被格罗方德指控垄断,台积电:努力捍卫信誉

1.被格罗方德指控垄断,台积电:努力捍卫信誉；2.缺货大潮序幕刚刚开启，硅晶圆国产化刻不容缓；3.格罗方德为IBM提供定制化的14纳米FinFET技术；4.DDR5可望成为下一代主流存储器接口？ 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.被格罗方德指控垄断,台积电:努力捍卫信誉；集微网消息，据路透社报导，格罗方德（GlobalFoundries）指控台积电涉及不公平竞争，已要求欧盟就反垄断展开调查。 台积电则否认相关指控。知情人士说，格罗方德向欧盟执委会投诉，指控台积电运用不公平的手段，包括忠诚折扣（loyalty rebate）、排他性条款、捆绑折扣（bundled rebate）、甚至罚款等，设法劝阻客户琵琶别抱、转向竞争对手。消息人士说，这些行为持续数年，已影响格罗方德的竞争能力，且在格罗方德一项主要产品开始赢得新客户后，更是变本加厉。台积电否认这些指控，一名发言人说：「我们的客户一向有选择自由，我们对此极为尊重，而他们之所以选择台积电，是因为我们提供的价值助他们迈向长期

三星推出车用eUFS闪存 速度远超eMMC

三星电子公司将生产嵌入式通用闪存存储(embedded Universal Flash Storage)，用于下一代汽车。三星公司表示，这款eUFS闪存专为先进的驾驶辅助系统、仪表板系统和信息娱乐系统而设计，提供64GB和128GB两个版本。自2015年初，由eMMC升级而来的eUFS已经用于移动设备。当时，eUFS可是旗舰手机的专享，而如今中档手机也开始使用eUFS替代原有的eMMC了。三星这款eUFS闪存将提供更强的数据传输速度，其读取速度高达每秒850兆字节，随机读取速度为每秒45，000输入或输出操作。eUFS闪存符合JEDEC UFS 2.1标准，以及即将推出的JEDEC UFS 3.0标准，并具有必要的数据刷新和温度通知功能。三星表示，温度通知功能通过控制器起作用，对触摸式汽车环境非常重要。三星于2015年组建了汽车团队，为汽车制造商提供组件，包括显示屏、电池和内存芯片。它以80亿美元收购了哈曼，并将车载音频添加到其产品组件中。三星目前是世界上*大的内存芯片供应商，产品既包括NAND闪存(例如eUFS)，也包括动态随机存取存储器(DRAMs)。

16日审查,日月光并矽品恐破局

澜起科技推出全球首颗Gen2+ DDR4 RCD芯片

元器件交易网7月27日讯 澜起科技今天宣布，已成功推出全球首颗 Gen2+ DDR4寄存时钟驱动器芯片(DDR4RCD02+)，该芯片支持的速率高达3200 Mbps，可应用于未来的数据中心服务器平台。同时，澜起科技的Gen2 DDR4寄存时钟驱动器(DDR4RCD02)和数据缓冲器(DDR4DB02)套片也顺利通过了 CPU 厂商的认证，支持基于DDR4-2666 DRAM的服务器平台。澜起科技集团有限公司今天宣布, 已成功推出全球首颗 Gen2+ DDR4寄存时钟驱动器芯片(DDR4RCD02+)，该芯片支持的速率高达3200 Mbps，可应用于未来的数据中心服务器平台。2016年6月，澜起科技在全球范围内率先推出了首颗完全符合*新JEDEC DDR4 RCD（寄存时钟驱动器）标准的DDR4RCD02+芯片，该芯片不仅继承了**代DDR4 DDR4RCD02产品的出色特性，如功耗超低、性能稳定等，而且支持的数据速率高达3200 Mbps，较之DDR4RCD02支持的*高速率2666 Mbps有大幅提升。尤为重要的是，DDR4RCD02+支持JEDEC标准的可选功能--NVDIMM（

