200A IGBT FF200R12KE4

点击查看大图

产品价格： < 面议

产品型号：FF200R12KE4

品牌：其它品牌

公司名称：常州市杜安进出口有限公司

所在地：江苏常州

发布时间：2012-06-03

浏览次数：1742 次

立即询价在线咨询

产品简介

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然*新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高200A IGBT

产品详细信息

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。200A IGBT200A IGBT200A IGBT200A IGBT200A IGBT200A IGBT

(IGBT Module)
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF200R12KE4
FF300R12KE4
FF450R12KE4

2MG75B12STD (75A/1200V IGBT Module)
2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module)
2MG150B12STD (150A/1200V IGBT Module)
2MG200B12STD (200A/1200V IGBT Module)
2MG300B12STD (300A/1200V IGBT Module)
2MG400B12STD (400A/1200V IGBT Module)

2MG150N06TCH (150A/600V IGBT Module)
2MG200N06TCH (200A/600V IGBT Module)
2MG300N06TCH (300A/600V IGBT Module)
2MG400N06TCH (400A/600V IGBT Module)
2MG600N06TCH (600A/600V IGBT Module)