DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，*为常见的系统内存。

IC Insights的分析师指出，随着PC、数据中心服务器、平板、智能手机和其他设备的兴起，中国对DRAM和Flash的渴求达到了一个****的阶段。所以他们在“十三五规划”里把发展存储放在一个重要的位置。

近日，在美国召开的ISSCC半导体峰会上，索尼也展示了一项为智能手机开发的全新黑科技，即****款内置DRAM存储芯片的智能手机CMOS堆栈式传感器。

有了大量的市场需求，DRAM行业状况持续回暖。在经历连续18个月的价格下跌后，DRAM产品价格较*低值时已经大幅回升超过50%，而除PC领域外，其他行业的需求回升也开始逐步显现、预计将继续推动DRAM产品价格回暖。

DRAM eXchange预估，2017年整体DRAM供给位元成长将小于20%，为历年来*低，在需求面没有明显转弱的前提下，预估全年度DRAM供给成长将小于需求成长，可望带动DRAM价格持续攀高，维持供货商**获利的状态。

　　中国在存储产业发展筹划多时

中国在存储产业发展筹划多时，然尤在 DRAM 这块发展却始终难有重要突破，先前以武岳峰为首的中国基金收购的美国 DRAM 厂矽成（ISSI），显得格外重要，中国本土 NOR Flash 厂商兆易**（Gigadevice）在 2016 年 11 月中揭露了即将与 ISSI 整并的信息，现在再有进一步进展。

兆易** 13 日晚间发布〈股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易预案〉，将发行股份及支付现金给包含上海承裕、北京屹唐、北京华创芯原、上海闪胜创芯、烟台民和志威等合计 100% 持有北京矽成（ISSI）股份的企业，此次发行股份主要规划向京创横溢、海厚泰资本、芯动能等十名特定投资者募集资金，用来支付现金对价与中介机构等相关费用。据文件揭露的信息，此次交易价格暂定为 65 亿人民币，交易对价中只有 19.5 亿元为现金支付，另外 45.5 亿元则以股份支付。

兆易**产品核心为 NOR 跟 Micro Controllers，据调研机构 IHS 数据，兆易**在 NOR 市占约莫 7%，在取得 ISSI 后，兆易创芯将成为中国少数兼有 DRAM 与 Flash 技术的半导体厂商。

兆易**近期传出与华邦电都有意收购美光 NOR Flash 业务，鹿死谁手还未可知。此外，兆易**台面下也正积极筹划建厂，兆易**传出将与中芯前CEO王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立存储厂，日前，兆易**招募信息与合肥长鑫环评文件曝光，间接证实了此消息，从种种文件来看，新厂可能落户合肥空港经济示范区，估计 2017 年 7 月动工，从事 12 寸半导体存储芯片生产，总投资额高达 494 亿人民币，产能初估一年在 150 万片（月产能 12.5 万片）。

掀起扩产潮的不止中国本土厂商

中国半导体迎来扩产潮，不只中国本土厂商，全球半导体厂商也竞相在中国布建生产线，而早早在中国插旗的韩国存储器大厂 SK 海力士同样不落人后，将在中国无锡兴建新厂，总投资金额将达 36 亿美元！

近日中国江苏省委常委、无锡市委书记李小敏、无锡市长汪泉，在南京会见 SK 集团副会长暨 SK 海力士社长朴星昱一行，双方就 SK 海力士接下来战略发展、拓展合作领域进行会谈。

据无锡市政府消息，SK 海力士将在无锡启动**工厂建设，总投资金额达到 36 亿美元。然官方并未透露进一步的计划与详细资讯。

依据 SK 海力士在 12 月底公布的投资计划，可以确定的是 SK 海力士将在 2017 年 7 月先投资 9500 亿韩元（约 8.93 亿美元），扩建中国无锡 C2 厂洁净室，扩大 DRAM 产能，估计 2019 年 4 月才会完工、贡献产能。

SK 海力士 2005 年插旗中国无锡，期间历经 5 期重大投资建设，累计投资金额达到 105 亿美元，是中国半导体、也为江苏省投资规模*大的外商投资项目，SK 海力士无锡厂目前*高产能每月可达 13 万片，约占 SK 海力士 DRAM 产能的一半。

美光在2012年收购了尔必达、瑞晶之后，市场占有额超过40%，仅次于三星，远远大于海力士。不过美光这几年的销售情况并不好，制程更新速度缓慢，技术更新变慢更是加剧了市场占有率的下滑。在2016年年底，美光收购了台湾华亚科技之后，美光在台湾的投资更是备受关注。近日有来自台湾的消息，美光计划在台湾投资新台币1，300亿元，将位于中部科学园区进行扩厂计划，此次，台湾美光选定中科进行新制程，盼能塑造为高效完整的DRAM全球生产基地，甚至成为亚太区营运中心，未来也将持续在台扩充产能。

小结

全球DRAM市场规模约410亿美元，其中三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，三家占据95%以上的市场份额，行业具有寡头垄断特征。

三星无论工艺、产能还是占有率都有**优势。2014年**个量产20nmDRAM工艺之后，再次**并量产18nmDRAM。据半导体行业人士透露，三星电子存储业务部门计划将于明年下半年生产15nm和16nm DRAM，被称之为1ynm工艺。

SK海力士预计明年年初量产18nmDRAM。美光目前还停留在20nm的路上，预计2017年下半年完成向1Xnm级别产品的迁移，与三星技术差距为达1年左右，行业垄断性有增强趋势。

据悉，3500亿美元的半导体市场中储存类产品占据将近1000亿美元的份额，而其中DRAM（动态随机存取存储器）更是占据约500亿美元的份额。如此大的市场，对于中国企业来说无疑有着巨大的开拓潜力。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用**的替代方案，技术革新推进，DRAM集中度趋势增强，争取实现差异化。