2月10日，格芯（GLOBALFOUNDRIES）与成都市政府在成都高新区宣布合作，正式启动12英寸晶圆生产制造基地，投资规模累计将超过100亿美元。就此，中国西南地区**座12英寸晶圆厂开建。

引入22nm FD-SOI

据了解，本次投资包括93亿美元代工厂的投资，以及生态系统、基础设施等，加起来总投资额超过100亿美元。

“这将是中国*大的逻辑芯片代工厂，每年100万片晶圆产量，也将是格芯在全球*大的工厂。”在采访中，格芯**执行官Sanjay Jha表示。

根据不完全统计，我国目前有11座12英寸晶圆厂投产，包括SK海力士的2座、华力微的1座、联芯集成的1座、三星电子的1座、武汉新芯的1座、英特尔的1座、中芯国际的4座。

另外，新建的12英寸晶圆厂还有武汉新芯投资240亿美元的存储器基地项目、台积电南京的12英寸厂、福建晋华12英寸存储器集成电路生产线项目、中芯国际北方新建的B3厂、上海投资675亿元的12英寸晶圆产线、深圳的12英寸晶圆产线、上海华力微电子投资387亿元的上海新12英寸晶圆厂等。

“成都的12英寸晶圆生产基地未来月产能将达8.5万片。”GlobalFoundries新加坡运营部**副总裁兼总经理KC Ang告诉《中国电子报》记者。

一期将建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线，主要工艺为0.18um/0.13um，相关工艺技术主要从新加坡厂转来，设备也将有一部分来自新加坡，预计于2018年年底投产，月产能2万片。KC Ang表示，0.13um良率高、成本好，并且产能*紧张，可应用领域广，中国客户都希望他们尽快在成都生产。

“现在市场上对于0.18um/0.13um的需求还是非常大的。特别是一些电源和RF设计，很多还是在0.18um/0.13um上。”Sanjay Jha说。

二期将建设目前格芯*新的22FDX 22nm FD-SOI 工艺12英寸晶圆生产线，相关工艺将于2018年下半年从德国德累斯顿工厂Fab1进行技术转移，设备全新采购，预计2019年第四季度投产，月产能6.5万片。格芯将与成都一起建立生态系统，预计为成都引入较为完善的IPEDA设计服务，以更好地支持22FDX系统。

Sanjay Jha表示，一期和二期的投资比例大约为1∶9，格芯没有计划在成都引入FinFET工艺，而是要在22nm FD-SOI的工艺上走下去。

目前，22nm FDX已在德国德累斯顿工厂进行少量量产，该工厂已经开始新一代12nm FDX的技术研发。据了解，引入中国工厂的22nm FD-SOI将主要应用在中低端智能手机、物联网、RF射频、汽车等方面，将先在德国厂进行工艺验证，成都厂建好后，再直接把需求带入成都。

成都抢亲？

去年5月31日，格芯曾与重庆市签署合作谅解备忘录，欲与重庆市政府成立合资企业，在中国新建一座12英寸晶圆厂。之后曾传出合作破裂的消息。如今，仍是建12英寸晶圆厂，合作方却转换成了成都市。

“成都可以同时进行0.18um/0.13um和22nmFDX两种不同的工艺制作路线，并且进行更大规模的生产，使生产更有效。另外，成都更适合发展Fab产业，让我们可以在成都当地共同创造出一个更大的电子产业。”Sanjay Jha表示。

此前，成都曾建立西部**8英寸晶圆厂，但结局并不美好。如今，除今天已经宣布的格芯12英寸晶圆厂外，去年年底还曾传出紫光欲在成都建设12英寸晶圆厂的消息。

芯谋研究顾文军此前曾提出观点，认为Foundry做为重资产产业，12英寸晶圆厂动辄涉及几百亿元的投资，需要强大持续的经济实力、充沛专业的人才积累、**扎实的产业基础、自主可控的市场需求、上下一致的决心信心、接连几届政府的支持，因此要谨慎同时启动两到三条12英寸晶圆生产线。

全球调整布局

格芯是全球晶圆代工**大厂商。按照IC Insights的预测数据，2016年格芯仍以11%的市场占有率牢牢占据全球**的位置，营收为55.45亿美元。相比来说，全球代工龙头台积电营收为294.88亿美元，市场占有率59%；第三名的联华电子营收为45.82亿美元，市场占有率9%。

今天，格芯也公布了其全球制造业务版图的扩展计划。格芯计划在纽约工厂的14nm FinFET工艺产能提升20%，并将于2018年年初启用一条全新的晶圆生产线；德国工厂将增加22nm FDX工艺的生产，预计未来三年产能将提升40%；新加坡工厂将增加35%的12英寸晶圆厂40nm工艺产能。

之所以这次在中国的12英寸晶圆厂没有选择40nm/55nm工艺，是因为格芯已经看到一些40nm的需求向22nmFDX上转移。而格芯的新加坡厂已有40nm/55nm的生产，因此根据需求预测，在成熟工艺上格芯选择了0.18um/0.13um。

目前，格芯的22nm FD-SOI每年有120万片晶圆的产量。“22nm FDX类似于FinFET性能，成本和28nm FinFET相当。我们正在研发的12nm FDX，线宽比FinFET小35%，性能提升25%。12nmFDX将于2018年**季度流片，2019年生产。”Sanjay Jha指出。

格芯的14nm FinFET制程是引进三星技术授权，在7纳米上，格芯**技术官Gary Patton也曾告诉《中国电子报》记者，未来将会专注于7纳米。本次，《中国电子报》记者也了解到，格芯纽约Fab8晶圆厂计划在2018年**季度开始7纳米工艺生产。