600V IGBT模块 FF300R12KE4

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产品型号:FF300R12KE4
 牌:其它品牌
公司名称:常州市杜安进出口有限公司
  地:江苏常州
发布时间:2012-06-03
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产品简介

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。600V IGBT模块

产品详细信息

我公司专业生产1700V/1200V/600V IGBT模块,电流为75A/100A/150A/200A/300A/400A/600A,欢迎来电洽谈!!

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。600V IGBT模块600V IGBT模块600V IGBT模块

(IGBT Module)
FF75R12RT4
FF100R12RT4
FF150R12RT4
FF200R12KE4
FF300R12KE4
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2MG100B12STD (100A/1200V IGBT Module)
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