研究所是我国大型电子器件研究、开发及应用研究所之一，拥有砷化镓微波毫米波单片和模块电路国家重点实验室、国家平板显示工程技术研究中心, 主要从事微电子、光电子、真空电子和MEMS等领域的各种器件、电路、部件和整机系统的开发和生产。对于我国国防工业来说，该所*大的贡献莫过于研发的T/R组件，即无线电收发模块，主要应用于各种相控阵雷达上，包括战斗机火控雷达，预警机，“中华神盾”和防空用雷达等。
影响相控阵雷达的除了雷达基础结构设计之外，作为*前端负责无线电收发的T/R组件性能对雷达整体性能的影响也是非常大的。目前国际主流的T/R组件类型有砷化镓和氮化镓两种，其中氮化镓是近几年才出现的新兴事物，不光应用于雷达射频等设备，无线电通信也非常需要高性能的氮化镓半导体组件。
同为中电集团下属14所生产的KLJ-7A相控阵雷达，安装有多达1000多个T/R组件
作为专门负责T/R组件研发的单位，五十五所在突破了砷化镓T/R组建之后就马不停蹄的继续为中国国防工业研发了氮化镓T/R组件。然而由于材料特性等原因，作为新生事物氮化镓T/R组件会出现一些原先所没有遇到过的问题。除了采用金刚石作为衬底材料来改善热传导性能，降低组件功耗之外，三维GaN FinFET的应用可以说是另辟蹊径。
在当前半导体行业开始推进各种三维结构芯片的潮流下，引入三维结构，将GaN二维器件改进成三维结构，可以说是一大**。简单的说，一样的功耗，体积的T/R组件，将能提供出更**的雷达波形和更高的射频功率，在不增加外部能耗需求的情况下，进一步提高雷达基本性能。观察者
2.高启全强调紫光存储自主研发，内存不走台湾授权的老路；
外界认为高启全到大陆发展内存产业后，带走许多台湾半导体产业的人才，对此，他接受媒体采访时强调，找人才不分地方、国籍，不会特定挖哪一公司的员工。
他解释，长江存储是一家国际化的公司，拥有全球各地的人加入，美国人、日本人、南韩人都有，绝不是只有挖台湾工程师，长江存储内部是规定要用英文沟通，因为外籍主管很多，以国际化的规格在打造企业。
高启全说，长江存储2016年7月16日正式成立后，就购并武汉新芯100%股权，现在的武汉新芯约1,200人，另外，长江存储成立至今也招募将近700人，当中的研发人员占500人，台湾人约50名。
紫光稍早也发出声明表示，作为一家国际化的高科技公司，紫光一向非常重视与严格遵守相关法律，尊重对知识产权的保护，鼓励技术**。
在遵守相关法律和商业惯例的原则下，紫光会在世界各地寻找我们需要的人才，并向他们提供较好的薪资和职业发展的机会
另外，谈到2016年7月16成立的长江存储，高启全说，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！
高启全表示，无论是DRAM或3D NAND技术，*好的合作伙伴是美光，但现在政治气氛不对，
美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感，因此洽谈的时间会再延长，但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。
长江存储分为武汉和南京12吋厂两大据点，各自单月产能都是30万片规划，外界对于这样的产能规模，以及何时量产都有很多疑问
他强调，12吋厂规划不会是虚晃一招，但技术没成熟前也**不会冒然投产，长江存储的内存规划是有计划、慢慢做，千秋大业是急不得，我们也不会去打乱市场的行情。
高启全指出，这样的12吋产能规模将会成为对抗三星电子(Samsung Electroncis)的充裕子弹和*佳利器，欢迎美光加入，
现在韩国控制全球DRAM市占高达80%、NAND Flash高达60%，不出几年的时间，韩国就会掌握全球90%的内存芯片，这是全世界都该害怕的事情，三星是全球科技业的威胁。
他进一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，对台湾亦有利，以大陆有计划的布局可扮演此角色
且只有大陆才有这个资源投入，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金**真正投资的内存阵营。
他分析，大陆每年进口的芯片金额高达2,500亿美元，当中以内存芯片为大宗，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片却是零，
大陆有半导体政策要做、出钱出力、给时间让技术落地生根，大家应该更正面去看长江存储的规划和发展。
他强调，3D NAND和DRAM技术**在大陆自主开发，技术不成熟时不会冒然投产，另外
