据The Investor网站北京时间4月12日报道，三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是******的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
据《首尔经济新闻》报道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。
消息称，一开始，新工厂的产量将较为有限，需要几年时间才能**运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营，但是尚未正式宣布具体时间表。
新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3D NAND闪存芯片将占据一半以上。
三星目前是全球*大的NAND闪存芯片制造商。市场研究公司IHS Markit发布的报告显示，三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。
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