无厂DRAM企业Sino King　意图革新商业模式

前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology，指出目前半导体业界有四种公司：一，有高度研发生产能力的公司，如英特尔(Intel)；二，有高度研发能力如德州仪器(TI)或Sony；三，强调研发生产周期低成本如三星电子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix)；四，有先进生产技术的如台积电。 而Sino King Technology则是要成为不同于上述四种的第五类公司，以研发高度客制化存储器为重，不排除研发生产非属固态技术协会(JEDEC)定义产品，以日本与台湾的技术加上大陆的资金，建立新的高性能DRAM研发生产体系。JEDEC是半导体相关业者组成的业界团体，由其定义的共通规格存储器具有高度相容性；但缺点是标准化作业测试耗时耗资，而且韩国二大存储器厂三星与SK海力士全球市占率超过70%，新的存储器规格可说由韩国主导，对其他国厂商相对不利。实际上，购并了尔必达的世界第三大存储器厂美光(Micro)就有若干非JEDEC规格存储器产品，这条路并非不可行；客制化存储器可以省略标准产品的若干规定，缩短

中国培养不出半导体技术人才 日本专家说得对吗？

去年以来，中国企业大规模收购了全世界的半导体制造商。特别是紫光集团的收购攻势非常厉害。3月23日，日本BusinessJournal网一篇原题为《世界工厂中国，为什么培养不出技术人员，简要说就是做不到必要的开发和合作，还会偷懒》的文章被国内媒体摘译并转载，引发网友热议。文章对尔必达前社长与和合肥政府合作建设DRAM工厂做了介绍，认为中国的半导体技术人才具有偷懒、个人主义、缺乏忠诚感的劣根性，并认为中国无法培养出本土人才。该文作者是日本微细加工研究所所长汤之上隆，曾在日立制作所、尔必达存储器等企业任职，从事半导体技术开发工作长达16年。笔者认为，虽然文中描述的部分事实客观存在，但其主要观点与结论恐怕与事实不符。对中芯国际的描述有误导之嫌在文章中，汤之上隆称，曾在2007年拜访上海中芯国际，指出“这个公司在2000年4月成立的，之后，一次也没有获得可观的收益，一直处于低空飞行的状态。要是没有国家的援助的话，一定早早就倒闭了……访问中芯国际之后，感觉到*大的违和感是，经理是台湾人，几乎所有的技术人员不是日本人就是台湾人，中国人的技术人员只有极少的一小部分。”虽然汤之上隆的描述，在他2007年

JEDEC推出延伸标准　UFS进军存储卡市场

JEDEC固态电路技术技术协会(Solid State Technology Association)日前发表JESD220-2通用快闪储存(Universal Flash Storage, UFS)记忆卡延伸标准。这项新的可移除式记忆卡标准是UFS标准的延伸，许多技术特性都沿用现有标准，可免费在JEDEC网站上下载。该标准的推出，象征UFS标准正式从嵌入式应用进军可移除记忆卡市场。 UFS是针对电脑与智慧型手机、平板电脑等行动装置所设计的高效能、低功耗储存介面，其高速序列介面与*佳化的协定能显着提升资料吞吐量与行动系统的效能。新的UFS记忆卡标准在使用UFS 1.0单通道的条件下，介面频宽可达双向600Mbit/s，并支援*先进的伫列(Queuing)机制，以提升系统的资料吞吐量。UFS记忆卡的功能特性与为嵌入式应用设计的UFS 2.0标准大致相同，都可以与UFS HCI 2.0标准相容，并支援MIPI M-PHY HS-Gear3、HS-Gear2(选择性支援)与PWM-Gear1，至于机构规格则在JEDEC MO-320中定义。不过，为了针对成本、设计复杂度进行*佳化，让UFS