我们不会再走回过去台湾技术授权的失败老路，发展自有技术同时，侵犯别人**会付钱，且长存已累积多个3D NAND**，别人用到也要付费，唯有合法来源取得技术，持续前进，才能吸引到全球人才，打造***的规格。数字时代
3.政府成立百亿产业基金，江苏淮安打造半导体产业集聚高地；
继多个领龙头企业落子无锡、南京之后，两大百亿级半导体公司生产基地正落户江苏淮安市淮阴高新区。淮安又将成为一个新兴的半导体产业重镇。
澎湃新闻（www.thepaper.cn）记者从日前在江苏淮安召开的国际半导体产业高峰论坛上获悉了上述消息。
因受下游产品如个人电脑、智能手机、平板电脑等的驱动，近二十多年来，全球半导体市场在15年间，翻了6.6倍——从1990年的510亿美金的市场规模，增长到2015年3350亿美金。
然而，中国作为全球*大的电子终端消费人群、全球*大的电子整机制造基地，中国的半导体自主供给却严重不足。据金融时报引用贝恩咨询公司(Bain & Co)的数据显示，中国大陆的半导体产值仅占全球的6%-7%。许多进口芯片被装配于个人电脑、智能手机以及其他设备，随后出口至海外。
2014年6月，国务院印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》，以及同年9月24日成立的国家集成电路产业投资基金。
在这样的大背景下，从国家到地方纷纷开始布局半导体产业。
2016年，淮安国家高新技术产业开发区引入了两大百亿级半导体制造公司——江苏时代芯存半导体公司和德科玛半导体公司，前者深耕存储数据的存储器领域；后者专攻采集数据的传感器领域。
据清华大学微电子研究所副所长尹首一教授介绍，无论是集成电路细分的芯片封测业、制造业，还是产业链*核心的芯片设计业，江苏省都是一股重要力量，有着发展半导体行业的良好基础。他对澎湃新闻记者表示，这两大公司落户淮安，看中的应该是当地的潜力与政府的扶持政策。
2017年2月，坐落在淮阴区的淮安市高新技术产业开发区，升级成***高新区，开始享有国家优惠政策——所得税“两免后减15%”（自获利年度起两年内免征企业所得税，免税期满后减按15%的税率征收企业所得税）。
同时，淮阴区政府设立了产业发展资金，以股权、合作权益等方式支持引进科技含量高、投资规模大、市场前景广的项目等。
据淮安市高新区招商局副局长张勇介绍，这次高新区所引入的这两个百亿级项目，从洽谈到签约，前后仅仅用了一周多的时间。双方之所迅速“一拍即合”，原因有两点。
其一是成本。江苏时代芯存的研发团队在上海，生产基地则要找一个与上海相比劳动力等成本相对较低，同时又能保证良好的软硬件设施的地方。受益于整个江苏良好的大环境，以及淮安当地拥有淮阴工学院和淮安信息职业技术学院等高校，可为其提供基础性人才。
其二是政府的资金支持。集成电路是典型的技术密集型及资金密集型产业，投资回报周期很长，风险大，动辄百亿元投资，极其考验政府决策层的决心。据张勇介绍，为了吸引半导体企业落地，淮阴高新区成立了百亿半导体产业基金，并储备了半导体人才与相关企业进行接洽。
张勇说，目前引入的两大企业主要集中在半导体制造领域，接下来他们将会逐步引入下游的封测业及上游的设计研发业，打造“IC设计、特色制造、封测应用开发”的特色半导体产业链发展格局。
淮安市委书记姚晓东表示，淮安将以此次国际半导体产业高峰论坛为契机，从资本市场寻找更多资源，引导社会资金投入，共同解决半导体产业的投融资瓶颈，同时进一步加大半导体全产业链各环节招引力度，力争在淮安打造半导体产业链基地。
澎湃新闻网
4.中国芯**军民融合装备展 自主可控成趋势；
2017年4月，北京国际军民融合装备展览会暨论坛圆满闭幕，展会**天，军民融合论坛也如期举行。此次论坛上，各大公司针对我国目前**领域的多个方面进行了讲解：包括VR、导弹追踪、无人机等项目。而在这众多产品中，一枚小小的芯片超过了所有**设备，引起了在场人员的广泛关注。
军民融合里的“中国芯”
主控芯片—作为存储设备的核心部件，对于任何一块固态硬盘都十分重要，它不仅影响着硬盘的正常运行，同时也保卫着整个存储内容的**稳定;在此次论坛中，来自鸿秦(北京)科技有限公司的副总经理张涛表示，由于目前市场的主控芯片多来自于美国或台湾，这就意味着，缺少“中国芯”的SSD，将会对国家信息带来重大的**隐患。
“在企业级、工业级、国防**等关键领域，如果采用国外SSD解决方案，由于主控芯片及内部固件都掌握在国外厂商手中，国内SSD厂商很难进行芯片方案及固件的二次开发，对芯片软硬件的**性也无法保障，势必会对国家信息及企业信息的**性带来隐患。”
“所以在这一情况下，鸿秦科技决心要研制自己的国产主控芯片以弥补这一空白，就像我们在过去的十年里研发**固态硬盘一样，一定要做出被市场所接受的好产品。”
