IGBT - 常州市杜安进出口有限公司

产品资讯

请输入产品名称

JUKI贴片机单极霍尔开关 pcb设备全方位海绵无感电容电源供应 MDD72-16N1B-IXYS二极管

关注微信随身推

常州市杜安进出口有限公司
新增产品 | 公司简介
注册时间：2007-10-15
联系人：
电话：
Email：

首页公司简介产品目录公司新闻技术文章资料下载成功案例人才招聘荣誉证书联系我们

产品目录

当前位置：

首页 > 产品目录 > IGBT

产品图片	产品名称/型号	产品简单介绍
	75A IGBT FF75R12RT4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！75A IGBT
	100A IGBT FF100R12RT4	IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。100A IGBT
	150A IGBT FF150R12RT4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！150A IGBT
	200A IGBT FF200R12KE4	IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然*新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高200A IGBT
	300A IGBT FF300R12KE4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！300A IGBT
	400A IGBT FF450R12KE4	IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。400A IGBT
	600A IGBT FF450R12KE4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！600A IGBT
	1700V IGBT模块 FF150R12RT4	IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。1700V IGBT模块
	1200V IGBT模块 FF200R12KE4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！1200V IGBT模块
	600V IGBT模块 FF300R12KE4	IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。600V IGBT模块
	IGBT模块 FF450R12KE4	我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块，电流75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A，欢迎来电洽谈！！
	FF450R12KE4 FF450R12KE4	IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 FF450R12KE4
	FF300R12KE4 FF300R12KE4	IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。FF300R12KE4
	FF200R12KE4 FF200R12KE4	IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 FF200R12KE4
	FF150R12RT4 FF150R12RT4	IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。FF150R12RT4
	FF100R12RT4 FF100R12RT4	IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 FF100R12RT4
	FF75R12RT4 FF75R12RT4	IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。FF75R12RT4
	IKW40N120H3 IKW40N120H3	IKW40N120H3 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGB
	IKW25N120H3 IKW25N120H3	IKW25N120H3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
	IKW15N120H3 IKW15N120H3	IKW15N120H3 [IGBT] IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但

若网站内容侵犯到您的权益，请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除