力科推出简单易用的DDR信号调试工具-DDR Debug toolkit

氮化镓功率技术大热，Transphorm**HEMT结构“剑走偏锋”高压器件

氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件**市场经理蔡振宇（Eric）的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享，将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案**次带到中国媒体面前，采用**的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头羊。富士通电子元器件**市场经理蔡振宇（Eric）主题演讲中高压GaN技术的领头羊是如何炼成的？*近一年多以来，一个中国工程师和媒体社群极少听到的品牌——美国Transphorm公司——以一种“稳秘模式”异军突起，已成为电子能源转换行业开发与供应GaN解决方案业务的国际公认领导厂商。据Eric介绍，基于知名投资公司的资金支持(其中包括富士通、谷歌风投、索罗斯基金管理公司以及量子战略合作伙伴资助等)，Transphorm成为了一家快速成长的公司，尤其是在高压GaN解决方案方面是国际公认的领导

富士通半导体将携众多产品亮相2015慕尼黑上海电子展

3月9日，富士通半导体(上海)有限公司宣布，将参加在中国上海举行的“第十四届慕尼黑上海电子展”(Electronica China 2015)。本次展会将于2015年3月17日至19日在上海新国际博览中心拉开帷幕。在本次展会上，富士通半导体将展示其具有传统优势的FRAM铁电随机存储器全系列产品，此外还将展示车载图形显示控制器GDC、图像信号处理器Milbeaut ISP、Custom SoC(ASIC)、代码转换器Transcoder系列以及氮化镓GaN系列电源器件等产品及解决方案，并安排了阵容强大的工程师们做现场演示和答疑解惑。欢迎参观富士通半导体位于E3展厅的3112号的展位。此次展出的产品如下：高可靠性存储方案 – 富士通半导体FRAM品质保证与传统的非易失性存储器如EEPROM相比，富士通半导体FRAM的优势主要体现在高速烧写、高读写耐久性和低功耗等方面。高速烧写确保实时存储，可帮助系统设计者解决实时存储数据突然断电数据丢失的问题;高耐久性的特点，可���实现频繁记录操作历史和系统状态;低功耗主要读写操作功耗低。富士通半导体在FRAM领域耕耘超过15年，自1999年开始量产，*初为

电子元件封装术语大全

1、BGA 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是*简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。9、DFP 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称 陶瓷DIP DIP 的别称 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚

韩国无晶圆厂半导体公司TLi采用Arasan的IP产品实现成功流片

**的韩国半导体公司TLi采用Arasan的通用闪存（UFS）知识产权（IP）产品实现了芯片设计的出货，该公司之前获得了Arasan的UFS设备控制器IP及支持高达Gear 3速率的MPHY等产品的授权。TLi是*新一家使用Arasan的UFS Total IP解决方案成功实现芯片设计的公司。 Arasan是一家提供JEDEC UFS IP和MIPI MPHY模拟IP内核的**供应商。Arasan的UFS主机、设备和MPHY IP产品已授权给那些**的、采用UFS的存储器供应商和应用处理器公司，并已投入生产。在目前市场上已供货的一些先进智能手机中，都有Arasan的UFS解决方案的身影。“随着几乎所有的UFS存储器供应商和大多数**应用处理器提供商都购买了我们的UFS设备IP以及MIPI MPHY IP内核，我们可以确保整个UFS生态系统上的合规性。”Arasan**技术官Prakash Kamath表示。“该IP的质量和Arasan工程团队提供的支持是非凡的，”TLi副总裁Yoonseok Song表示。“我们非常高兴能够采用Arasan的IP产品实现芯片的成功流片，并且很开心将成为