缺失“主控芯片”的“中国芯”
SSD，即固态硬盘，相较于传统机械硬盘，它具有更**，更稳定、更高效等技术优势。随着技术的革新及改良，目前已经广泛应用于**、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
一块固态硬盘，大致由以下部分组成：主控芯片、NAND闪存介质和固件，其中又以主控芯片*为重要。有数据显示—2016年，全球芯片销售额高达3390亿美元，创历史新高，并一度超过进口石油总额。
今年1月，全球芯片销量同比增长13.9%，达到306亿美元，增幅创2010年11月以来*高。其中，面向中国市场的芯片销售同比增长20.5%(其中以智能手机厂商需求量为*高)，数字的增加，让我们看到了主控芯片的广阔前景，但市场占比，也让我们意识到了国产主控芯片的薄弱。
鸿秦科技，从事**固态硬盘行业十年。自去年中标陆军固态硬盘主控芯片科研项目以来，投资数千万元，已经迈出了国产化固态硬盘的坚实一步，即将推出固态硬盘的中国芯--鸿芯k1，坚持走**可靠，自主可控的国产化技术路线，为保障我国国防信息**贡献一份力量。
对于如何制造这样的一块主控芯片，鸿秦(北京)科技有限公司的张总这样告诉记者：
“**，正向开发，保证芯片在自己手中;**，知识产权，风险防范要立足国内，建立SSD主控芯片自己的知识产权壁垒;第三，军民融合，既要民参军，也需要军转民的支持;第四，要有持续投入。”
鸿秦科技成立于2007年，作为国内*早进入SSD市场的公司之一，其固态存储产品广泛应用于航空航天、船舶、兵器、电子等众多**领域。当被记者问到为何鸿秦科技有这样的信心能做成这件事，鸿秦科技的张总这样说道：
“首先，我们拥有成熟和先进的技术开发力量。几十名技术研发人员，全部拥有固态存储领域近10年的研发、设计及生产实践经验;对于科技产品而言，经验就是保证成功的**要素;**，我们的研发实力已获得多项成果，目前鸿秦科技已拥有数十项**权及**系统;第三，完善资质，从国军标到保密资质，拥有权威认可，是我们的生产的首要出发点。”
“到目前为止，我们所有的固态硬盘产品都由鸿秦自主研制，每一部分都凝聚着鸿秦研发人员的汗水，这也是为什么我们能够多年推出定制化产品。也正因为如此，相信我们在接下来的国产主控芯片研发中也一定能收获成果。”
军民融合打造“中国芯”
一直以来，我国致力于加快芯片产业本土化进程，但目前来看，进程仍然缓慢，特别是在技术门槛较低的消费类电子市场，芯片企业基本上跟随海外巨头，很少能做到原创性研发和技术自主。
业内人士分析认为，军民融合具有三大战略意义：首先，通过军民深度融合，可以盘活存量资产，吸引各种渠道资源进入**领域，加快武器装备升级换代;其次，军民深度融合能够解决原有**资产的效率问题，构建国家主导、需求牵引、市场运作、军民深度融合的运行体系，由原来的“输血”转为“造血”，促进**产业升级;*后，把国防科技工业与民用科技工业相结合，共同形成一个统一的国家科技工业基础，实现军民两部门合作共赢的目标。
5.我国石墨烯微型超级电容器件技术研究获进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所二维材料与能源器件研究组研究员吴忠帅团队利用紫外光还原氧化石墨烯技术，一步法实现了氧化石墨烯的还原与石墨烯图案化微电极的构筑，批量化制备出不同构型的微型超级电容器。相关研究成果发表在ACS Nano（DOI：10．1021／acsnano．7b01390）上。
柔性化、微型化、智能化电子产品的快速发展，促进了微型超级电容器等储能器件的进步。传统微纳加工技术，如湿法光刻，操作繁琐、过程复杂、成本较高，不适宜批量化生产。此外，以氧化石墨烯为前躯体制备的微型超级电容器，还需要增加化学还原或热还原等步骤。因此，高效、低成本、大规模生产石墨烯微型超级电容器件技术仍面临诸多挑战。
该研究团队利用紫外光还原氧化石墨烯技术，实现了氧化石墨烯的高效还原与石墨烯微电极的图案化一步完成，并批量化制备出不同构型的微型超级电容器。与现有制备技术，如湿法光刻、喷涂打印不同，该技术具有操作流程简单、成本低、条件温和等特点，并能够高效构建出不同构型、集成化的微型功率源。制备得到的电容器在离子液体中表现出较高的扫描速率（200V／s）、能量密度（7．7mWh／cm3）和功率密度（312W／cm3）。该工作为一步法简化制备石墨烯微型超级电容器提供了新思路，并证实了可通过调控薄膜电极与电解液界面的浸润性能显著提高器件的电化学性能。中科院
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