TI推出速度*快16位DAC速率高达2.5GSPS

美国JEDEC标准成功导入国内LED封装行业

我国LED封装产业起步于上个世纪70年代，在近40年的发展中取得了显著成就，在产业规模和技术水平上与******不断缩小，中国已成为全球LED封装大厂争相布局角逐的重要市场。然而，截至目前，LED封装行业还未有一个被广泛接受的元器件质量测试标准，这不仅导致了行业的无序竞争，诱发了行业众多的"倒闭潮"与"跑路门"，同时也意味着LED封装产品公布的数据表中有些信息往往会被质疑。如何检测一个LED元器件质量等级？如何评判一个LED元件器的优与劣？LED封装行业亟需一个权威的标准来规范市场，LED封装企业也需要一个通用的标准来提升自己的信任度，终端客户也需要一个检测标准来确保所购买产品的可靠性。为规范LED封装行业市场，推动行业向更高的标准发展，深圳市蓝科电子有限公司敢于做行业**个吃螃蟹的人，率先将美国JEDEC半导体SMD质量标准引入中国LED封装行业，并制定SMDLED产品质量标准。在政府还没给行业制定一些法规标准时，蓝科电子与国际接轨，直接导入了行业的国际标准。什么是JEDEC？JEDEC即电子工程设计发展联合协会，是微电子产业的领导标准机构。在过去50余年的时间里，JEDEC开发了大

Micron宣布加大DDR4模块的产量

先进内存及企业数据中心和高性能应用存储解决方案**供应商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存储器的产量以支持即将发布的Intel(R) CPU。DDR4技术的性能改进及功耗降低是日益增长的企业计算市场十分重要的要求，与传统DDR3相比，DDR4的功耗可减少达35%。 Micron正逐步加大其基于4Gb的DDR4模块的产量，该模块传输速率达2133MT/s以支持Intel Xeon(TM)处理器E5-2600 v3系列产品系统。预计在2015年的后续产品中，Micron还可提供2400 MT/s设备的样品。 “我们符合JEDEC标准的组合产品展示出DDR4可向客户提供的性能和功耗方面的优势”，Micron市场和程序管理副总裁Robert Feurle说。“由于Micron与重要客户的密切合作，我们在市场上占有有利地位，能将这种令人振奋的新技术提供给市场”。 “从DDR4内存定义的早期直至产品的发布，我们一直与Micron密切合作”，Intel DCG内存生态系统总监Geof Findley说。“我们共同的客户将可以从这项新存储技术中获益，由此可

JEDEC固态技术协会公布新一代行动记忆体规格JESD209-4 LPDDR4

JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4，号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。根据该协会发布的新闻稿， LPDDR4 由 LPDDR3 的单通道架构升级为双通道、每通道16位元，总位元宽度达到32位元; LPDDR4 的I/O资料传输速率为3200 MT/s，总运作速率为4266 MT/s ，是LPDDR3运作速率2133 MT/s的两倍。而因为采用双通道架构，降低了记忆体阵列到I/O接合垫(bond pads)之间资料讯号传递距离，因此新规格也能达到更低的功耗。JEDEC理事会主席Mian Quddus 在新闻稿中表示，LPDDR4规格在性能上有大幅的提升：「是为了迎合全球*先进行动系统对功耗、频宽、封装、成本以及相容性方面的需求。」新规格重点如下：˙双通道架构;˙提供CA与DQ的内部参考电压(Internal Vref);˙资料汇流反转(Data Bus Inversion，DBI-DC);˙CA与DQ内部终端电阻(ODT);˙I/O吞吐量3200 MT/s、*大可

澜起科技推出**代DDR4寄存时钟驱动芯片

本报讯 澜起科技集团有限公司日前宣布推出全球首颗**代DDR4寄存时钟驱动器芯片（DDR4RCD02），澜起科技是专注于为家庭娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的全方位解决方案的全球无晶圆厂供应商。DDR4RCD02芯片完全符合*新的JEDEC DDR4RCD02规范，支持2667MHz及以上的时钟频率。该芯片在性能和速度上较其*高支持DDR4-2400的**代DDR4寄存时钟驱动芯片有显著改善。目前澜起科技已将DDR4RCD02工程样片交给客户，供其开发支持**代DDR4 RDIMM和LRDIMM模式应用程序。“我们很荣幸能够提供世界上**完全符合**代JEDEC DDR4RCD设备的驱动芯片，它能够支持用户对于服务器内存系统速度越来越高的要求，更是我们继今年年初成功量产**代DDR4RCD01芯片和DDR4DB01设备的再次突破。我们将保持与服务器生态系统合作伙伴的密切合作，进一步推动我们的内存接口技术满足服务器和云计算应用市场需求。”澜起科技总裁戴光耀表示。 （ 文 微）

基于EDA技术的定向型计算机硬件设计

JEDEC发布通用闪存标准（UFS）2.0版

微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会今天发布通用闪存（UFS）标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能，延伸**功能，并进一步降低功耗。通用闪存卡针对智能手机与平板电脑等需要低功耗的移动与计算系统而设计。其高速串行接口及优化协议使吞吐量与性能显著提高。急剧增长的移动市场加上越来越受青睐的多媒体应用持续推动存储器应用模式与带宽需求。基于JEDEC闪存存储器标准的通用闪存卡标准正是因应这一趋势而推出。UFS 2.0版将链路带宽从UFS1.0版的每秒300兆字节提高到每通道每秒600兆字节，并且增加了多通道支持，使得每个数据传输方向的速率达到每秒1.2G字节。 为了实现数据传输的*高性能与能效，JEDEC采用了来自 MIPI® 联盟的业界**规范来建立互联层。UFS2.0版标准继续这一协作，引用了 M-PHY® 3.0版规范与 UniProSM 1.6版规范。JEDEC同时还发布了两个配套标准：JESD223B UFS 主机控制器接口规范(UFSHCI) 2.0版与JESD223-1 U

泰克公司推出面向DDR4、DDR3和DDR3L内存的实时一致

 泰克公司日前宣布，推出实时内存执行验证解决方案，以提供针对JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L内存标准的更快速协议、性能及一致性分析。由泰克合作伙伴Nexus Technology开发的MCA4000协议一致性和总线协议分析仪提供长时间周期内的内存接口即时可观测性，从而提供对内存总线活动的深入洞悉，这有助于缩短调试周期和加快产品上市速度。随着行业转向具有更高数据传输速率、更低功耗和更大容量的DDR4和DDR3L等新型内存技术，设计人员在调试和验证具有更小余量、更快边沿速率和复杂总线协议的器件时面临许多新挑战。通过增加实时内存执行验证功能，泰克以*完整的内存分析解决方案系列满足了这些苛刻要求，这些解决方案中包括用于电气测试和逻辑调试的现有解决方案，以及广泛的探头、内插器和软件分析产品系列。“*新JEDEC标准使内存验证和调试成为一项非常困难和要求更为苛刻的任务，这是以前从未有过的，”泰克公司高性能示波器总经理Brian Reich表示，“(内存)执行验证完善了我们的解决方案系列，使客户能够获得其需要的广泛测试解决方案来快速隔离问题和调试各类内存，速度和外形因素都不再是障碍。”MC

德州仪器推出业界速度*快16位DAC

安捷伦*新调试工具助力完成预兼容自动化测试

         安捷伦科技日前宣布推出*新的调试工具，以帮助使用DDR存储器的工程师完成预兼容自动化测试，找出导致设计和JEDEC规范不一致的根本原因，从而*大限度地增加设计裕量。此工具简化工程师的测试和验证工作，让他们能轻松快速地关注其感兴趣的区域，进行有针对性的深入分析，并从统计的角度给出分析结果。 DDR3和LPDDR3调试工具支持的示波器包括Infiniium 9000A、90000A、90000 X系列和90000 Q系列产品。到目前为止，安捷伦Infiniium实时示波器支持DDR2，DDR3，DDR4，LPDDR2，LPDDR3的一致性测试，如果您有机会使用90000X系列混合信号示波器，它还支持以上DDR的协议解码和协议触发。对于从事计算机、服务器和移动设备等行业的工程师，该测试工具简化了DDR存储器件的调试过程。根据JEDEC标准对DDR3和LPDDR3时序测量结果进行统计分析，并使用游标指示测量点的位置。U7231B-3NL DDR3和LPDDR3调试工具支持安捷伦示波器保存的波形文件。能够对波形中的读和写猝发脉冲的起点和终点进行定位，帮助工程师快速完成时序测量，